高纯GaAs中的等离子体振荡现象

报道了一种新的半导体体效应器件——体等离子体器件，它是由很薄的高纯GaAs层构成(1-2μm)，在强电场(大于200kV/cm)下产生雪崩击穿，形成一个由电子和空穴组成的等离子体，这一等离子体有较宽的等离子体振荡频率，并强烈地依赖于外磁场，因此可以做成振荡器及磁敏传感器，有广泛的用途。