预注入对Si_(1-x)C_x合金形成的影响
| Data(s) |
12/07/2001
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|---|---|
| Resumo |
室温下在单晶Si中注入 (0 6— 1 5 )at%的C原子 ,部分样品在C离子注入之前在其中注入2 9Si+ 离子产生损伤 ,然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si1 -xCx 合金 ,研究了预注入对Si1 -xCx 合金形成的影响 .如果注入C离子的剂量小于引起Si非晶化的剂量 ,在 95 0℃退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇 ,难于形成Si1 -xCx 合金 ,预注入形成的损伤有利于合金的形成 .随着C离子剂量的增大 ,注入产生的损伤增强 ,预注入反而不利于Si1 -xCx 合金的形成 ,但当注入C原子的浓度超过固相外延的溶解度时 ,预注入的影响可以忽略 .退火温度升高到 10 5 0℃ ,无论预注入还是未预注入样品 ,C含量低的合金相仍然保留 ,而C含量高的合金相大部分消失 . |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王引书,李晋闽,王衍斌,王玉田,孙国胜,林兰英.预注入对Si_(1-x)C_x合金形成的影响, 物理学报, 2001-07-12, 2001( 07):1329-1333 |
| Palavras-Chave | #离子注入 #固相外延 #Si1-xCx合金 |
| Tipo |
期刊论文 |
