Cancer classification based on direction-basis-function neural networks

Automatic molecular classification of cancer based on DNA microarray has many advantages over conventional classification based on morphological appearance of the tumor. Using artificial neural networks is a general approach for automatic classification. In this paper, Direction-Basis-Function neuron and Priority-Ordered algorithm are applied to neural networks. And the leukemia gene expression dataset is used as an example to testify the classifier. The result of our method is compared to that of SVM. It shows that our method makes a better performance than SVM.

Design and Realization of Index-Coupled DFB Laser with Sampled Grating

An index-coupled distributed feedback laser with the sampled grating has been designed and fabricated. The +1(st) order reflection of the sampled grating is utilized for laser single mode operation, which is 1.5329 mu m in the experiment. The sampled grating is formed by a conventional holographic exposure combined with the usual photolithography. The typical threshold current of DFB laser with the sampled grating is 25mA, and the optical output is about 10mW at the injected current of 100mA.

A New Edge-Coupled Two-Terminal Double Heterojunction Phototransistor (ECTT-DHPT) and Its DC Characteristics

A new ECTT-DHPT with InGaAsP(lambda=1.55 mu m) as base and InGaAsP(lambda=1.3 mu m) as collector as well as waveguide was designed and fabricated, the DC characteristics reveal that the ECTT-DRPT can perform good optoelectronic mix operation and linear amplification operation by optically biased at two appropriate value respectively. Responsivity of more than 52A/W and dark current of 70nA (when V-ce=1V) were obtained.

An Improved Selective Area Growth Method in Fabrication of Electroabsorption Modulated Laser

An improved selective area growth (SAG) method is proposed to better the fabrication and performance of the Electroabsorption modulated laser The typical threshold current of the EML is 18mA, and the output power is 5.6mW at EAM facet.

Highly efficient and stable organic light-emitting diodes employing MoO3-doped perylene-3, 4, 9, 10-tetracarboxylic dianhydride as hole injection layer

We report highly efficient and stable organic light-emitting diodes (OLEDs) with MoO3-doped perylene-3, 4, 9, 10-tetracarboxylic dianhydride (PTCDA) as hole injection layer (HIL). A green OLED with structure of ITO/20 wt% MoO3: PTCDA/NPB/Alq(3)/LiF/Al shows a long lifetime of 1012 h at the initial luminance of 2000 cd/m(2), which is 1.3 times more stable than that of the device with MoO3 as HIL. The current efficiency of 4.7 cd/A and power efficiency of 3.7 lm/W at about 100 cd/m(2) have been obtained. The charge transfer complex between PTCDA and MoO3 plays a decisive role in improving the performance of OLEDs.

Tandem organic light-emitting diodes with an effective charge-generation connection structure

The tandem organic light-emitting diodes (OLEDs) with an effective charge-generation connection structure of Mg-doped tris(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq(3))/Molybdenum oxide (MoO3)-doped 3, 4, 9, 10-perylenetetracarboxylic dianhydride (PTCDA) were presented. At a current density of 50 mA/cm(2), the current efficiency of the tandem OLED with two standard NPB/Alq(3) emitting units is 4.2 cd/A, which is 1.7 times greater than that of the single EL device. The tandem OLED with the similar connection structure of Mg-doped PTCDA/MoO3-doped PTCDA was also fabricated and the influences of the different connection units on the current efficiency of the tandem OLED were discussed as well.

跨数据域迁移学习及相关问题的研究

在过去的二十年中，数据挖掘和机器学习受到了越来越多的关注。 这很大程度上是因为在互联网时代信息传播和积累的速度越来越快， 人工处理数据越来越困难，智能化及自动化的数据处理能力成为迫切的需求。 为此人们设计了很多学习算法，希望计算机能具有人类的学习能力，即只要训练一次，就 可以自动处理数据。 尽管这种学习能力已经在很多成功的应用中得到了验证，但它建立在一个重要的假设基础上，即训练数据与目标数据的一致性。 这意味着：根据训练数据得到的模型只适用于具有同样分布的目标数据。如果需要完成一个新的任务， 即使是与原任务非常相近的任务，原来训练好的模型也可能会失效。但是如果重新提供训练数据必将付出很高的成本。 因为两个任务之间存在的相似性，在新任务的训练过程中彻底丢弃原有的训练数据也是非常不合理的。 考虑到数据来源的差异性和训练数据的时效性在实际应用中普遍存在，有必要寻找更有效的解决途径。 迁移学习的提出正是为了解决上面的问题。传统的学习过程实际上是实现了从人到机器的知识迁移。 迁移学习则是研究从一个学习任务到另一个学习任务的知识迁移，以提高知识利用的效率。 这样的知识迁移将在缺乏训练数据和训练数据时效较短的情况下 大大降低学习的成本并提高学习的效率和自动化程度。 本文从跨数据域迁移学习入手，研究无监督迁移学习技术，以及在数据流环境下的有监督迁移学习技术， 在以下三个方面做出了创新性贡献： 在迁移学习中首次提出利用最大间隔方法在没有目标数据域的训练数据的情况下完成分类任务。 提出了两种算法，以迭代优化技术为基础，分别在函数层以及参数层实现了辅助任务到目标任务的知识迁移。 在多个公开的数据集中的实验表明，两种算法的分类准确率均优于现有的迁移学习算法。 在数据流分类任务中，针对概念漂移问题首次提出对概念漂移进行建模，来设计一种 可以自动适应数据分布变化的动态分类器。作为一种新的分类框架，可用于logistic regression和SVM等诸多分类模型。在实验中表明，所提出的算法有效避免了传统滑动 窗口方法导致的数据过拟合，实现了较高的分类准确率。 提出在具有多个节点的传感器网络中进行异常检测的新方法。利用主成分分析对数据空间进行变换，并根据能量阈值 对数据空间进行划分，构建异常子空间， 根据数据在异常子空间上的投影来检测异常数据点。基于数据点在异常子空间上的投影信息还可以进一步对异常来源 进行定位，并度量异常的大小。在实验中所提出的方法展现了较强的异常检测能力。

面向空间应用的图像压缩技术研究

在空间图像传感器技术向高分辨率、高精度的应用领域迈进的同时，图像数据量的增长向空间飞行器数据存储和传输设备的性能提出了挑战。 为了解决图像质量和系统瓶颈之间的矛盾， 在地面广泛应用的图像压缩技术也在空间领域逐步取得应用。 空间传感图像的关键性和复杂性使得空间图像系统的设计倾向于选择无损或近无损的图像压缩技术。 尽管本文研究的目的是针对特定工程项目进行图像压缩算法的选型和实现，对空间图像压缩技术特点和算法选型策略进行总结也是本文的一项重要任务。JPEG-LS和CCSDS分别是基于预测的编码技术和基于变换的编码技术的典型代表，两者同样支持图像的无损/有损压缩；同样具有较高的压缩率和较低的复杂度；同样便于软硬件实现，并且已经在国内外的空间项目中获得应用。本文对这两种算法原理进行了详细的研究， 并在此基础上对两者的性能和适用环境进行了对比。本文总结了两种算法各自的优点，并提出了对算法局限性的改进方案。 FPGA在图像处理领域一直具有性能方面的优势。近年来随着技术的成熟，FPGA在空间设备中逐渐获得广泛应用。本文对选定的空间图像压缩算法进行了FPGA 实现，并在硬件平台上对算法进行了验证。测试结果表明，本文提出的FPGA实现性能超过国内外其它 FPGA实现，并接近甚至超过部分 ASIC实现。

基于需求变更的软件缺陷预测方法

软件缺陷对于软件质量以及软件项目的成本等都有非常重要的影响。软件缺陷预测技术从20世纪70年代发展至今,一直是软件工程领域最活跃的内容之一,在分析软件质量、控制软件成本方面起着重要的作用。软件缺陷预测技术分为静态和动态两种，其中基于软件度量元的静态缺陷预测技术是现今比较成熟且应用比较广泛的技术，它通过对缺陷相关的软件产品，例如代码，进行度量元的提取和计算，建立预测的模型以预测后期可能引入的缺陷。随着数据挖掘技术的成熟，越来越多的静态缺陷预测方法开始对软件项目历史数据进行分析和建模，挖掘这些历史数据以预测缺陷被证明是更加精确和可靠的。 但是，现有缺陷预测技术大都需要对软件的设计、代码或者测试等相关的活动进行分析，无法在软件生命周期的早期活动，例如需求活动，通过预测这些活动引起的潜在的缺陷的分布、类型和规模，从而为软件过程的后续活动提供早期预警以及有意义的依据和参考。本文提出了一种基于需求变更的软件缺陷预测方法，这种方法以迭代开发的升级性项目为应用对象，使用信息检索和数据挖掘相关技术，分析和处理升级项目中的历史需求文档和缺陷记录数据，建立支持向量机（SVM）分类预测模型，从而对后续版本的需求变更可能引入的缺陷进行预测。 本文深入细致的研究了现有的缺陷预测技术，分析并对比了这些技术的应用范围、特点和局限性，在此基础上提出了一种新的基于需求变更的软件缺陷预测方法。本方法使用信息检索技术关联匹配软件项目历史需求和历史缺陷，并根据历史需求所关联的缺陷分布属性将这些需求分类，之后对需求进行特征即度量元的提取和计算，从而建立SVM分类模型。当新的需求变更发生时可以使用建立的模型预测其分类，以此预测可能引入的缺陷。本文还介绍了基于需求变更的缺陷预测系统的核心功能设计与实现，并在最后通过使用一个实际的商业软件项目数据集对方法和系统进行了验证。在实验中预测系统表现了较高的精确度，可以提供较为可靠的缺陷预测结果，这些预测结果可以为软件项目中需求开发提供有效的变更影响分析，为控制软件成本和项目风险提供有效的决策支持。

蟾蜍皮肤活性蛋白与多肽的研究

近年来，我们致力于蟾蛛（Bufo andrewski）皮肤活性组份的研究，构建了缥蛛皮肤cDNA文库，检测了蟾蛛皮肤分泌液中多种生物活性，进一步纯化得到了四个新的生物活性蛋白：溶菌酶、抗爱滋病毒蛋白以及两个丝氨酸蛋粼酶抑制剂，并，简述如下；I、第三章报导了我们从蟾蛛皮肤分泌液中分离得到的一个谊薇酚犷杰女呱BA一娜"zym"）·BA一lvs"Zym"经5DS一PAGE检测为一条带，其分子量约为巧k珍。·它是一个高效的溶菌酶，每毫克蛋白的溶菌活性为2．7xl护俪ts，还能抑制革兰氏阳性菌（金黄色葡萄球菌Slaj，匆褚ococcusaureus）和革兰氏阴性菌（大肠杆菌Esch邵ichiacoli）生长，其最小抑菌浓度（MIC）分别为1．36拼M和84并M。使用PCR筛选法，我们从蟾蛛皮肤c溯A文库中克隆得到编码BA一lyso即me的cDNA序列。BA一lysozymeN末端测序和肤质量图谱确认了蛋白和基因的网一性。它的蛋白全序列与鸡溶菌酶的相似性为5氏5％。系统发育分析显示，与其最相似的是来源于海龟的溶菌酶。11、第四章介绍了我们从蟋蛛皮肤分泌液中分离得到的一个新的抗lllV蛋白，命名为BAS一AH。BAS一AH是一个分子量为63kD。的单链蛋白，每摩尔蛋白质含有0．89摩尔血红素辅基。BAS一AH对人T淋巴细胞系CS166细胞的毒性（CCS。）为9．5尽M。BAs一AH具有较强的抗HIV活性，它对HIV感染和复制具有剂量依赖抑制效应，其选择指数（CCso／Ecs。）分别为14．4和11．4·BAS一麟J也能抑制HIV的逆转录酶，其1C5（）为L32冬以。BAs一AH的N末端氨基酸为NA以KADvIGKIsILLGQDI』slvAAM，与己知的抗Hlv蛋白没有同源性·表明它可能是一个新的抗川v蛋自。BAs一AH没有检测到抗菌活性、蛋自酶水解活性、胰蛋自酶抑制剂活性、L一氨基酸氧化酶活性和过氧化氢酶活性。班、第五伞报导了我们通过离子交换、分子筛和反向层析，从蟾赊皮肤中分离得到的一个新的胰蛋白酶抑制剂，命名为BATI。BATI是一个单链糖蛋自·其分子量为22kD。。它是吵～个热稳定的竞争性的抑制剂，能有效抑制胰蛋自酶·其抑制常数凡为14nM。B灯I对凝血酶、弹性蛋白酶以及糜蛋白酶都没有抑制作用。BATI的N末端序列为El犯ITD，不同于其它物种来源的蛋白酶抑制剂。W、第六章介绍了蟾蛛皮肤分泌液中纯化得到的另外一个蛋白酶抑制剂（命名为baserpin）。与上述BATI不同的是，basel咖n不可逆地抑制多种蛋白酶。它是一个分子量约为60kDa的单链糖蛋白，除了能抑制胰蛋白酶，还能有效抑制糜蛋白酶和弹性蛋白酶。它抑制上述三种酶的二级反应常数（编）分别为4．6x1护M一，s一l、8．9》1护M一15一I以及6．8xl护M一ls一l。BaserPin是第一个来源于两栖类皮肤的不可逆抑制剂，其N末端氨基酸序列为HTQYPDILIAKPxDK，与其它物种来源的蛋白酶抑制剂不同。本论文综述了蟾蛛皮肤中的活性组份，报导了我们近年来研究蟾蛛皮肤活性蛋白与多肤的进展，分四章详细介绍了蟾蛛皮肤中纯化得到的四个活性蛋白。BA一lysozyme是两栖类动物中第一个得到蛋白质全序列的溶菌酶，能有效抑制革兰氏阳性菌和革兰氏阴性菌生长；BA象AH是一个含血红素辅基的抗HIV蛋白，其独特的理化性质和功能证明它是一个新的抗病毒蛋白。根据所鉴定的性质判断，BATI和bos仰in分别属于竞争性抑制剂和不可逆抑制剂。其中，base印in是第一个从两栖类皮肤中分离得到的不可逆抑制剂。

Polycrystalline silicon thin films and solar cells prepared by rapid thermal CVD

Polycrystalline silicon (poly-Si) films(similar to 10 mu m) were grown from dichlorosilane by a rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD) technique, with a growth rate up to 100 Angstrom/s at the substrate temperature (T-s) of 1030 degrees C. The average grain size and carrier mobility of the films were found to be dependent on the substrate temperature and material. By using the poly-Si films, the first model pn(+) junction solar cell without anti-reflecting (AR) coating has been prepared on an unpolished heavily phosphorus-doped Si wafer, with an energy conversion efficiency of 4.54% (AM 1.5, 100 mW/cm(2), 1 cm(2)).

Effect of temperature on implant isolation characteristics of AlGaAs/GaAs multilayer heterojunction structure

Thermally stable high-resistivity regions have been formed using hydrogen ion implantation at three energies (50, 100, and 180 keV) with three corresponding doses (6 X 10(14) 1.2 X 10(15), and 3 X 10(15) cm(-2)), oxygen implantation at 280keV with 2 X 10(14) cm(-2) as well as subsequent annealing at about 600 degrees C for 10-20s, in AlGaAs/GaAs multiple epitaxial heterojunction structure. After anncaling at 600 degrees C, the sheet resistivity increases by six orders more of magnitude from the as-grown values. This creation of high resistivity is different from that of the conventional damage induced isolation by H or O single implantation which becomes ineffective when anneal is carried out at 400-600 degrees C and the mechanism there of is discussed.

X-ray diffraction study of GaAs/InAs/GaAs ultrathin single quantum well

Ultrathin single quantum well (about one monolayer) grown on GaAs(001) substrate with GaAs cap layer has been studied by high resolution x-ray diffractometer on a beamline of the Beijing Synchrotron Radiation Facility. The interference fringes on both sides of the GaAs(004) Bragg peak are asymmetric and a range of weak fringes in the higher angle side of the Bragg peak is observed. The simulated results by using the kinematical diffraction method shows that the weak fringe range appears in the higher angle side when the phase shift introduced by the single quantum well is very slightly smaller than m pi (m:integer), and vice versa. After introducing a reasonable model of single quantum well, the simulated pattern is in good agreement with the experiment. (C) 1996 American Institute of Physics.

Growth of GaAs on Si by using a thin Si film as buffer layer

We report a novel technique for growing high-quality GaAs on Si substrate. The process involves deposition of a thin amorphous Si film prior to the conventional two-step growth. The GaAs layers grown on Si by this technique using metalorganic chemical vapor deposition exhibit a better surface morphology and higher crystallinity as compared to the samples gown by conventional two-step method. The full width at half maximum (FWHM) of the x-ray (004) rocking curve for 2.2 mu m thick GaAs/Si epilayer grown by using this new method is 160arcsec. The FWHM of the photoluminescence spectrum main peak for this sample is 2.1 meV. These are among the best results reported so far. In addition, the mechanism of this new growth method was studied using high-resolution transmission electron microscopy.