The difference of Si doping efficiency in GaN and AlGaN in GaN-based HBT structure

An AlGaN/GaN HBT structure was grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) on sapphire substrate. From the high-resolution x-ray diffraction and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it was indicated that the structure is of good quality and the AlGaN/GaN interfaces are abrupt and smooth. In order to obtain the values of Si doping and electronic concentrations in the AlGaN emitter and GaN emitter cap layers, Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS) and electrochemical CV measurements were carried out. The results showed that though the flow rate of silane (SiH4) in growing the AlGaN emitter was about a quarter of that in growing GaN emitter cap and subcollector layer, the Si sputtering yield in GaN cap layer was much smaller than that in the AlGaN emitter layer. The electronic concentration in GaN was about half of that in the AlGaN emitter layer. It is proposed that the Si, Al co-doping in growing the AlGaN emitter layer greatly enhances the Si dopant efficiency in the AlGaN alloy. (c) 2006 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co KGaA, Weinheim.

Deep levels in high resistivity GaN epilayers grown by MOCVD

Undoped high resistivity (HR) GaN epilayers were grown on (0001) sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Thermally stimulated current (TSC) and resistivity measurements have been carried out to investigate deep level traps. Deep levels with activation energies of 1.06eV and 0.85eV were measured in sample 1. Gaussian fitting of TSC spectra showed five deep levels in different samples. (c) 2006 WILEY VCH Vertag GmbH & Co. KGaA, Weinheim

Research on the band-gap of InN grown on siticon substrates

Photoluminescence (PL) and absorption experiments were carried out to examine the fundamental band-gap of InN films grown on silicon substrates. A strong PL peak at 0.78 eV was observed at room temperature, which is much lower than the commonly accepted value of 1.9 eV. The integrated PL intensity was found to depend linearly on the excitation laser intensity over a wide intensity range. These results strongly suggest that the observed PL is related to the emission of the fundamental inter-band transitions of InN rather than to deep defect or impurity levels. Due to the effect of band-filling with increasing free electron concentration, the absorption edge shifts to higher energy. (c) 2006 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy

High structural and optical quality 1.3 mu m GaInNAs/GaAs quantum well (QW) samples with 42.5% indium content were successfully grown by molecular beam epitaxy. The growth of well layers was monitored by reflection high-energy electron diffraction (RHEED). Room temperature photoluminescence (PL) peak intensity of the GaIn0.425NAs/GaAs (6 nm / 20 nm) 3QW is higher than, and the full width at half maximum (FWHM) is comparable to, that of In0.425GaAs/GaAs 3QW, indicating improved optical quality due to strain compensation effects by introducing N to the high indium content InGaAs epilayer. The measured (004) X-ray rocking curve shows clear satellite peaks and Pendellosung fringes, suggesting high film uniformity and smooth interfaces. The cross sectional TEM measurements further reveal that there are no structural defects in such high indium content QWs. (c) 2006 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Growth and photoluminescence of InAlGaN films

Two quaternary InAlGaN films were grown by metal-organic chemical-vapor deposition (MOCVD) on sapphire (0001) substrates with and without high-temperature GaN interlayer, respectively. The structural and optical properties of the quaternary films were investigated by high-resolution X-ray diffraction (HRXRD), high-resolution electron microscopy (HREM), temperature-dependent photoluminescence (PL) spectroscopy and time-resolved photoluminescence (TRPL) spectroscopy. According to the HRXRD and PL results, it is demonstrated that two samples have the same crystal quality. The TRPL signals of both samples were fitted well as a stretched exponential decay from 14 K to 250 K, indicating significant disorder in the materials, which is attributed to recombination of excitons localized in disorder quantum nanostructures such as quantum dots or quantum disks originating from indium (In) clusters or In composition fluctuation. The cross-section HREM measurement further proves that there exist disorder quantum nanostructures in the quaternary. By investigating the temperature dependence of the dispersive exponent beta, it is shown that the stretched exponential decays of the two samples originate from different mechanisms. (C) 2003 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Reduction in crystallographic tilt of lateral epitaxial overgrown GaN by using new patterned shape mask

We proposed a new method to suppress the crystallographic tilt in the lateral epitaxial overgrowth of GaN by using an oxide mask with a newly designed pattern. A rhombus mask with edges oriented in the direction of <10 - 10>(GaN) was used instead of the traditional stripe mask. The morphology evolution during the LEO GaN with the rhombus mask was investigated by SEM, and the crystallographic tilt in the LEO GaN was measured by DC-XRD. It is found that using the new rhombus mask can decrease the crystallographic tilt in the LEO GaN. In addition, this method makes the ELO GaN stripes easy to coalesce. (C) 2003 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Annealing ambient controlled deep defect formation in InP

Deep defects in annealed InP have been investigated by deep level transient capacitance spectroscopy (DLTS), photo induced current transient spectroscopy (PICTS) and thermally stimulated current spectroscopy (TSC). Both DLTS results of annealed semiconducting InP and PICTS and TSC results of annealed semi-insulating InP indicate that InP annealed in phosphorus ambient has five defects, while lid? annealed in iron phospbide ambient has two defects. Such a defect formation phenomenon is explained in terms of defect suppression by the iron atom diffusion process. The correlation of the defects and the nature of the defects in annealed InP are discussed based on the results.

Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy

The in-plane optical anisotropy of several GaAs/AlGaAs quantum well samples with different well widths has been measured at room temperature by reflectance-difference spectroscopy (RDS). The RDS line shapes are found to be similar in all the samples examined here, which dominantly consist of two peak-like signals corresponding to 1HH-->1E and 1LH-->1E transition. As the well width is decreased, or the 1 ML InAs layer is inserted at one interface, the intensity of the anisotropy increases quickly. Our detail analysis shows that the anisotropy mainly arises from the anisotropic interface roughness. The results demonstrate that the RDS technique is sensitive to the interface structures.

Quantum computing

Quantum computing is a quickly growing research field. This article introduces the basic concepts of quantum computing, recent developments in quantum searching, and decoherence in a possible quantum dot realization.

The photon scanning tunneling microscope and its applications

A simple photon scanning tunneling microscope (PSTM) is described. Its lateral resolution (similar to 10nm with a maximal scanning range of 10 mu m x 10 mu m ) is much better than that of a conventional optical microscope. Its principle, the fiber optic tip fabrication and PSTM images of different samples such as mica, HDPE and LiNbO3 are presented.

Proposta de manejo de Memora peregrina - a Ciganinha.

A "ciganinha", cientificamente conhecida como Memora peregrina (Miers) Sandwith (Bignoniaceae), presente em diversas áreas de cerrado do Brasil Central, vem sendo um sério problema como invasora de pastagens cultivadas, em especial, quando estas já se encontram em adiantado estado de degradação. Nunes (1999) descreve-a como um arbusto, com ramos semilenhosos, entouceirado, ereto, que atinge a altura entre 100 e 150 centímetros. Apresenta inflorescências vistosas com flores amarelas semelhantes às do ipê-amarelo, o que contribuía para que, até recentemente, fosse catalogada apenas como planta ornamental (LORENZI; SOUZA, 1995). O principal período de florada ocorre na primavera e no verão, embora a presença de flores pode ser observada, praticamente, em qualquer época do ano. Sua reprodução se dá por sementes aladas, contidas em camadas sobrepostas no interior de uma cápsula com aspecto de uma longa vagem e, também, por processo vegetativo. Esse último ocorre pela ativação de gemas latentes presentes no caule, tanto em sua parte aérea quanto na subterrânea, em resposta ao seu eventual fracionamento ou quando este sofre lesões de qualquer natureza, especialmente por tratos mecânicos. Pouco se conhece sobre M. peregrina, porque mesmo em pastagens com gramíneas nativas e/ou naturalizadas, como Paspalum notatum (grama batatais ou mato-grosso), Melinis minutiflora (capimgordura) ou Hyparrhenia rufa (capim-jaraguá), manejadas há décadas com roçadeiras ou fogo, essa planta não é considerada problema. A ciganinha só assumiu o status de praga anos depois da implantação de pastagens cultivadas com uso de arados, grades de aração e subsoladores, sendo, em muitos casos, indicadora de pastagens degradadas ou em processo de degradação.

Metodologia para seleção de hortaliças com resistência a nematóides: cenoura/Meloidogyne spp.

Etiologia; Sintomatologia; Variabilidade de espécies dos nematóides; Produção de inóculo; Metodologia de avaliação da resistência; Fator de reprodução dos nematóides (FR); Percentagem de infecção de raízes comerciais; Avaliação da resistência das progênies na Embrapa Hortaliças.

Caracterização de isolados de Phytophthora infestans obtidos de tomateiro.

O tomateiro (Solanum lycopersicum L. = Lycopersicon esculentum Mill.) é uma das plantas oleráceas mais cultivadas no Brasil e o seu fruto, o tomate, é uma das olerícolas mais consumidas na mesa do brasileiro e muito usado pela agroindústria. Uma das doenças do tomateiro mais temidas pelos produtores é a requeima, causada pelo fungo Phytophtora infestans, que provoca grande destruição na cultura em pouco tempo. Este trabalho teve o objetivo de caracterizar isolados de P. infestans, coletados de tomateiros, quanto ao grupo de compatibilidade, à virulência e à resistência ao fungicida mefenoxan. Vinte e seis isolados foram caracterizados quanto ao grupo de compatibilidade; 24 foram caracterizados quanto à resistência ao mefenoxan; e determinou-se o espectro de virulência de 14 isolados. Todos os 26 isolados testados foram classificados como do grupo A1 de compatibilidade. Em relação à virulência, todos os isolados foram virulentos à cultivar de tomate 'IPA-5'. A maioria foi virulenta em plantas de tomate com os genes Ph1 (92,86%) ou Ph2 (78,57%) e uma pequena parte dos isolados foram virulentos em plantas com o gene Ph3 (21,43%). Quanto à resistência ao mefenoxan, a freqüência de isolados sensíveis, intermediários e resistentes foram de 16,67%, 16,67% e 66,66%, respectivamente. Há evidências da não-reprodução sexuada e formação de oósporos nos campos de tomate do país, retardando o aparecimento da doença. Devido a um maior número de isolados resistentes ao mefenoxan, o controle da requeima com este fungicida pode ser ineficiente em campo. Uma vez que o patógeno apresentou um amplo espectro de virulência, a utilização de cultivares com resistência vertical a requeima não é recomendada. O manejo integrado da requeima é a forma mais eficaz de se controlar a doença.

Comparação da taxas de crescimento populacional em artrópodes utilizando testes permutacionais.

Taxas de crescimento populacional são importantes indicadores em estudos sobre a eficiência de espécies de artrópodes como agentes de controle biológico e aspectos de biossegurança relacionados ao possível impacto de agentes biológicos sobre artrópodes não alvo (MAIA et al., 2000). Nesses estudos, dados de oviposição e sobrevivência de cada um dos tratamentos avaliados são condensados em tabelas de vida e fertilidade (TBVF), para posterior estimação dos parâmetros populacionais: taxa líquida de reprodução (Ro), taxas intrínsecas de crescimento (Rm), tempo de duplicação (Dt), intervalo entre geraçãoes (T) e razão finita de crescimento (Lambda). Os testes estatísticos para comparação de grupos com relação a esses parâmetros requerem a quantificação das incertezas (variância, erro padrão, intervalos de confiança) associada às suas respectivas estimativas, em cada grupo. As estimativas dessas incertezas são tradicionalmente obtidas utilizando o método jackknife. Como alternativa aos testes que utilizam estimativas jackknife da variância, propomos o uso de testes permutacionais (MANLY, 1991). Os testes permutacionais (TP) utilizam distribuições empíricas, geradas via alocações aleatórias das unidades experimentais aos tratamentos (grupos). Tais distribuições empíricas são utilizadas testar hipóteses sobre os parâmetros de interesse.

Flotado de efluentes de frigorífico de suínos e aves - 1. Composição química.

2006