Pintura e Ironía. La interrogación irónica en la expresión pictórica

Tesis con Mención de Doctor Internacional

O osso e o sopro: uma introdução à teoria da pintura chinesa do período das Seis Dinastias

A presente pesquisa trata da formação da teoria da pintura durante o período das Seis Dinastias, que ocupa o período que vai do ano 229 ao ano 589 da era presente. São discutidos quatro teóricos principais: Gu Kaizhi, Zong Bing, Wang Wei e Xie He. Além disto, apresentamos uma tradução diretamente do chinês para os textos de cada um dos autores analisados. No decorrer de nossa análise tentaremos demonstrar os elos de continuidade existentes entre os diversos teóricos, baseando-nos nas evidências textuais. Além disto, enfatizaremos o fato de ser este o período em que se forma a teoria da pintura chinesa. O período inicial da história dessa teoria é o tema desta pesquisa

75 mW robust single frequency Yb-doped DFB fiber Bragg grating laser

Incorporating the shielded method and post-processing method, a 75 mW single frequency Yb-doped DFB fiber laser was obtained with a 250 mW laser diode pump source at 978 nm. The threshold of the laser is 2 mW. The laser is single-polarization operation and the output power fluctuation is less than 0.2 mW in one hour when the pump power is 250 mW.

Artes do acaso e composições com o caos: a experimentação vida da pintura figural

Esta pesquisa tem como ponto de partida a abordagem que o filósofo francês Gilles Deleuze (1925-1995) faz da pintura, e concentra-se na argumentação desenvolvida em seu livro Francis Bacon, logique de la sensation. Além da análise lógica e conceitual da sensação, privilegia-se aqui o enfoque deleuziano do processo pictórico de Francis Bacon, naquilo em que este envolve a manipulação do acaso , e busca-se relacioná-lo com a questão do enfrentamento do caos , tal como se apresenta no livro de Deleuze e Félix Guattari Quest- ce que la philosophie? Neste trabalho é de grande importância a compreens ão do problema da representação na obra deleuziana. Trata-se de pensar em como este problema se traduz na destruição dos clichês e da recognição, mas sobretudo na afirmação das forças da vida, da criação, da diferença e da liberdade.

Conexiones entre la pintura abstracta y la naturaleza: formas, procesos, funciones y estrategias. Análisis y desarrollo experimental

674 p.

Pintura como proceso de individuación. Caracterización y enseñanza

402 p.

Metamorphic InGaAs p-i-n Photodetectors with 1.75 mu m Cut-Off Wavelength Grown on GaAs

Top-illuminated metamorphic InGaAs p-i-n photodetectors (PDs) with 50% cut-off wavelength of 1.75 mu m at room temperature are fabricated on GaAs substrates. The PDs are grown by a solid-source molecular beam epitaxy system. The large lattice mismatch strain is accommodated by growth of a linearly graded buffer layer to create a high quality virtual InP substrate indium content in the metamorphic buffer layer linearly changes from 2% to 60%. The dark current densities are typically 5 x 10(-6) A/cm(2) at 0 V bias and 2.24 x 10(-4) A/cm(2) at a reverse bias of 5 V. At a wavelength of 1.55 mu m, the PDs have an optical responsivity of 0.48 A/W, a linear photoresponse up to 5 mW optical power at -4 V bias. The measured -3 dB bandwidth of a 32 mu m diameter device is 7 GHz. This work proves that InGaAs buffer layers grown by solid source MBE are promising candidates for GaAs-based long wavelength devices.

Passively mode-locking Nd : Gd0.5Y0.5VO4 laser with an In(0.25)Ga(0.75)Aa absorber grown at low temperature

We have demonstrated stable self-starting passive mode locking in a diode-end-pumped Nd:Gd-0.8-Y0.5VO4 laser by using an In0.25Ga0.75As absorber grown at low temperature (LT In0.25Ga0.75As absorber). An In0.25Ga0.75As single-quantum-well absorber, which was grown directly on the GaAs buffer by use of the metal-organic chemical-vapor deposition technique, acts simultaneously as a passive mode-locking device and as an output coupler. Continuous-wave mode-locked pulses were obtained at 1063.5 nm. We achieved a pulse duration of 2.6 ps and an average output power of 2.15 W at a repetition rate of 96.4 MHz. (c) 2005 Optical Society of America.