在多工位炉上CeO_2:Bi_12SiO_20单晶生长的研究（II）——空间生长实验部分
| Data(s) |
2004
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| Resumo |
掺Ce：Bi_(12)SiO_(20)单晶在神舟3号(SZ-3)飞船上成功地进行了空间生长，得到晶体尺寸为φ10mmx40mm．将空间生长的晶体和地面生长晶体对比发现：空间生长晶体的外观同地面生长晶体有明显差异．分析测试空间和地面晶体的x射线摇摆曲线、吸收曲线和喇曼光谱，结果表明：空间生长掺Ce：BSO晶体的结构完整性优于地面生长的晶体，掺Ce对BSO晶体光学性能的影响空间制备晶体要大于地面制备的晶体 掺Ce：Bi_(12)SiO_(20)单晶在神舟3号(SZ-3)飞船上成功地进行了空间生长，得到晶体尺寸为φ10mmx40mm．将空间生长的晶体和地面生长晶体对比发现：空间生长晶体的外观同地面生长晶体有明显差异．分析测试空间和地面晶体的x射线摇摆曲线、吸收曲线和喇曼光谱，结果表明：空间生长掺Ce：BSO晶体的结构完整性优于地面生长的晶体，掺Ce对BSO晶体光学性能的影响空间制备晶体要大于地面制备的晶体 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:06:25导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4738.pdf: 906564 bytes, checksum: e36b9fec45abb1beea61fdbe0794dc7e (MD5) Previous issue date: 2004 中国科学院上海硅酸盐研究所;中国科学院半导体研究所;中国科学院物理研究所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
周燕飞;王锦昌;唐连安;陈诺夫;陈万春.在多工位炉上CeO_2:Bi_12SiO_20单晶生长的研究（II）——空间生长实验部分,无机材料学报,2004,19(2):283-288 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
