963 resultados para representações de si


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Solid phase reaction of NiPt/Si and NiPt/SiGe is one of the key issues for silicide (germanosilicide) technology. Especially, the NiPtSiGe, in which four elements are involved, is a very complex system. As a result, a detailed study is necessary for the interfacial reaction between NiPt alloy film and SiGe substrate. Besides using traditional material characterization techniques, characterization of Schottky diode is a good measure to detect the interface imperfections or defects, which are not easy to be found on large area blanket samples. The I-V characteristics of 10nm Ni(Pt=0, 5, 10 at.%) germanosilicides/n-Si₀/₇Ge₀.₃ and silicides/n-Si contact annealed at 400 and 500°C were studied. For Schottky contact on n-Si, with the addition of Pt in the Ni(Pt) alloy, the Schottky barrier height (SBH) increases greatly. With the inclusion of a 10% Pt, SBH increases ~0.13 eV. However, for the Schottky contacts on SiGe, with the addition of 10% Pt, the increase of SBH is only ~0.04eV. This is explained by pinning of the Fermi level. The forward I-V characteristics of 10nm Ni(Pt=0, 5, 10 at.%)SiGe/SiGe contacts annealed at 400°C were investigated in the temperature range from 93 to 300K. At higher temperature (>253K) and larger bias at low temperature (<253K), the I-V curves can be well explained by a thermionic emission model. At lower temperature, excess currents at lower forward bias region occur, which can be explained by recombination/generation or patches due to inhomogenity of SBH with pinch-off model or a combination of the above mechanisms.

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Scaling down of the CMOS technology requires thinner gate dielectric to maintain high performance. However, due to the depletion of poly-Si gate, it is difficult to reduce the gate thickness further especially for sub-65 nm CMOS generation. Fully silicidation metal gate (FUSI) is one of the most promising solutions. Furthermore, FUSI metal gate reduces gate-line sheet resistance, prevents boron penetration to channels, and has good process compatibility with high-k gate dielectric. Poly-SiGe gate technology is another solution because of its enhancement of boron activation and compatibility with the conventional CMOS process. Combination of these two technologies for the formation of fully germanosilicided metal gate makes the approach very attractive. In this paper, the deposition of undoped Poly-Si₁₋xGex (0 < x < 30% ) films onto SiO₂ in a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) system is described. Detailed growth conditions and the characterization of the grown films are presented.

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Dentro del Plan Municipal sobre drogodependencias del Ayuntamiento de Gijón se editó este folleto que aporta ideas para la reflexión sobre la tarea educativa de la familia, así como alguna estrategia sencilla para afrontar con más facilidad ciertas situaciones que preocupan habitualmente a los padres. Partiendo de situaciones reales se repasan aspectos como la comunicación padres e hijos, la potenciación de la toma de decisiones, la asunción de responsabilidades, el valor del ocio y como cubrirlo, la prevención, la influencia del modelo más cercano, etc. Finalmente se ofrecen direcciones de equipos de coordinación u orientación sobre toxicomanías, centros sociales y centros de salud mental del concejo de Gijón.

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Este libro es fruto del itinerario formativo en ingl??s previsto para el profesorado de educaci??n infantil. Las autoras, coordinadas por la asesora de Lenguas Extranjeras del CPR de Gij??n, participaron en las fases formativas iniciadas en 2005 con un curso intensivo de Lengua inglesa en el CPR de Gij??n y finalizado en el curso de English-in-York en el Reino Unido. En la ??ltima fase de este itinerario formativo han creado estos materiales sobre varias historias inventadas para ser contadas y para ser explotadas pedag??gicamente en infantil y primer ciclo de primaria. Los objetivos de este material son promover el desarrollo de la expresi??n y comprensi??n oral, aprovechar las t??cnicas narrativas para fomentar la creatividad y madurez del alumnado y usar destrezas y t??cnicas variadas desde un enfoque constructivista. Los temas abordados son: 1) Elaboraci??n de unidades did??cticas de ingl??s en educaci??n infantil. 2) Little Pumpkin and the Halloween Party. 3) Whitie's Trip. 4) The Proud Rainbow. En la primera parte se explica el proceso de dise??o, desarrollo y evaluaci??n de una unidad did??ctica. En las dem??s, se incluyen actividades, juegos, rimas, cuentos, canciones y juegos ilustrados y disponibles para su uso escolar.

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Resumen basado en el de la publicación

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Resumen tomado de la revista. Ponencia presentada en las Jornadas La normalització lingüística a l'ensenyament i a l'àmbit sindical, que tuvieron lugar en la sala de actos del edificio Anselm Turmeda del campus de la Universitat de les Illes Balears los días 3 y 4 de octubre de 2002

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Este material pretende ser una herramienta práctica para facilitar la comunicación entre padres e hijos y potenciar que el diálogo intergeneracional sea lo más fluido posible, evitando entender la adolescencia como un problema. Una buena comunicación aumentará la educación de los hijos y evitará situaciones que, con el tiempo, pueden ser irreversibles.

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Material destinado a fomentar la creación de nuevas empresas así como ayudar a los jóvenes emprendedores que quieren iniciar su carrera empresarial. El documento se divide en tres partes. La primera se centra en el proceso de conversión de una idea o proyecto en una realidad empresarial, y detalla los pasos a seguir, es decir el estudio de mercado, el plan operativo, los recursos humanos, el estudio económico-financiero, los requisitos administrativos y la tipología de empresas. En segundo lugar se presenta la asociación de jóvenes empresarios. En tercer lugar se presentan el Servei d'ocupació de les Islas Baleares (SOIB), sus objetivos y funciones, su estructura y los lugares en los que se facilita información. Se completa con tres anejos dedicados a enlaces web de interés, el guión del plan de empresa y un modelo de estudio económico y financiero.

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Hoy en d??a, dif??cilmente se conoce el nombre de un bisabuelo o un tatarabuelo. Son tiempos de oscuridad, donde la acumulaci??n ingente de conocimientos y de informaci??n nos aleja, en cambio, de aquello fundamental. La 'educaci??n' aleja de los or??genes, hace perder la identidad, diluyendo y equiparando. El proceso resulta eficente porque es mediante un proceso de uniformizaci??n que se consigue aislarnos: se alcanza lo contrario de lo que se afirma prentender.