The difference of Si doping efficiency in GaN and AlGaN in GaN-based HBT structure

An AlGaN/GaN HBT structure was grown by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) on sapphire substrate. From the high-resolution x-ray diffraction and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it was indicated that the structure is of good quality and the AlGaN/GaN interfaces are abrupt and smooth. In order to obtain the values of Si doping and electronic concentrations in the AlGaN emitter and GaN emitter cap layers, Secondary Ion Mass Spectroscopy (SIMS) and electrochemical CV measurements were carried out. The results showed that though the flow rate of silane (SiH4) in growing the AlGaN emitter was about a quarter of that in growing GaN emitter cap and subcollector layer, the Si sputtering yield in GaN cap layer was much smaller than that in the AlGaN emitter layer. The electronic concentration in GaN was about half of that in the AlGaN emitter layer. It is proposed that the Si, Al co-doping in growing the AlGaN emitter layer greatly enhances the Si dopant efficiency in the AlGaN alloy. (c) 2006 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co KGaA, Weinheim.

Deep levels in high resistivity GaN epilayers grown by MOCVD

Undoped high resistivity (HR) GaN epilayers were grown on (0001) sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Thermally stimulated current (TSC) and resistivity measurements have been carried out to investigate deep level traps. Deep levels with activation energies of 1.06eV and 0.85eV were measured in sample 1. Gaussian fitting of TSC spectra showed five deep levels in different samples. (c) 2006 WILEY VCH Vertag GmbH & Co. KGaA, Weinheim

Research on the band-gap of InN grown on siticon substrates

Photoluminescence (PL) and absorption experiments were carried out to examine the fundamental band-gap of InN films grown on silicon substrates. A strong PL peak at 0.78 eV was observed at room temperature, which is much lower than the commonly accepted value of 1.9 eV. The integrated PL intensity was found to depend linearly on the excitation laser intensity over a wide intensity range. These results strongly suggest that the observed PL is related to the emission of the fundamental inter-band transitions of InN rather than to deep defect or impurity levels. Due to the effect of band-filling with increasing free electron concentration, the absorption edge shifts to higher energy. (c) 2006 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy

High structural and optical quality 1.3 mu m GaInNAs/GaAs quantum well (QW) samples with 42.5% indium content were successfully grown by molecular beam epitaxy. The growth of well layers was monitored by reflection high-energy electron diffraction (RHEED). Room temperature photoluminescence (PL) peak intensity of the GaIn0.425NAs/GaAs (6 nm / 20 nm) 3QW is higher than, and the full width at half maximum (FWHM) is comparable to, that of In0.425GaAs/GaAs 3QW, indicating improved optical quality due to strain compensation effects by introducing N to the high indium content InGaAs epilayer. The measured (004) X-ray rocking curve shows clear satellite peaks and Pendellosung fringes, suggesting high film uniformity and smooth interfaces. The cross sectional TEM measurements further reveal that there are no structural defects in such high indium content QWs. (c) 2006 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Growth and photoluminescence of InAlGaN films

Two quaternary InAlGaN films were grown by metal-organic chemical-vapor deposition (MOCVD) on sapphire (0001) substrates with and without high-temperature GaN interlayer, respectively. The structural and optical properties of the quaternary films were investigated by high-resolution X-ray diffraction (HRXRD), high-resolution electron microscopy (HREM), temperature-dependent photoluminescence (PL) spectroscopy and time-resolved photoluminescence (TRPL) spectroscopy. According to the HRXRD and PL results, it is demonstrated that two samples have the same crystal quality. The TRPL signals of both samples were fitted well as a stretched exponential decay from 14 K to 250 K, indicating significant disorder in the materials, which is attributed to recombination of excitons localized in disorder quantum nanostructures such as quantum dots or quantum disks originating from indium (In) clusters or In composition fluctuation. The cross-section HREM measurement further proves that there exist disorder quantum nanostructures in the quaternary. By investigating the temperature dependence of the dispersive exponent beta, it is shown that the stretched exponential decays of the two samples originate from different mechanisms. (C) 2003 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Reduction in crystallographic tilt of lateral epitaxial overgrown GaN by using new patterned shape mask

We proposed a new method to suppress the crystallographic tilt in the lateral epitaxial overgrowth of GaN by using an oxide mask with a newly designed pattern. A rhombus mask with edges oriented in the direction of <10 - 10>(GaN) was used instead of the traditional stripe mask. The morphology evolution during the LEO GaN with the rhombus mask was investigated by SEM, and the crystallographic tilt in the LEO GaN was measured by DC-XRD. It is found that using the new rhombus mask can decrease the crystallographic tilt in the LEO GaN. In addition, this method makes the ELO GaN stripes easy to coalesce. (C) 2003 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Annealing ambient controlled deep defect formation in InP

Deep defects in annealed InP have been investigated by deep level transient capacitance spectroscopy (DLTS), photo induced current transient spectroscopy (PICTS) and thermally stimulated current spectroscopy (TSC). Both DLTS results of annealed semiconducting InP and PICTS and TSC results of annealed semi-insulating InP indicate that InP annealed in phosphorus ambient has five defects, while lid? annealed in iron phospbide ambient has two defects. Such a defect formation phenomenon is explained in terms of defect suppression by the iron atom diffusion process. The correlation of the defects and the nature of the defects in annealed InP are discussed based on the results.

Investigation of GaAs/AlGaAs interfaces by reflectance-difference spectroscopy

The in-plane optical anisotropy of several GaAs/AlGaAs quantum well samples with different well widths has been measured at room temperature by reflectance-difference spectroscopy (RDS). The RDS line shapes are found to be similar in all the samples examined here, which dominantly consist of two peak-like signals corresponding to 1HH-->1E and 1LH-->1E transition. As the well width is decreased, or the 1 ML InAs layer is inserted at one interface, the intensity of the anisotropy increases quickly. Our detail analysis shows that the anisotropy mainly arises from the anisotropic interface roughness. The results demonstrate that the RDS technique is sensitive to the interface structures.

Quantum computing

Quantum computing is a quickly growing research field. This article introduces the basic concepts of quantum computing, recent developments in quantum searching, and decoherence in a possible quantum dot realization.

The photon scanning tunneling microscope and its applications

A simple photon scanning tunneling microscope (PSTM) is described. Its lateral resolution (similar to 10nm with a maximal scanning range of 10 mu m x 10 mu m ) is much better than that of a conventional optical microscope. Its principle, the fiber optic tip fabrication and PSTM images of different samples such as mica, HDPE and LiNbO3 are presented.

Uso de repelentes na proteção de árvores dos danos provocados por herbívoros vertebrados.

A introdução de árvores em pastagens com o gado é dificultada pelos danos provocados por pisoteio e forrageamento dos animais. Em outras situações de convivência de herbívoros com árvores tem-se procurado afastar os animais com uso de substâncias repelentes. Os repelentes se baseiam na utilização dos sentidos para provocar a aversão nos animais. Os sentidos em questão são o paladar (sabor amargo associado a um efeito negativo pós-ingestão, criando aversão condicionada), olfato (especialmente odores relacionados com o predador) e dor (estimulação do nervo trigêmeo, como capsaicina). De acordo com o modo como são aplicados, os repelentes podem ser classificados como de área (especialmente os baseados no odor); de contato (especialmente os baseados no sabor); e sistêmicos (uma substância que é absorvida pela planta e distribuída pelos tecidos vegetais, como é o caso do selênio). A pesquisa com repelentes ainda tem um longo caminho a seguir, porque inúmeros fatores afetam o resultado dessas substâncias, entre eles a existência de alimentos alternativos, densidade animal, chuvas e concentração do princípio ativo. Existem poucos trabalhos com bovinos. Alguns produtos foram considerados eficientes para cervídeos e são utilizados em larga escala em países de clima frio. Um desses produtos baseia-se em sólidos de ovos putrefeitos (Deer Away - BGR). Considera-se que tenha eficiência de proteção acima de 85% por um período superior a cinco semanas nas condições utilizadas. O desenvolvimento de produtos com essas características, para uso em mudas florestais expostas a bovinos (ou ovinos) em condições tropicais, poderia alavancar o estabelecimento de sistemas silvipastoris.

Efeito acaricida in vitro de extratos de plantas do Pantanal no carrapato de bovinos, Rhipicephalus (Boophilus) microplus.

Estudou-se a ação acaricida dos extratos brutos etanólicos de 14 plantas do Pantanal sobre fêmeas ingurgitadas do carrapato-do-boi. Os bioensaios foram realizados em triplicatas pelo método de imersão das teleóginas e estimadas a produção de ovos, a eclodibilidade e a eficácia dos extratos. Extratos do lenho da raiz e da casca da raiz de Annona dioica, da raiz e da casca do caule de Simarouba versicolor, da raiz de Annona cornifolia e de Duguetia furfuracea tiveram atividade acaricida entre 50% e 100% e resposta dose-dependente. Extratos de Dimorphandra mollis, Magonia pubescens, Protium heptaphyllum, Hyptis crenata, Sebastiana hispida, Aspidosperma australe, Senna occidentalis e de Elyonurus muticus mostraram atividade acaricida baixa ou ausente (0% a 10%). Extratos da parte aérea de A. cornifolia, da planta inteira de Croton glandulosus e da casca do caule de Stryphnodendron obovatum mostraram atividade acaricida intermediária (10% a 20%). A alta atividade acaricida observada nos extratos de A. dioica, A. cornifolia e D. furfuracea indica ação de acetogeninas, moléculas naturais com várias atividades farmacológicas já descritas e presentes, principalmente, nas plantas da família Annonaceae.

Controle de Meloidogyne javanica em tomate-salada e feijao-de-vagem com o cultivo previo de Crotalaria spectabilis.

O feijão-de-vagem é uma hortaliça severamente atacada por Meloidogyne javanica quando cultivada após o tomate-salada. Para avaliar a viabilidade de cultivo do feijão-de-vagem após o tomate-salada, cultivou-se a Crotalaria spectabilis, em faixas, por período de quatro meses, previamente ao cultivo do tomateiro. Faixas cultivadas com quiabeiro, antes do cultivo com tomate-salada, foram mantidas para comparação. Nas faixas cultivadas anteriormente com C. spectabilis, com os índices de multiplicação (IM) variando de 11 a 76 por parcela e os números de ovos do nematóide de 1.500 a 6.000 por planta, as produtividades foram de 2 a 26% maiores em cultivares de tomateiro e de 6 a 31,5% maiores em cultivares de feijão-de-vagem, em comparação com as produtividades obtidas nas faixas de quiabeiro, onde foram obtidos IM de 17 a 165 e números de ovos do nematóide que variaram de 7.200 a 19.000 por planta em cultivares de tomateiro e de feijão-de-vagem. O cultivo prévio da C. spectabilis por quatro meses é uma tecnologia viável para o controle de M. javanica, viabilizando a seqüência de cultivos com tomate-salada e feijão-de-vagem.

Suscetibilidade a inseticidas e parasitismo natural por Trichogramma sp. em Traça-do-tomateiro.

A traça-do-tomateiro é uma praga importante do tomate e inseticidas são freqüentemente empregados para o seu controle. Porém, devido ao impacto ambiental e a possibilidade de resistência aos produtos utilizados para o controle do inseto, o controle biológico com o uso de Trichogramma pode ser uma alternativa para eliminar os dois problemas. Neste trabalho foi avaliada em bioensaios de laboratório a eficiência da dose recomendada de inseticidas do grupo químico dos organofosforados, piretróides e benzoiluréia para o controle da traça-do-tomateiro. Foi também avaliada a ocorrência natural de Trichogramma sp. em áreas pulverizadas ou não pulverizadas com inseticidas. A ocorrência do parasitismo natural foi determinada por meio da coleta de folhas em campo contendo ovos de traça-do-tomateiro, a fim de determinar, em avaliações de laboratório, a percentagem de ovos parasitados. Os resultados mostraram que todos os inseticidas testados causaram uma mortalidade de larvas menor que 70%, o que sugere uma eficiência reduzida dos produtos. O parasitóide Trichogramma sp. ocorreu naturalmente em todas as áreas, mas a percentagem de parasitismo foi menor nas áreas pulverizadas. Outros estudos devem ser realizados a fim de avaliar o potencial dos parasitóides locais, provavelmente mais bem adaptados as condições locais, para o controle da traça-do-tomateiro. Se esses organismos forem efetivos, o uso de inseticidas em lavouras de tomate pode ser reduzido.

Flotado de efluentes de frigorífico de suínos e aves - 1. Composição química.

2006