不同剂量C离子注入Si单晶中Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征
| Data(s) |
12/11/2000
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| Resumo |
室温下在单晶Si中注入 (0 6— 1 5 ) %的C原子 ,利用高温退火固相外延了Si1-xCx 合金 ,研究了不同注入剂量下Si1-xCx 合金的形成及其特征 .如果注入C原子的浓度小于 0 6 % ,在 85 0— 95 0℃退火过程中 ,C原子容易与注入产生的损伤缺陷结合 ,难于形成Si1-xCx 合金相 .随注入C原子含量的增加 ,C原子几乎全部进入晶格位置形成Si1-xCx 合金 ,但如果注入C原子的浓度达到 1 5 % ,只有部分C原子参与形成Si1-xCx 合金 .升高退火温度 ,Si1-xCx 合金相基本消失 . |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王引书,李晋闽,金运范,王玉田,林兰英.不同剂量C离子注入Si单晶中Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征, 物理学报, 2000-11-12, 2000( 11):2210-2213 |
| Palavras-Chave | #Si_(1-x)C_x合金 #离子注入 #固相外延 |
| Tipo |
期刊论文 |
