气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究
| Data(s) |
1998
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| Resumo |
用气态源分子束外延(GSMBE)法研究了Ge_xSi_(1-x)合金的低温(≤500℃)生长动力学问题，所使用的源分别是乙硅烷和固态锗。在恒定的乙硅烷流量(4sccm)Ge源炉温度(1200℃)下，合金中的Ge组分x随衬底温度的降低而升高；另一方面，当衬底温度(500℃)和乙硅烷流度升高到一定值以上时，x值不再随Ge源炉温度的升高而增大,而趋向于饱和在0.45附近。基于乙硅烷及H原子在Si原子和Ge原子表面上不同的吸附和脱附过程，定性地解释了上述生长动力学现象。 国家八五计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘学锋;刘金平;李建平;孙殿照;孔梅影;林兰英.气态源分子束外延GeSi合金中的低温生长动力学研究,半导体学报,1998,19(5):389 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
