InxGa（1-x）As/GaAs应变单量子阱结构的静压光致发光研究
| Data(s) |
1989
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|---|---|
| Resumo |
国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李国华;郑宝真;韩和相;汪兆平;Andersson T G;Chen Z G.InxGa（1-x）As/GaAs应变单量子阱结构的静压光致发光研究,半导体学报,1989,10(4):317 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
