平行磁场对GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结中无序二维电子的局域化效应的影响

国家自然科学基金

静压下GaAs_(1-x)P_x混晶的喇曼散射

国家自然科学基金

液相外延生长In_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb及其性质研究

于2010-11-23批量导入

Al_xGa_(1-x)As_ySb_(1-y)/GaSb的LPE生长与性质研究

其它基金

GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结的热电子磁声子共振测量

国家自然科学基金

瞬态C-V方法对Al_xGa_(1-x)As中DX中心的研究

于2010-11-23批量导入

MBE[（GaAs）l（Ga（1-x）AlxAs）m]n/GaAs（001）一维超晶格的X射线双晶...

于2010-11-23批量导入

AlxGa（1-x）As/GaAs异质结界面上二维电子气量了霍耳效应的测量

于2010-11-23批量导入

InxGa（1-x）As/GaAs应变单量子阱结构的静压光致发光研究

国家自然科学基金

不同剂量C离子注入Si单晶中Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征

室温下在单晶Si中注入 (0 6— 1 5 ) %的C原子 ,利用高温退火固相外延了Si1-xCx 合金 ,研究了不同注入剂量下Si1-xCx 合金的形成及其特征 .如果注入C原子的浓度小于 0 6 % ,在 85 0— 95 0℃退火过程中 ,C原子容易与注入产生的损伤缺陷结合 ,难于形成Si1-xCx 合金相 .随注入C原子含量的增加 ,C原子几乎全部进入晶格位置形成Si1-xCx 合金 ,但如果注入C原子的浓度达到 1 5 % ,只有部分C原子参与形成Si1-xCx 合金 .升高退火温度 ,Si1-xCx 合金相基本消失 .