Untersuchungen zur Rolle von Isoformen katalytischer Untereinheiten der PKA

ZUSAMMENFASSUNG: Proteinkinasen übernehmen zentrale Aufgaben in der Signaltransduktion höherer Zellen. Dabei ist die cAMP-abhängige Proteinkinase (PKA) bezüglich ihrer Struktur und Funktion eine der am besten charakterisierten Proteinkinasen. Trotzdem ist wenig über direkte Interaktionspartner der katalytischen Untereinheiten (PKA-C) bekannt. In einem Split-Ubiquitin basiertem Yeast Two Hybrid- (Y2H-)System wurden potenzielle Interaktionspartner der PKA-C identifiziert. Als Bait wurden sowohl die humane Hauptisoform Cα (hCα) als auch die Proteinkinase X (PrKX) eingesetzt. Nach der Bestätigung der Funktionalität der PKA-C-Baitproteine, dem Nachweis der Expression und der Interaktion mit dem bekannten Interaktionspartner PKI wurde ein Y2H-Screen gegen eine Mausembryo-cDNA-Expressionsbibliothek durchgeführt. Von 2*10^6 Klonen wurden 76 Kolonien isoliert, die ein mit PrKX interagierendes Preyprotein exprimierten. Über die Sequenzierung der enthaltenen Prey-Vektoren wurden 25 unterschiedliche, potenzielle Interaktionspartner identifiziert. Für hCα wurden über 2*10^6 S. cerevisiae-Kolonien untersucht, von denen 1.959 positiv waren (1.663 unter erhöhter Stringenz). Über die Sequenzierung von ca. 10% der Klone (168) konnten Sequenzen für 67 verschiedene, potenzielle Interaktionspartner der hCα identifiziert werden. 15 der Preyproteine wurden in beiden Screens identifiziert. Die PKA-C-spezifische Wechselwirkung der insgesamt 77 Preyproteine wurde im Bait Dependency Test gegen largeT, ein Protein ohne Bezug zum PKA-System, untersucht. Aus den PKA-C-spezifischen Bindern wurden die löslichen Preyproteine AMY-1, Bax72-192, Fabp3, Gng11, MiF, Nm23-M1, Nm23-M2, Sssca1 und VASP256-375 für die weitere in vitro-Validierung ausgewählt. Die Interaktion von FLAG-Strep-Strep-hCα (FSS-hCα) mit den über Strep-Tactin aus der rekombinanten Expression in E. coli gereinigten One-STrEP-HA-Proteinen (SSHA-Proteine) wurde über Koimmunpräzipitation für SSHA-Fabp3, -Nm23-M1, -Nm23-M2, -Sssca1 und -VASP256-375 bestätigt. In SPR-Untersuchungen, für die hCα kovalent an die Oberfläche eines CM5-Sensorchips gekoppelt wurde, wurden die ATP/Mg2+-Abhängigkeit der Bindungen sowie differentielle Effekte der ATP-kompetitiven Inhibitoren H89 und HA-1077 untersucht. Freie hCα, die vor der Injektion zu den SSHA-Proteinen gegeben wurde, kompetierte im Gegensatz zu FSS-PrKX die Bindung an die hCα-Oberfläche. Erste kinetische Analysen lieferten Gleichgewichtsdissoziationskonstanten im µM- (SSHA-Fabp3, -Sssca1), nM- (SSHA-Nm23-M1, –M2) bzw. pM- (SSHA-VASP256-375) Bereich. In funktionellen Analysen konnte eine Phosphorylierung von SSHA-Sssca1 und VASP256-375 durch hCα und FSS-PrKX im Autoradiogramm nachgewiesen werden. SSHA-VASP256-375 zeigte zudem eine starke Inhibition von hCα im Mobility Shift-Assay. Dieser inhibitorische Effekt sowie die hohe Affinität konnten jedoch auf eine Kombination aus der Linkersequenz des Vektors und dem N-Terminus von VASP256-375 zurückgeführt werden. Über die Wechselwirkungen der hier identifizierten Interaktionspartner Fabp3, Nm23-M1 und Nm23-M2 mit hCα können in Folgeuntersuchungen neue PKA-Funktionen insbesondere im Herzen sowie während der Zellmigration aufgedeckt werden. Sssca1 stellt dagegen ein neues, näher zu charakterisierendes PKA-Substrat dar.

Characterization of ZnO Nanorods Grown on GaN Using Aqueous Solution Method

Uniformly distributed ZnO nanorods with diameter 70-100 nm and 1-2μm long have been successfully grown at low temperatures on GaN by using the inexpensive aqueous solution method. The formation of the ZnO nanorods and the growth parameters are controlled by reactant concentration, temperature and pH. No catalyst is required. The XRD studies show that the ZnO nanorods are single crystals and that they grow along the c axis of the crystal plane. The room temperature photoluminescence measurements have shown ultraviolet peaks at 388nm with high intensity, which are comparable to those found in high quality ZnO films. The mechanism of the nanorod growth in the aqueous solution is proposed. The dependence of the ZnO nanorods on the growth parameters was also investigated. While changing the growth temperature from 60°C to 150°C, the morphology of the ZnO nanorods changed from sharp tip (needle shape) to flat tip (rod shape). These kinds of structure are useful in laser and field emission application.

Effects of Platinum on NiPtSiGe/n-SiGe and NiPtSi/n-Si Schottky Contacts

Solid phase reaction of NiPt/Si and NiPt/SiGe is one of the key issues for silicide (germanosilicide) technology. Especially, the NiPtSiGe, in which four elements are involved, is a very complex system. As a result, a detailed study is necessary for the interfacial reaction between NiPt alloy film and SiGe substrate. Besides using traditional material characterization techniques, characterization of Schottky diode is a good measure to detect the interface imperfections or defects, which are not easy to be found on large area blanket samples. The I-V characteristics of 10nm Ni(Pt=0, 5, 10 at.%) germanosilicides/n-Si₀/₇Ge₀.₃ and silicides/n-Si contact annealed at 400 and 500°C were studied. For Schottky contact on n-Si, with the addition of Pt in the Ni(Pt) alloy, the Schottky barrier height (SBH) increases greatly. With the inclusion of a 10% Pt, SBH increases ~0.13 eV. However, for the Schottky contacts on SiGe, with the addition of 10% Pt, the increase of SBH is only ~0.04eV. This is explained by pinning of the Fermi level. The forward I-V characteristics of 10nm Ni(Pt=0, 5, 10 at.%)SiGe/SiGe contacts annealed at 400°C were investigated in the temperature range from 93 to 300K. At higher temperature (>253K) and larger bias at low temperature (<253K), the I-V curves can be well explained by a thermionic emission model. At lower temperature, excess currents at lower forward bias region occur, which can be explained by recombination/generation or patches due to inhomogenity of SBH with pinch-off model or a combination of the above mechanisms.

Growth of ZnO Nanorods on GaN Using Aqueous Solution Method

Uniformly distributed ZnO nanorods with diameter 80-120 nm and 1-2µm long have been successfully grown at low temperatures on GaN by using the inexpensive aqueous solution method. The formation of the ZnO nanorods and the growth parameters are controlled by reactant concentration, temperature and pH. No catalyst is required. The XRD studies show that the ZnO nanorods are single crystals and that they grow along the c axis of the crystal plane. The room temperature photoluminescence measurements have shown ultraviolet peaks at 388nm with high intensity, which are comparable to those found in high quality ZnO films. The mechanism of the nanorod growth in the aqueous solution is proposed. The dependence of the ZnO nanorods on the growth parameters was also investigated. While changing the growth temperature from 60°C to 150°C, the morphology of the ZnO nanorods changed from sharp tip with high aspect ratio to flat tip with smaller aspect ratio. These kinds of structure are useful in laser and field emission application.

High Indium Concentration InGaN/GaN Grown on Sapphire Substrate by MOCVD

The InGaN system provides the opportunity to fabricate light emitting devices over the whole visible and ultraviolet spectrum due to band-gap energies E[subscript g] varying between 3.42 eV for GaN and 1.89 eV for InN. However, high In content in InGaN layers will result in a significant degradation of the crystalline quality of the epitaxial layers. In addition, unlike other III-V compound semiconductors, the ratio of gallium to indium incorporated in InGaN is in general not a simple function of the metal atomic flux ratio, f[subscript Ga]/f[subscript In]. Instead, In incorporation is complicated by the tendency of gallium to incorporate preferentially and excess In to form metallic droplets on the growth surface. This phenomenon can definitely affect the In distribution in the InGaN system. Scanning electron microscopy, room temperature photoluminescence, and X-ray diffraction techniques have been used to characterize InGaN layer grown on InN and InGaN buffers. The growth was done on c-plane sapphire by MOCVD. Results showed that green emission was obtained which indicates a relatively high In incorporation.

High Optical Quality Nanoporous GaN Prepared by Photoelectrochemical Etching

Nanoporous GaN films are prepared by UV assisted electrochemical etching using HF solution as an electrolyte. To assess the optical quality and morphology of these nanoporous films, micro-photoluminescence (PL), micro-Raman scattering, scanning electron microscopy (SEM), and atomic force microscopy (AFM) techniques have been employed. SEM and AFM measurements revealed an average pore size of about 85-90 nm with a transverse dimension of 70-75 nm. As compared to the as-grown GaN film, the porous layer exhibits a substantial photoluminescence intensity enhancement with a partial relaxation of compressive stress. Such a stress relaxation is further confirmed by the red shifted E₂(TO) phonon peak in the Raman spectrum of porous GaN.

Nanocrystalline Ge Flash Memories: Electrical Characterization and Trap Engineering

Conventional floating gate non-volatile memories (NVMs) present critical issues for device scalability beyond the sub-90 nm node, such as gate length and tunnel oxide thickness reduction. Nanocrystalline germanium (nc-Ge) quantum dot flash memories are fully CMOS compatible technology based on discrete isolated charge storage nodules which have the potential of pushing further the scalability of conventional NVMs. Quantum dot memories offer lower operating voltages as compared to conventional floating-gate (FG) Flash memories due to thinner tunnel dielectrics which allow higher tunneling probabilities. The isolated charge nodules suppress charge loss through lateral paths, thereby achieving a superior charge retention time. Despite the considerable amount of efforts devoted to the study of nanocrystal Flash memories, the charge storage mechanism remains obscure. Interfacial defects of the nanocrystals seem to play a role in charge storage in recent studies, although storage in the nanocrystal conduction band by quantum confinement has been reported earlier. In this work, a single transistor memory structure with threshold voltage shift, Vth, exceeding ~1.5 V corresponding to interface charge trapping in nc-Ge, operating at 0.96 MV/cm, is presented. The trapping effect is eliminated when nc-Ge is synthesized in forming gas thus excluding the possibility of quantum confinement and Coulomb blockade effects. Through discharging kinetics, the model of deep level trap charge storage is confirmed. The trap energy level is dependent on the matrix which confines the nc-Ge.

Oblique Angle Deposition of Germanium Film on Silicon Substrate

The effect of flux angle, substrate temperature and deposition rate on obliquely deposited germanium (Ge) films has been investigated. By carrying out deposition with the vapor flux inclined at 87° to the substrate normal at substrate temperatures of 250°C or 300°C, it may be possible to obtain isolated Ge nanowires. The Ge nanowires are crystalline as shown by Raman Spectroscopy.

Poly-Si₁₋xGex Film Growth for Ni Germanosilicided Metal Gate

Scaling down of the CMOS technology requires thinner gate dielectric to maintain high performance. However, due to the depletion of poly-Si gate, it is difficult to reduce the gate thickness further especially for sub-65 nm CMOS generation. Fully silicidation metal gate (FUSI) is one of the most promising solutions. Furthermore, FUSI metal gate reduces gate-line sheet resistance, prevents boron penetration to channels, and has good process compatibility with high-k gate dielectric. Poly-SiGe gate technology is another solution because of its enhancement of boron activation and compatibility with the conventional CMOS process. Combination of these two technologies for the formation of fully germanosilicided metal gate makes the approach very attractive. In this paper, the deposition of undoped Poly-Si₁₋xGex (0 < x < 30% ) films onto SiO₂ in a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) system is described. Detailed growth conditions and the characterization of the grown films are presented.

Strained Silicon on Silicon by Wafer Bonding and Layer Transfer from Relaxed SiGe Buffer

We report the creation of strained silicon on silicon (SSOS) substrate technology. The method uses a relaxed SiGe buffer as a template for inducing tensile strain in a Si layer, which is then bonded to another Si handle wafer. The original Si wafer and the relaxed SiGe buffer are subsequently removed, thereby transferring a strained-Si layer directly to Si substrate without intermediate SiGe or oxide layers. Complete removal of Ge from the structure was confirmed by cross-sectional transmission electron microscopy as well as secondary ion mass spectrometry. A plan-view transmission electron microscopy study of the strained-Si/Si interface reveals that the lattice-mismatch between the layers is accommodated by an orthogonal array of edge dislocations. This misfit dislocation array, which forms upon bonding, is geometrically necessary and has an average spacing of approximately 40nm, in excellent agreement with established dislocation theory. To our knowledge, this is the first study of a chemically homogeneous, yet lattice-mismatched, interface.

Análisis de las barreras no arancelarias ante la disminución de aranceles. Una aproximación a las relaciones comerciales entre Colombia y Estados Unidos (1990 - 2011).

Estados Unidos junto a Japón y algunos Estados europeos han incentivado e impulsado al resto de los Estados a que abran sus fronteras y se inserten en el modelo de liberalización comercial. Estos países, en particular Estados Unidos promueven este modelo por medio de las relaciones comerciales que establece con otros Estados. Al establecer esta clase de relaciones, especialmente con Estados menos desarrollados, el país norteamericano busca mejorar su posición y obtener beneficios en detrimento de la otra parte por medio de la imposición de condiciones para maximizar sus beneficios y ganancias. La necesidad del gobierno estadounidense de mantener e incrementar su credibilidad ante sus ciudadanos y al mismo tiempo incentivar a los demás países para que abran sus fronteras se expresa en una incongruencia entre el discurso defensor del libre comercio y las estrategias proteccionistas como las barreras no arancelarias que pone en marcha y cuyo propósito es no perder espacio en el sistema internacional ni ver menoscabada su influencia sobre los demás Estados. Sin embargo, el establecimiento de medidas proteccionistas afecta las posiciones comerciales de países como Colombia en tanto que estas medidas ponen en desventaja a sus productos.

Análisis de los programas de la agencia española de cooperación internacional para el desarrollo dirigidos a las mujeres en la lucha contra el vih/sida en mozambique (2005-2010)

En este estudio de caso pretende dar respuesta a que factores vitalizan la cooperación Española en Mozambique a través del análisis de programas como el VITA, dirigidos específicamente al desarrollo y mejoramiento de la salud en el continente Africano. Este estudio de caso se centra en el investigación de los discursos de desarrollo que se fundamentan en las políticas internacionales de cooperación , basadas en la existencia de una enfermedad como el VIH que ha puesto en manifiesto la interacción entre la esfera biológica y social , social e individual entre el fenómeno existencial y cultural, lo que fundamenta su importancia y estudio. Se ha escogido esta herramienta de investigación social, en este estudio de caso, para abordar la forma en que funciona y opera la AECID en Mozambique a través de los programas con enfoque de género encaminados al problema del VIH. Se pretende dar a conocer el desarrollo en materia de la cooperación internacional de una organización tan importante como la AECID, cuyos proyectos gozan de una gran credibilidad en cuanto a la ejecución de sus acciones y que en general dichos proyectos se adecuan a las necesidades de la población, a los objetivos de desarrollo nacionales y a las prioridades de la cooperación española.

Estudio de asociación entre genotipo de DAT1 y transtorno por déficit de atención / hiperactividad

Introducción: El TDAH tiene un componente genético importante; el gen de transportador de Dopamina (DAT1) se ha asociado con susceptibilidad al TDAH y con sus endofenotipos. El VNTR de 40pb en la región 3’UTR aumenta la expresión del DAT1. En Colombia no hay ningún estudio previo que indique evidencia de la asociación genética entre TDAH y el gen DAT1. Objetivo: Determinar asociación entre el VNTR del DAT1 y el fenotipo y/o endofenotipos del TDAH. Métodos: Se seleccionaron 73 pacientes con TDAH y 75 controles, se valoró en los casos inteligencia y funciones ejecutivas. Mediante (PCR) se amplificó el VNTR DAT1. Se establecieron estadísticos genético poblacionales, análisis de asociación y de regresión logística entre las pruebas neuropsicológicas y genotipo. Resultado: El polimorfismo del DAT1 no mostró asociación con TDAH, ni con alteraciones en las funciones ejecutivas. El genotipo 10/10 del VNTR DAT1 se encontró asociado con el índice de velocidad de procesamiento (p <0,05). En el subgrupo hiperactividad hubo asociación con algunas subpruebas de flexibilidad cognitiva, número de respuestas correctas, total de errores, número de respuestas perseverativas (p ≤ 0.01). En el subgrupo mixto se asoció con índice de comprensión verbal (p <0,05). Conclusiones: No hubo asociación entre el polimorfismo VNTR (DAT1) y el fenotipo de TDAH. Se encontraron asociaciones entre genotipo y algunos test de flexibilidad cognitiva e índice de comprensión verbal. Se establecieron los estadísticos genético poblacionales de este polimorfismo para la población analizada, el cual corresponde al primer reporte de una muestra de nuestro país.

Papel de la Organización de Naciones Unidas ONU (MINUGUA) en el proceso de reconstrucción posconflicto guatemalteco en materia de justicia transicional (1994-2004). Un estado del arte

Estado del arte que recopila pronunciamientos de diversos autores sobre el papel de la Organización de Naciones Unidas, específicamente la Misión MINUGUA, en el proceso de reconstrucción posconflicto en Guatemala comprendido entre el año 1994 y 2004. Se basa en algunas dimensiones de la democratización como son el Estado de Derecho, la democracia representativa, la preeminencia del poder civil, y el fortalecimiento de la cultura democrática. Así mismo, tiene en cuenta los elementos de la justicia transicional, a saber: verdad, justicia y reparación.

Análisis de la incidencia de la Teoría de la Identidad Colectiva en la posición de la Liga Árabe frente al reconocimiento de Somalilandia como Estado independiente

Esta Monografía se centra en mostrar cómo el intento por conservar la identidad colectiva de la Liga de los Estados Árabes impide ceder ante el deseo de Somalilandia de ser reconocida como Estado independiente.