不同能量氮氧共注入形成的多层SOI结构

将氮和氧离子在不同能量不依次注入于硅片，并经1200 ℃，2h高温退火后，形成具有含有中间硅层的夹心埋层SOI结构。对该样品做俄歇电子能谱（AES）、剖面透射电镜（XTEM）、二次离子质谱（SIMS）和击穿场强等测试，表明退火后形成具有Si-N-O、Si和Si_2O夹心埋层的SOI结构。其击穿场强最大为5 * 10~6V/cm，与普通剂量SIMOX的相当。测试还发现氮在界面处有明显的富集效应，而且其在前界面的富集行为明显大于其在后界面的。

铕离子注入氧化硅膜光发射的研究

采用铕离子注入热生长SiO_2薄膜的方法，获得掺杂剂量为10~(14) cm~(-2)及10~(15)cm~(-2)的SiO_2:Eu~(3+)硅基复合膜，研究了该薄膜的光致发光退火特性。经1000℃退火后观察到Eu~(3+)的红光发射。在1200℃下氮气中退火观察到Eu~(2+)450 nm的强光发射。讨论了Eu~(3+)向Eu~(2+)的转变。

气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究

用气态源分子束外延(GSMBE)法研究了Ge_xSi_(1-x)合金的低温(≤500℃)生长动力学问题，所使用的源分别是乙硅烷和固态锗。在恒定的乙硅烷流量(4sccm)Ge源炉温度(1200℃)下，合金中的Ge组分x随衬底温度的降低而升高；另一方面，当衬底温度(500℃)和乙硅烷流度升高到一定值以上时，x值不再随Ge源炉温度的升高而增大,而趋向于饱和在0.45附近。基于乙硅烷及H原子在Si原子和Ge原子表面上不同的吸附和脱附过程，定性地解释了上述生长动力学现象。

Architecture research and hardware implementation on simplified neural computing system for face identification

This paper describes a special-purpose neural computing system for face identification. The system architecture and hardware implementation are introduced in detail. An algorithm based on biomimetic pattern recognition has been embedded. For the total 1200 tests for face identification, the false rejection rate is 3.7% and the false acceptance rate is 0.7%.

A novel high sensitivity CE-PTHPT for optical fiber communication

Planar punch through heterojunction phototransistors with a novel emitter control electrode and ion- implanted isolation (CE-PTHPT) are investigated. The phototransistors have a working voltage of 3-10V and high sensitivity at low input power. The base of the transistor is completely depleted under operating condition. Base current is zero. The CE-PTHPT has an increased speed and a decreased noise. The novel CE-PTHPT has been fabricated in this paper. The optical gain of GaAlAs/GaAs CE-PTHPT for the incident light power 1.3 and 43nw with the wavelength of 0.8 mu m reached 1260 and 8108. The input noise current calculated is 5.46 x 10(-16) A/H-z(1/2). For polysilicon emitter CE-PTHPT, the optical gain is 3083 at the input power of 0.174 mu w. The optical gain of InGaAs/InP CE-PTHPT reaches 350 for an incident power of 0.3 mu w at the wavelength of 1.55 mu m. The CE-PTHPT detectors is promising as photo detectors for optical fiber communication system.

Photoluminescence of nanocrystalline SiC films prepared by rf magnetron sputtering

Amorphous Sic films are deposited on Si (111) substrates by rf magnetron sputtering and then annealed at 1200 degreesC for different times by a dc self-heating method in a vacuum annealing system. The crystallization of the amorphous Sic is determined by Raman scattering at room temperature and X-ray diffraction. The experimental result indicates that the Sic nanocrystals have formed in the films. The topography of the as-annealed films is characterized by atomic force microscopy. Measurements of photoluminescence of the as-annealed films show blue or violet light emission from the nanocrystalline Sic films and photoluminescence peak shifts to short wavelength side as the annealing time decreases.

Epitaxial growth of SiC on complex substrates

Epitaxial growth of SiC on complex substrates was carried out at substrate temperature from 1200 degreesC to 1400 degreesC. Three kinds of new complex substrates, c-plane sapphire, AlN/sapphire, and GaN/AlN/sapphire, were used in this study. We obtained a growth rate in the range of 1-6 mum/h. Thick (6 mum) SIC epitaxial layers with no cracks were successfully obtained on AlN/sapphire and GaN/AlN/sapphire substrates. X-ray diffraction patterns have confirmed that single-crystal SiC was obtained on these complex substrates. Analysis of optical transmission spectra of the SIC grown on sapphire substrates shows the lowest-energy gap near 2.2 eV, which is the value for cubic SiC. The undoped SIC showed n-type electrical conductivity. (C) 2001 Elsevier Science B.V. All rights reserved.

东北黑土有机碳、全氮空间分布及其特性研究

土壤有机碳、全氮的空间分布及特性研究一直是土壤学研究的热点，研究东北黑土有机碳、全氮的空间分布和特性可以为东北黑土退化机理及可持续利用提供理论依据。本文以东北黑土区1200个样点为基础，依据尺度分布理论，采用宏观统计分析和微观化学分析相结合，研究了黑土有机碳、全氮空间分布规律；黑土有机碳与其它养分之间的关系；黑土有机碳、全氮在团聚体中的富集以及黑土活性有机碳、氮的区域分布特性。本次研究是继第二次土壤普查以来对黑土有机碳系统研究，首次摸清了东北黑土有机碳库的现状和分布规律，及其与其它养分库的关系，采用经典统计学方法绘制了黑土有机碳空间分布图；对影响有机碳库和养分的驱动因素进行了分析，发现了黑土有机碳库的“经向”和“纬向”分布规律；总结了黑土有机碳库频数分布特征，以及自第二次土壤普查以来几十年间的变化。探讨了土壤有机碳空间分布的驱动因子，绘制了土壤有机碳、全氮的空间分布等值线图，阐明了土壤活性有机碳、氮库的空间分布对土壤有机碳库的贡献： 1、土壤有机碳、全氮水平空间分布在纬向上主要受温度控制，在经向上主要受水分控制，黑土有机碳与纬度的显著相关（r=0.70188, P<0.01），与黏粒显著正相关（r=0.43, P<0.01），与砂粒显著负相关（r=-0.44, P<0.01）。 2、土壤有机碳、全氮垂直空间分布在一定深度内受温度控制，水分状况作用较小，黏粒在深度剖面作用不显著，随着土壤深度的增加，土壤有机C和全N含量降低。 3、土壤团聚体组分中有机碳、全氮含量与纬度呈正相关关系，大团聚体和微团聚体更易受水热条件影响，大团聚体的有机碳富集因子E≥1的趋势明显而微团聚体及粉＋黏组分有机碳的富集因子E≤1的趋势明显，说明大团聚体中有机碳具有累积趋势而微团聚体和粉＋黏组分中有机碳处于消耗状态。 4、黑土其它养分的分布均非正态分布，有机碳与全磷、全钾、碱解氮、速效钾和速效磷之间的相关关系分别为0.795、-0.295、0.801、0.244和0.036，只有有机碳和速效磷之间没有相关性，而与其它养分在P<0.01水平呈显著相关。 5、土壤活性有机碳和活性有机氮随纬度增加活性组分增大，土壤活性有机碳的比例较小，说明黑土有机物料输入较低；黑土活性有机氮含量差别不大，说明微生物活动相似。

岷江上游干旱河谷景观变化研究

岷江上游干旱河谷是岷江上游地区的生态脆弱带和敏感区，也是存在问题最多，在山区治理中最关键和最困难的一种特殊地域类型，其显著特征是年降水少、蒸发量大、土壤贫瘠、植被稀少，是泥石流、滑坡、崩塌等自然灾害频发的区域，其恶劣的生态环境条件严重影响当地及下游的工农业生产和群众的生活。 基于RS和GIS，本文研究了岷江上游干旱河谷从1974到2000年间的景观变化情况。主要结论如下： 1.岷江上游干旱河谷高程介于1200-3200m之间，干旱河谷在坡度26º-35º之间分布最广，坡度大于25º的陡坡上干旱河谷的分布面积约占59%左右。干旱河谷边界的上限沿垂直方向迅速抬升,1974到2000年间岷江上游干旱河谷边界最高上限沿垂直方向抬升了53m，大约平均每年抬升2m。岷江上游干旱河谷边界的影响域为800米。 2.灌木林地的面积占整个景观面积的60%以上，构成了干旱河谷区的景观基质。耕地是干旱河谷中重要的景观类型,其变化幅度是所有景观类型中最大。耕地和居民用地斑块的平均面积和密度较小，形状简单。耕地大多分布在干旱河谷中海拔1700-3000m的区域，并且陡坡耕种比较严重；居民用地的分布在低海拔地区相对较密，在海拔高的地方分布较分散。 3.干旱河谷的面积在不断的扩大，1995-2000年间干旱河谷面积年变化速率与1974-1995年间相比有所降低。1974-1995年景观的破碎化程度和异质性程度增大，斑块内部的连通性降低；1995-2000年则表现出相反的趋势。具体表现为岷江上游干旱河谷景观的斑块密度、多样性指数先增大后减小，蔓延度指数先减小后增大，而边界密度和分维数一直减小。导致干旱河谷景观变化的驱动因素主要有：自然地理条件、人口增长和政策导向。 4.干旱河谷范围的扩大，对周围景观造成了深刻的影响，如果气候朝着干旱化加剧的方向发展，人为活动强度不断加大，岷江上游干旱河谷的潜在干旱化趋势和潜在次生干旱化趋势将加剧，干旱河谷范围可能进一步扩大。

碳化硅中氦离子高温注入引出的缺陷及其退火行为的光谱研究

6H-SiC single crystal specimens were implanted at 600 K with 100 KeV He ions to three successively increasing fluences and subsequently annealed at different temperatures ranging from 600℃ to 1200℃ in vacuum.After the annealing,the samples were investigated by using Raman scattering spectroscopy and photoluminescence spectrometry,respectively.Both of the two methods showed that the damage induced by helium-ion-implantation in the lattice is closely related to the dose.The thermal annealing brings about reco...中文摘要：对氦(He)离子高温(600K)注入6H-SiC中的辐照缺陷,在阶梯温度退火后演化行为的拉曼光谱和室温光致发光谱的特征进行了分析.这两种方法的实验结果表明,离子注入所产生晶格损伤的程度与注入剂量有关;高温退火导致损伤的恢复,不同注入剂量造成的晶格损伤需要不同的退火温度才可恢复.在阶梯温度退火下呈现出了点缺陷的复合、氦-空位团的产生、氦泡的形核、长大等特性.研究表明:高温(600K)注入在一定剂量范围内是避免注入层非晶化的一个重要方法,为后续利用氦离子注入空腔掩埋层吸杂或者制备低成本、低缺陷密度的绝缘层上碳化硅(SiCOI)材料提供了可能.

碳化硅中氦离子高温注入引入的缺陷及其退火行为的光谱研究

对氦(He)离子高温(600K)注入6H-SiC中的辐照缺陷,在阶梯温度退火后演化行为的拉曼光谱和室温光致发光谱的特征进行了分析.这两种方法的实验结果表明,离子注入所产生晶格损伤的程度与注入剂量有关;高温退火导致损伤的恢复,不同注入剂量造成的晶格损伤需要不同的退火温度才可恢复.在阶梯温度退火下呈现出了点缺陷的复合、氦-空位团的产生、氦泡的形核、长大等特性.研究表明:高温(600K)注入在一定剂量范围内是避免注入层非晶化的一个重要方法,为后续利用氦离子注入空腔掩埋层吸杂或者制备低成本、低缺陷密度的绝缘层上碳化硅(SiCOI)材料提供了可能.