High Indium Concentration InGaN/GaN Grown on Sapphire Substrate by MOCVD

The InGaN system provides the opportunity to fabricate light emitting devices over the whole visible and ultraviolet spectrum due to band-gap energies E[subscript g] varying between 3.42 eV for GaN and 1.89 eV for InN. However, high In content in InGaN layers will result in a significant degradation of the crystalline quality of the epitaxial layers. In addition, unlike other III-V compound semiconductors, the ratio of gallium to indium incorporated in InGaN is in general not a simple function of the metal atomic flux ratio, f[subscript Ga]/f[subscript In]. Instead, In incorporation is complicated by the tendency of gallium to incorporate preferentially and excess In to form metallic droplets on the growth surface. This phenomenon can definitely affect the In distribution in the InGaN system. Scanning electron microscopy, room temperature photoluminescence, and X-ray diffraction techniques have been used to characterize InGaN layer grown on InN and InGaN buffers. The growth was done on c-plane sapphire by MOCVD. Results showed that green emission was obtained which indicates a relatively high In incorporation.

High Optical Quality Nanoporous GaN Prepared by Photoelectrochemical Etching

Nanoporous GaN films are prepared by UV assisted electrochemical etching using HF solution as an electrolyte. To assess the optical quality and morphology of these nanoporous films, micro-photoluminescence (PL), micro-Raman scattering, scanning electron microscopy (SEM), and atomic force microscopy (AFM) techniques have been employed. SEM and AFM measurements revealed an average pore size of about 85-90 nm with a transverse dimension of 70-75 nm. As compared to the as-grown GaN film, the porous layer exhibits a substantial photoluminescence intensity enhancement with a partial relaxation of compressive stress. Such a stress relaxation is further confirmed by the red shifted E₂(TO) phonon peak in the Raman spectrum of porous GaN.

Nanocrystalline Ge Flash Memories: Electrical Characterization and Trap Engineering

Conventional floating gate non-volatile memories (NVMs) present critical issues for device scalability beyond the sub-90 nm node, such as gate length and tunnel oxide thickness reduction. Nanocrystalline germanium (nc-Ge) quantum dot flash memories are fully CMOS compatible technology based on discrete isolated charge storage nodules which have the potential of pushing further the scalability of conventional NVMs. Quantum dot memories offer lower operating voltages as compared to conventional floating-gate (FG) Flash memories due to thinner tunnel dielectrics which allow higher tunneling probabilities. The isolated charge nodules suppress charge loss through lateral paths, thereby achieving a superior charge retention time. Despite the considerable amount of efforts devoted to the study of nanocrystal Flash memories, the charge storage mechanism remains obscure. Interfacial defects of the nanocrystals seem to play a role in charge storage in recent studies, although storage in the nanocrystal conduction band by quantum confinement has been reported earlier. In this work, a single transistor memory structure with threshold voltage shift, Vth, exceeding ~1.5 V corresponding to interface charge trapping in nc-Ge, operating at 0.96 MV/cm, is presented. The trapping effect is eliminated when nc-Ge is synthesized in forming gas thus excluding the possibility of quantum confinement and Coulomb blockade effects. Through discharging kinetics, the model of deep level trap charge storage is confirmed. The trap energy level is dependent on the matrix which confines the nc-Ge.

Oblique Angle Deposition of Germanium Film on Silicon Substrate

The effect of flux angle, substrate temperature and deposition rate on obliquely deposited germanium (Ge) films has been investigated. By carrying out deposition with the vapor flux inclined at 87° to the substrate normal at substrate temperatures of 250°C or 300°C, it may be possible to obtain isolated Ge nanowires. The Ge nanowires are crystalline as shown by Raman Spectroscopy.

Poly-Si₁₋xGex Film Growth for Ni Germanosilicided Metal Gate

Scaling down of the CMOS technology requires thinner gate dielectric to maintain high performance. However, due to the depletion of poly-Si gate, it is difficult to reduce the gate thickness further especially for sub-65 nm CMOS generation. Fully silicidation metal gate (FUSI) is one of the most promising solutions. Furthermore, FUSI metal gate reduces gate-line sheet resistance, prevents boron penetration to channels, and has good process compatibility with high-k gate dielectric. Poly-SiGe gate technology is another solution because of its enhancement of boron activation and compatibility with the conventional CMOS process. Combination of these two technologies for the formation of fully germanosilicided metal gate makes the approach very attractive. In this paper, the deposition of undoped Poly-Si₁₋xGex (0 < x < 30% ) films onto SiO₂ in a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) system is described. Detailed growth conditions and the characterization of the grown films are presented.

Strained Silicon on Silicon by Wafer Bonding and Layer Transfer from Relaxed SiGe Buffer

We report the creation of strained silicon on silicon (SSOS) substrate technology. The method uses a relaxed SiGe buffer as a template for inducing tensile strain in a Si layer, which is then bonded to another Si handle wafer. The original Si wafer and the relaxed SiGe buffer are subsequently removed, thereby transferring a strained-Si layer directly to Si substrate without intermediate SiGe or oxide layers. Complete removal of Ge from the structure was confirmed by cross-sectional transmission electron microscopy as well as secondary ion mass spectrometry. A plan-view transmission electron microscopy study of the strained-Si/Si interface reveals that the lattice-mismatch between the layers is accommodated by an orthogonal array of edge dislocations. This misfit dislocation array, which forms upon bonding, is geometrically necessary and has an average spacing of approximately 40nm, in excellent agreement with established dislocation theory. To our knowledge, this is the first study of a chemically homogeneous, yet lattice-mismatched, interface.

Análisis de las barreras no arancelarias ante la disminución de aranceles. Una aproximación a las relaciones comerciales entre Colombia y Estados Unidos (1990 - 2011).

Estados Unidos junto a Japón y algunos Estados europeos han incentivado e impulsado al resto de los Estados a que abran sus fronteras y se inserten en el modelo de liberalización comercial. Estos países, en particular Estados Unidos promueven este modelo por medio de las relaciones comerciales que establece con otros Estados. Al establecer esta clase de relaciones, especialmente con Estados menos desarrollados, el país norteamericano busca mejorar su posición y obtener beneficios en detrimento de la otra parte por medio de la imposición de condiciones para maximizar sus beneficios y ganancias. La necesidad del gobierno estadounidense de mantener e incrementar su credibilidad ante sus ciudadanos y al mismo tiempo incentivar a los demás países para que abran sus fronteras se expresa en una incongruencia entre el discurso defensor del libre comercio y las estrategias proteccionistas como las barreras no arancelarias que pone en marcha y cuyo propósito es no perder espacio en el sistema internacional ni ver menoscabada su influencia sobre los demás Estados. Sin embargo, el establecimiento de medidas proteccionistas afecta las posiciones comerciales de países como Colombia en tanto que estas medidas ponen en desventaja a sus productos.

Estudio de asociación entre genotipo de DAT1 y transtorno por déficit de atención / hiperactividad

Introducción: El TDAH tiene un componente genético importante; el gen de transportador de Dopamina (DAT1) se ha asociado con susceptibilidad al TDAH y con sus endofenotipos. El VNTR de 40pb en la región 3’UTR aumenta la expresión del DAT1. En Colombia no hay ningún estudio previo que indique evidencia de la asociación genética entre TDAH y el gen DAT1. Objetivo: Determinar asociación entre el VNTR del DAT1 y el fenotipo y/o endofenotipos del TDAH. Métodos: Se seleccionaron 73 pacientes con TDAH y 75 controles, se valoró en los casos inteligencia y funciones ejecutivas. Mediante (PCR) se amplificó el VNTR DAT1. Se establecieron estadísticos genético poblacionales, análisis de asociación y de regresión logística entre las pruebas neuropsicológicas y genotipo. Resultado: El polimorfismo del DAT1 no mostró asociación con TDAH, ni con alteraciones en las funciones ejecutivas. El genotipo 10/10 del VNTR DAT1 se encontró asociado con el índice de velocidad de procesamiento (p <0,05). En el subgrupo hiperactividad hubo asociación con algunas subpruebas de flexibilidad cognitiva, número de respuestas correctas, total de errores, número de respuestas perseverativas (p ≤ 0.01). En el subgrupo mixto se asoció con índice de comprensión verbal (p <0,05). Conclusiones: No hubo asociación entre el polimorfismo VNTR (DAT1) y el fenotipo de TDAH. Se encontraron asociaciones entre genotipo y algunos test de flexibilidad cognitiva e índice de comprensión verbal. Se establecieron los estadísticos genético poblacionales de este polimorfismo para la población analizada, el cual corresponde al primer reporte de una muestra de nuestro país.

Análisis de la incidencia de la Teoría de la Identidad Colectiva en la posición de la Liga Árabe frente al reconocimiento de Somalilandia como Estado independiente

Esta Monografía se centra en mostrar cómo el intento por conservar la identidad colectiva de la Liga de los Estados Árabes impide ceder ante el deseo de Somalilandia de ser reconocida como Estado independiente.

Caracterización de los pacientes con hemorragia de vías digestivas altas no varicosa atendidos en el Hospital Universitario de la Samaritana, Cundinamarca

La hemorragia de vías digestivas altas (HVDA) es una emergencia frecuente. La etiología más común es la úlcera péptica. La restauración del volumen intravascular y la presión arterial son la prioridad del manejo. La endoscopia (EGD) debe realizarse luego de la reanimación inicial y lograda la estabilización hemodinámica, tratar la lesión subyacente mediante hemostasia. Se realiza un estudio en un hospital de referencia de tercer nivel, Cundinamarca, Colombia Materiales y métodos: Estudio descriptivo retrospectivo, datos obtenidos de la historia clínica electrónica de pacientes adultos que consultaron por urgencias en el Hospital Universitario de la Samaritana (HUS) por HVDA, diagnosticada por hematemesis, melenas, hematoquezia y/o anemia; a quienes se les realizó EGD durante abril del 2010 - abril del 2011. Resultados: Se atendieron 385 pacientes en el período de estudio, 100 fueron excluidos debido a hemorragia secundaria a várices esofágicas, historia incompleta y hemorragia digestiva baja, para un total de 285 pacientes analizados. El 69.1% eran mayores de 60 años. El 73.3% presentaba hipertensión arterial, el 55.1% reportaba ingesta de Anti-inflamatorios no esteroideos (AINES) y Aspirina (ASA). El 19.6% reportaba episodios de sangrado previos y 17.9% presentó inestabilidad hemodinámica. Sesenta y tres pacientes (22,1%) requirieron hemostasia endoscópica, treinta y dos (11.2%) presentaron resangrado. La mortalidad reportada fue del 13.1%, del cual 55.3% correspondía a hombres. Discusión: La mayoría de la población atendida en el HUS por HVDA son adultos mayores de 60 años. La úlcera péptica, continúa siendo el diagnóstico más frecuente asociado al uso de AINES y ASA.

Alteraciones respiratorias durante el sueño en niños con Síndrome Down a la altura de Bogotá

Objetivo: determinar la frecuencia de las diferentes alteraciones respiratorias durante el sueño (ARS) e hipertensión pulmonar (HTP) y establecer la saturación de oxígeno (SpO2) en vigilia, sueño y durante los eventos en niños con Síndrome Down (SD) a la altura de Bogotá (2640m) de acuerdo a grupos de edad e IMC. Métodos: estudio descriptivo de corte transversal, se incluyeron todos los niños con SD con sospecha de ARS remitidos a polisonograma (PSG) de octubre de 2011 a enero de 2013 a la Fundación Neumológica Colombina (FNC). Se dividieron en 3 grupos: apnea obstructiva, apnea obstructiva y central, sin apneas. Resultados: 74 niños, el 36,5% mujeres, edad media 4 años. 47,3% presento apnea obstructiva, más frecuente en >2 años, 35,1% apnea obstructiva y central, más frecuente en < 2 años y 17,6 % sin apnea. SpO2 promedio en apnea obstructiva 84,63%, apnea obstructiva y central: 81,8% y sin apnea: 86,85% (p 0,058). 23% presento obesidad, 16% con apnea obstructiva. 53 pacientes tenían ecocardiograma: 28% HTP, 53,3% tuvo apnea obstructiva y 26,7 apnea obstructiva y central, no diferencias significativas. SpO2 promedio en HTP 88,3% vigilia, 86,2% sueño REM, 85,7 % sueño no REM, no diferencia significativa comparada con pacientes sin HTP. Conclusiones: Las ARS son frecuentes en los niños con SD, La desaturación está presente en los niños con SD independiente del tipo de apnea. A todos los niños SD se les debe practicar un PSG en el primer año de vida.

Factores asociados a la infección para Clostridium difficile en un hospital universitario de Bogotá

Introducción La infección por Clostridium difficile, es una de las causas más frecuentes de diarrea nosocomial con una alta morbimortalidad, con un aumento exponencial en su incidencia, en Estados Unidos se duplicó, de 261 casos x 100.000 en 1993 pasó a 546 x 100.000 en 2003 2, y en Canadá se encontraron datos similares con un aumento de 4.5 veces, en 1991 de 35.6 casos x 100.000 a 156.3 casos por 100.000 en 2004 3 . Se han descrito varios factores asociados Materiales y Métodos Se trata de un estudio descriptivo de tipo serie de casos en el que se evaluaron pacientes con diagnóstico de infección por C. Difficile y los factores asociados en un Hospital Universitario entre febrero de 2010 hasta septiembre de 2011 Resultados Se recolectaron 31 pacientes la edad promedio fue de 58 años con un rango entre 18 y 93 años, de los cuales 19 (61%) fueron mujeres y 12 (39%) hombres. El factor asociado a la infección por C. Difficile más frecuentemente encontrado fue el uso de inhibidores de bomba de protones con 54.84% (n=17) .No se encontraron pacientes VIH positivos o con diagnóstico de enfermedad inflamatoria intestinal. Ningún paciente presentó complicaciones asociadas a la infección ni mortalidad alguna. Conclusión El factor asociado que más se presentó fue el uso de antimicrobianos en los quince dias previos al inicio del cuadro en el 74% de los pacientes lo que coincide con lo presentado en la literatura mundial.

Utilización de los conceptos de caos y complejidad en empresas del sector financiero

Este proyecto busca determinar que utilización se hace de los conceptos de caos y complejidad en las empresas del sector financiero colombiano, para así encontrar la relación entre estos conceptos y la ocurrencia de eventos en la economía actual. Se adoptó un método descriptivo, donde se tomará como unidad de análisis una empresa representativa del sector financiero de Colombia. La compañía escogida para el análisis fue Bancolombia, la cual debido a su larga trayectoria dentro de la economía colombiana, ha demostrado un buen desempeño y el logro de sus objetivos a nivel nacional e internacional. El análisis realizado permitió tener una visión amplia y representativa del significado que el caos y la complejidad tienen para el sector financiero; y como sus respectivos conceptos se aplican a la hora de enfrentar condiciones extremas en la industria o la economía. Pero también como el comportamiento de variables pertenecientes a otras industrias, tienen la capacidad de afectar e influir en el normal comportamiento de la compañía. Se concluyó además que Bancolombia en épocas de crisis logra ser mucho más realista al afrontar los momentos. Las crisis se muestran como caos dentro de un sistema simple y organizado que afecta a sus diferentes variables no lineales, y que puede llegar a una interacción entre otros sistemas, produciendo así comportamientos críticos y complicados. Se muestra también que la complejidad dentro de un sistema financiero es una creación de interacciones simples que muestran un parámetro claro, casi deducible, que al interactuar entre todas se convierte en complejidad para las organizaciones como Bancolombia.

Inicio de la validación de contenido y confiabilidad de un protocolo de evaluación de habilidades metalingüísticas para niños de 5 a 7 años

Se pretende elaborar una herramienta confiable y válida para el proceso de evaluación–diagnóstico de las habilidades metalingüísticas en el Laboratorio de Voz y Habla de la Universidad del Rosario, que permita lograr un mayor grado de objetividad de dicho procedimiento, y así contribuir a la precisión de cada uno de los diagnósticos de los usuarios. Es necesario aclarar que se han construido instrumentos útiles que, sin embargo, no han sido sometidos a estudios de validez y confiabilidad, por lo cual se pretende con este proyecto la expansión del protocolo en la comunidad fonoaudiológica.

Desarrollo de un estado de la cuestión acerca de las interacciones entre el control de gestión y el aprendizaje organizacional.

Las organizaciones en la actualidad deben encontrar diferentes maneras de sobrevivir en un tiempo de rápida transformación. Uno de los mecanismos usados por las empresas para adaptarse a los cambios organizacionales son los sistemas de control de gestión, que a su vez permiten a las organizaciones hacer un seguimiento a sus procesos, para que la adaptabilidad sea efectiva. Otra variable importante para la adaptación es el aprendizaje organizacional siendo el proceso mediante el cual las organizaciones se adaptan a los cambios del entorno, tanto interno como externo de la compañía. Dado lo anterior, este proyecto se basa en la extracción de documentación soporte valido, que permita explorar las interacciones entre estos dos campos, los sistemas de control de gestión y el aprendizaje organizacional, además, analizar el impacto de estas interacciones en la perdurabilidad organizacional. ​