InGaAlN四元合金的光学性质和低维结构
| Data(s) |
2004
|
|---|---|
| Resumo |
研究了用MOCVD方法生长InGaAlN四元合金材料的生长规律,发现生长温度在800～880 ℃, 其In组分随生长温度升高而降低. 用变温光致发光谱和时间分辨谱研究了InGaAlN的光学性质.光致发光谱表明InGaAlN的发光强度随温度衰减规律与InGaN类似,但比GaN慢,室温下比GaN的发光强度大1个数量级以上.时间分辨光谱表明,在InGaAlN中存在低维结构的铟聚集区--在没有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子盘的二维铟聚集区;而在有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子点的零维铟聚集区. 国家自然科学基金资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘祥林;董逊;黎大兵.InGaAlN四元合金的光学性质和低维结构,液晶与显示,2004,19(1):5-9 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
