In0.2 Ga0.8 As-GaAs复合应力缓冲层上的1.3 μmInAs/GaAs自组织量子点
| Data(s) |
2005
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| Resumo |
用光荧光谱和原子力显微镜测试技术系统研究了在2 nm In0.2Ga0.8As和x ML GaAs的复合应力缓冲层上生长的InAs/GaAs自组织量子点的发光特性和表面形貌.采用In0.2Ga0.8As与薄层GaAs复合的应力缓冲层,由于减少了晶格失配度致使量子点密度从约1.7×109 cm-2显著增加到约3.8×109cm-2.同时,复合层也有利于提高量子点中In的组份,使量子点的高宽比增加,促进量子点发光峰红移.对于x=10 ML的样品室温下基态发光峰达到1350 nm. 用光荧光谱和原子力显微镜测试技术系统研究了在2 nm In0.2Ga0.8As和x ML GaAs的复合应力缓冲层上生长的InAs/GaAs自组织量子点的发光特性和表面形貌.采用In0.2Ga0.8As与薄层GaAs复合的应力缓冲层,由于减少了晶格失配度致使量子点密度从约1.7×109 cm-2显著增加到约3.8×109cm-2.同时,复合层也有利于提高量子点中In的组份,使量子点的高宽比增加,促进量子点发光峰红移.对于x=10 ML的样品室温下基态发光峰达到1350 nm. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:04:40导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4497.pdf: 338155 bytes, checksum: f730be977faa17bf784a8b554e3968b6 (MD5) Previous issue date: 2005 国家高技术研究发展技术资助的课题 北京工业大学;中国科学院半导体研究所 国家高技术研究发展技术资助的课题 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
方志丹;龚政;苗振华;牛智川;沈光地.In0.2 Ga0.8 As-GaAs复合应力缓冲层上的1.3 μmInAs/GaAs自组织量子点,红外与毫米波学报,2005,24(5):324-327 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
