在多工位炉上CeO_2:Bi_12SiO_20单晶生长的研究（II）——空间生长实验部分

掺Ce：Bi_(12)SiO_(20)单晶在神舟3号(SZ-3)飞船上成功地进行了空间生长，得到晶体尺寸为φ10mmx40mm．将空间生长的晶体和地面生长晶体对比发现：空间生长晶体的外观同地面生长晶体有明显差异．分析测试空间和地面晶体的x射线摇摆曲线、吸收曲线和喇曼光谱，结果表明：空间生长掺Ce：BSO晶体的结构完整性优于地面生长的晶体，掺Ce对BSO晶体光学性能的影响空间制备晶体要大于地面制备的晶体

（111）A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性

为了研究(111)衬底的特性以及实现等边三角形微腔激光器，利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)研究了(111)A InP衬底上InGaAsP外延层的表面形貌和光学特性。考虑到(111)A InP衬底的悬挂键密度比较低，在生长过程中有意提高了V／III比。通过扫描电子显微镜(SEM)和光荧光(PL)谱分别研究了外延层的表面形貌和光学特性。实验发现，表面形貌和光学特性随V／III比和温度的变化非常大。最佳V／IlI比和温度分别为400和625℃。

InGaAlN四元合金的光学性质和低维结构

研究了用MOCVD方法生长InGaAlN四元合金材料的生长规律,发现生长温度在800～880 ℃, 其In组分随生长温度升高而降低. 用变温光致发光谱和时间分辨谱研究了InGaAlN的光学性质.光致发光谱表明InGaAlN的发光强度随温度衰减规律与InGaN类似,但比GaN慢,室温下比GaN的发光强度大1个数量级以上.时间分辨光谱表明,在InGaAlN中存在低维结构的铟聚集区--在没有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子盘的二维铟聚集区;而在有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子点的零维铟聚集区.