321 resultados para CO_2


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利用阳极化处理的铝板做激光能量计的探测元件是一条较好的途径。本文对CO_2激光辐照下铝板上的Al_2O_3膜的特性参数,取得了一些有益的结果。

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<正> 以硅(Si)为代表的半导体材料激光退火是近几年比较活跃的研究领域。一般,采用红宝石、YAG、氩离子等波长较短的激光器作激光源。后来发现,硅材料在强CO_2激光辐照下由于载流子的热激发也引起强烈的吸收,这为CO_2激光用于半导体Si的加工奠定了基础。用激光试制太阳电池已有一些报道,其方法一般是先对Si作离子注入,然后用调Q红宝石激光或Nd:YAG激光进行退火。这种方法对改进电池性能虽有效果,但工艺复杂,成本高,实用性比较差。考虑到连续CO_2激光器的输出功率大、效率高、价格低,并已进入工业生产,

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<正> 一般激光器采用的内管都是笔直、光滑的。当用光栅做波长选择器时,未被选取的波长将以近90°的入射角射到内管内壁上,在某种特定的条件下,将会构成谐振腔而产生振荡。这样就不易得到单一的频率和模式,也不易得到稳定的功率输出。

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用一维气流、准二维放电模型算出垂直于电极平面的等增益线二维分布。研究了放电区气体流速、放电参数以及气体成分等对小信号增益沿流动方向变化规律的影响。对于每一气体压力,有与最佳增益曲线对应的流速范围。将计算结果与实验结果进行了比较。

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本文研究了硅中高温扩散硼和磷样品在CW-CO_2激光作用下薄层电阻、载流子面密度、迁移率和表面薄层(450)载流子浓度的变化。经过激光处理后样品表面一薄层载流子浓度超过了杂质的固溶度极限。通过高温热退火和再次激光辐照研究了“超固溶度”的不稳定性。同时对样品的正面和背面激光辐照对载流子的电激活效果作了比较。

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<正> 一、前言 振动温度和上、下激光能级粒子数密度对了解激光器件的性能是非常重要的,它们决定了从该器件可以得到的最大能量。用测量激光介质对各振转跃迁的增益系数来确定这些参数是简单易行的办法。我们在电激励横向流动CO_2激光器中垂直于光轴截面上的三个位置测量了00°1-10°0带P支和R支共30条谱线的增益系数,并由此计算出平动温度(即气体温度)和振动温度。 二、实验结果   实验装置和光腔结构与[3]基本相同,只是用CO_2激光光谱仪代替探测器I,以便随时监视激光谱

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测量离子注入硅片对强连续CO_2激光的透射率和反射率随辐照时间的变化,发现硅有极强的能量吸收。这一现象可定性地用自由载流子吸收来解释。

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本文提出了一个用控制锗窗温度的办法实现CO_2激光器选频的简单方案。定量地讨论了锗窗温度变化对腔频的影响及所引起的其相干反射极大的频移,并结合介质增益分析了它们对激光输出谱线的影响。实验证实该选频方案是切实可行的。

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<正> 作者测量Si片在强CO_2激光辐照下透射率T和温度θ的变化时看到,Si的透射率到某一时刻突然降为θ,而恰在此时的Si的温升速率呈现极大。从载流子费米统计和光吸收截面计算出的T-θ曲线与实验一致,这说明强CO_2激光辐照引起的载流子热激发反过来导致Si雪崩式地增强吸收CO_2激光,使硅表现出非线性的性质。基于这一能量耦合机理作了如下研究。 M.Miyao等人证实一定功率密度的CO_2激光辐照可使注磷Si 100%电激活,本文发现在这个过程中注磷si对CO_2激光和对He-Ne激光的反射率朝相反的方向跃变。红外分光光

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本文测量了砷离子(As~+)注入的Si在连续CO_2激光辐照下光的椭圆偏振参数、反射率、表面薄层电阻率随时间的变化。从(?)、△、R、ρ的变化看出Si注入层的激光退火是在一定的时间、温度条件下迅速完成的。

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在强激光对靶材的作用中,以连续及脉冲CO_2激光为主光源,首先研究了发生于靶前区的现象,用高速干涉摄影术来诊断,判别出连续激光引起烧坑形成的时间及蒸汽羽喷向的扭转过程,并观察了脉冲激光引起等离子体的发展、空气击穿及产生冲击波运动和蒸汽羽等非自发光现象,使用了脉冲He-Ne激光高速干涉摄影装置。

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本文研究了高温高浓度扩硼Si在连续CO_2激光辐照后表面薄层电阻随激光功率密度和扫描速度的变化.实验发现,一定功率密度和扫描速度的CO_2激光辐照可使扩硼Si的载流子面密度提高到原来的一倍半到三倍左右.

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<正> 大功率 CO_2激光器被广泛地应用于金属材料加工,但一般金属材料对波长10.6微米的 CO_2激光在常温下反射率很高,使激光功率的利用率很低.所以在激光热处理时,金属表面需要进行涂层处理,以增加表面对激光的吸收率.影响金属材料对激光的吸收机理目前尚不十分清楚。但是现象和经验表明,材料的导电性起着很大的作用.金属是很好的导体。各种金属内部都存在着大量的自由电子。由于集肤效应,自由电子

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本文从理论和实验研究了连续CO_2激光辐照下磷离子注入Si对He-Ne激光束反射率呈现的动态干涉效应。从反射强度随时间的变化看出,Si片离子注入层固相外延的速率在整个再结晶过程中是不均匀的。

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文献[1]论证了锗窗的干涉效应是造成CO_2激光器输出不稳定的重要因素。为了消除干涉效应的影响,改善激光输出的稳定性,文本提供了某些具体措施。实践证明,这些措施确实有效。多年来人们一直在探求影响CO_2激光器输出稳定性的各种因素[2]~[6]。但是错窗本身的干涉效应却一直未予以重视。文献[1]曾论证过它是造成激光器输出不稳定的重要因素。实践表明,不消除干涉效应的影响,就不能根本解决功率的波动。高稳定输出的激光器,除了在其它方面作了努力外,实际上也是消除了干涉效应影响的结果。