不同能量氮氧共注入形成的多层SOI结构
| Data(s) |
2002
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|---|---|
| Resumo |
将氮和氧离子在不同能量不依次注入于硅片，并经1200 ℃，2h高温退火后，形成具有含有中间硅层的夹心埋层SOI结构。对该样品做俄歇电子能谱（AES）、剖面透射电镜（XTEM）、二次离子质谱（SIMS）和击穿场强等测试，表明退火后形成具有Si-N-O、Si和Si_2O夹心埋层的SOI结构。其击穿场强最大为5 * 10~6V/cm，与普通剂量SIMOX的相当。测试还发现氮在界面处有明显的富集效应，而且其在前界面的富集行为明显大于其在后界面的。 国家自然科学基金委员会国家杰出青年基金的资助（No. 599252 5） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘相华;陈猛;刘忠立;王曦.不同能量氮氧共注入形成的多层SOI结构,功能材料与器件学报,2002,8(3):228-232 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
