Monolithically Integrated Optoelectronic Receivers Implemented in 0. 25μm MS/RF CMOS

A monolithically integrated optoelectronic receiver is presented. A silicon-based photo-diode and receiver circuits are integrated on identical substrates in order to eliminate the parasitics induced by hybrid packaging. Implemented in the present deep sub-micron MS/RF （mixed signal, radio frequency） CMOS,this monolithically OEIC takes advantage of several new features to improve the performance of the photo-diode and eventually the whole OEIC.

In0.2 Ga0.8 As-GaAs复合应力缓冲层上的1.3 μmInAs/GaAs自组织量子点

用光荧光谱和原子力显微镜测试技术系统研究了在2 nm In0.2Ga0.8As和x ML GaAs的复合应力缓冲层上生长的InAs/GaAs自组织量子点的发光特性和表面形貌.采用In0.2Ga0.8As与薄层GaAs复合的应力缓冲层,由于减少了晶格失配度致使量子点密度从约1.7×109 cm-2显著增加到约3.8×109cm-2.同时,复合层也有利于提高量子点中In的组份,使量子点的高宽比增加,促进量子点发光峰红移.对于x=10 ML的样品室温下基态发光峰达到1350 nm.

纳米硅薄膜光学性质的测定与研究

通过测定纳米硅薄膜的透射谱,建立计算模型计算得出薄膜样品的折射率、厚度、吸收系数和光能隙.计算结果表明这种半导体材料在620 nm波长附近的折射率约为3.4,计算得到的厚度与用台阶仪测量的结果吻合很好.在620 nm波长附近的吸收系数介于吸收系数较小的晶体硅与吸收系数较大的非晶硅之间,光能隙约为1.6 eV,两者都随晶态含量增大而呈减小趋势.

半导体量子点及其应用(Ⅱ)

4 半导体量子点的应用理论分析表明,基于三维受限量子点的分离态密度函数的量子器件,以其独特的优异电学、光学性能和极低功耗,在纳米电子学、光电子学,生命科学和量子计算等领域有着极其广泛的应用前景,本文仅就量子点在量子点激光器、量子点红外探测器、单光子光源、单电子器件和量子计算机等方面的应用作一简单的介绍.

与CMOS工艺兼容的硅基光发射器件研究进展

本文概述了近年来该器件的研究与进展，从发光机理、器件研制和应用前景等方面做了详细的叙述。

Y沸石中组装CdSe纳米团簇的实验研究

采用离子交换方法，在Y型沸石分子筛中首次组装了质量比分别为5%和15%的CdSe纳米团簇；样品漫反射光谱和透射电镜形貌相的实验结果证实，该制备过程是成功可行的，并得到了分布均匀、尺寸比较单一的团簇材料。采用正电子湮没寿命谱对上述两种样品、Y型沸石原粉和纯的CdSe粉末样品进行测量，得到了有关团簇生长过程及其微结构的有用信息。

氢原子辅助MBE生长对GaAs外延面形貌的影响

该文研究了MBE通常生长条件和氢原子辅助生长条件下(100)、(331)、(210)、(311)等表面外延形貌的变化。