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本文系统地论述了目前世界上利用太阳能技术的最新进展,并展示了其诱人的前景。未来10年,太阳能的研究与利用会“火热”一阵,以后会更热,直到聚变核能实现商业化。预计,太阳能将成为21世纪的主要能源,到2030年世界电力的50%将依靠太阳能。
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室温下在单晶Si中注入(0.6-1.5)at%的C原子,部分样品在C离子注入之前在其中注入~(29)Si~+离子产生损伤,然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si_(1-x)C_x合金,研究了预注入对Si_(1-x)C_x合金形成的影响。如果注入C离子的剂量小于引起Si非晶化的剂量,在950℃退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇,难于形成Si_(1-x)C_x合金,预注入形成的损伤有利于合金的形成。随着C离子剂量的增大,注入产生的损伤增强,预注入反而不利于Si_(1-x)C_x合金的形成,但当注入C原子的浓度超过固相外延的溶解度时,预注入的影响可以忽略。退火温度升高到1050℃,无论预注入还是未预注入样品,C含量低的合金相仍然保留,而C含量高的合金相大部分消失。
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报道了一种新的半导体体效应器件——体等离子体器件,它是由很薄的高纯GaAs层构成(1-2μm),在强电场(大于200kV/cm)下产生雪崩击穿,形成一个由电子和空穴组成的等离子体,这一等离子体有较宽的等离子体振荡频率,并强烈地依赖于外磁场,因此可以做成振荡器及磁敏传感器,有广泛的用途。
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室温下在单晶Si中注入 (0 6— 1 5 )at%的C原子 ,部分样品在C离子注入之前在其中注入2 9Si+ 离子产生损伤 ,然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si1 -xCx 合金 ,研究了预注入对Si1 -xCx 合金形成的影响 .如果注入C离子的剂量小于引起Si非晶化的剂量 ,在 95 0℃退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇 ,难于形成Si1 -xCx 合金 ,预注入形成的损伤有利于合金的形成 .随着C离子剂量的增大 ,注入产生的损伤增强 ,预注入反而不利于Si1 -xCx 合金的形成 ,但当注入C原子的浓度超过固相外延的溶解度时 ,预注入的影响可以忽略 .退火温度升高到 10 5 0℃ ,无论预注入还是未预注入样品 ,C含量低的合金相仍然保留 ,而C含量高的合金相大部分消失 .
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利用经典统计学和地统计学相结合的方法,以科尔沁沙地东南缘的丘间低地为例,分析了农业耕种对沙地土壤全磷空间变异性的影响.结果表明,草地开垦8年后的耕地同未开垦的草地相比,表层和亚表层土壤全磷量均有明显增加(P<0.05);两层土壤全磷贮量增加7.64%,约增加25.71kg/hm2.耕地同草地相比,土壤全磷空间结构和格局存在明显差异.耕地表层表现为一种随机上下波动的空间分布格局,而草地表现为相对均一的空间分布格局.亚表层耕地同草地相比,基台值、结构方差和变程明显偏大,结构异质性和空间依赖性较强,而随机性较弱的空间分布格局.分数维进一步说明耕地与草地土壤全磷空间变异性的差异.克立格制图直观地反映2种土地利用方式下土壤全磷的空间结构特征.为此,认为耕种易导致沙地土壤退化,退耕还草有利于维持脆弱沙地生态系统的稳定性.
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为了解决黑白图像自动染色的难题,提出了一种基于Gabor小波的渐进式着色算法。该算法首先使用Gabor小波对黑白图像的纹理特征进行分析,在此基础上,根据纹理特征差异重新定义像素的邻居关系,最后利用最优化方法对染色问题进行迭代求解。该算法主要的创新点是交互操作少,并允许用户逐步添加色彩细节。同时该算法还是天然并行的,能够利用图形处理器(GPU)进行实时计算。为该算法和当今流行的着色算法做了效果对比,并且进行了效率分析,实验结果表明了该算法的可用性和效率。
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The transfer of sodium and potassium ions facilitated by dibenzo-15-crown-5 (DB15C5) has been studied at the micro-water/1,2-dichloroethane (water/DCE) interface supported at the tip of a micropipette. Cyclic volt-ammetric measurements were performed in two limiting conditions: the bulk concentration of Na+ or K+ in the aqueous phase is much higher than that of DB15C5 in the organic phase (DB15C5 diffusion controlled process) and the reverse condition (metal ion diffusion controlled process). The mechanisms of the facilitated Na+ transfer by DB15C5 are both transfer by interfacial complexation (TIC) with 1 : 1 stoichiometry under these two conditions, and the corresponding association constants were determined at log beta(1) = 8.97 +/- 0.05 or log beta(1) = 8.63 +/- 0.03. However, the transfers of K+ facilitated by DB15C5 show different behavior. In the former case it is a TIC process and its stoichiometry is 1 : 2, whereas in the latter case two peaks during the forward scan were observed, the first of which was confirmed as the formation of K (DB15C5)(2) at the interface by a TIC mechanism, while the second one may be another TIC process with 1 : 1 stoichiometry in the more positive potential. The relevant association constants calculated for the complexed ion, K+(DB15C5)(2), in the organic phase in two cases, logbeta(2), are 13.64 +/- 0.03 and 11.34 +/- 0.24, respectively.
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BiSrMn2O6 is prepared by solid state reaction at 850 degrees C. It is tetragonal with a= 0.7821nm c= 0.3790 nm. It is a black n-type semiconductor below 820K. Its resistivity is 3 Omega-CM at room temperature. A semiconductor -metal transition is observed around 820K, Bi1+xSr1-xMn2O6-y is a solid solution for -0.2 less than or equal to x less than or equal to 0.2. Its unit cell dimensions increase but resistivity decreases when the Bi contents increase.
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用淬火、熔体拉伸和与其它聚合物共混的方法直接制得了聚偏氟乙烯(PVF_2)β相结晶.并深入地研究了淬火、熔体拉伸和共混物组分对PVF_2β相结晶的影响.
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SmCl3 reacts with K2C8H8 to yield the complex Sm(C8H8)Cl.2thf, which reacts with K(2,4-C7H11) (2,4-C7H11 = 2,4-dimethylcyclopentadienyl) to form Sm(C8H8)(2,4-C7H11).thf; the X-ray crystal structure of Sm(C8H8)(2,4-C7H11).thf shows that the 2,4-dimethylcyclopentadienyl has a 'U' conformation.