注入Ga离子的GaAs/AlGaAs量子阱中界面混合的光荧光研究

用注入Ga离子GaAs/AlGaAs量子阱在快速热退火中大大加快了异质结界面的互扩散,表现在PL光谱中量子陆峰值能量有30～90meV的兰移.发现兰移大小同注入损伤程度、退火的温度及时间有关.

MOCVD和GSMBE生长Ga（0.5）In（0.5）P 外延层中有序结构的研究

用MOCVD在(100)、GSMBE在(100)和(111)B GaAs上生长了GaInP外延层.PL测试表明,(100)衬底上GaIn PL 峰的能量比计算的带隙分别小43(GSMBE生长)和104meV(M(CVD生长).用Kurtz等人的模型对MOCVD和GSMBE生长的GaInP中有序度的不同进行了解释.并讨论了衬底晶向对GaInP中有序程度的影响.

自发有序Ga（0.5）In（0.5）P合金的静压光致发光研究

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自发有序Ga（0.5）In（0.5）P合金的喇曼光谱研究

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GaAs/Al（0.3）Ga（0.7）As短周期超晶格中负微分电导效应的观察

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低压-金属有机物汽相外延生长的Ga（1-x）InxAs/InP激光器中深能级的研究

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究低压-金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)生长的Ga_(0.74)In_(0.53)As/InP量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的DLTS表明,在宽接触激光器的i-Ga_(0.47)In(0.53)As有源层里观察到 H1(Ev+0.09eV)和E1(E_c-0.35eV)陷阱,它们可能分别与样品生长过程中扩散到i-Ga_(0.47)In_(0.53)As有源层的Zn和材料本身的原生缺陷有关。而条形激光器的i-Ga_(0.47)In_(0.53)A_s有源层的 H_2(E_v+0.11eV)和 E_2(E_q-0.42eV)陷阱则可能是H1和E1与质子轰击引起的损伤相互作用的产物 。

GaAs/Al（0.4）Ga（0.6）As多量子肼红外探测器光吸收计算

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GaAs/Al（0.33）Ga（0.67）As短周期超晶格中能带不连续性随压力的变化

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GaAs/Ga（0.7）Al（0.3）超晶格中场致激子峰展宽机制的研究

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GaAs/Ga（0.7）Al（0.3）As短周期超晶格中的自电光双稳和多稳态效应

国家自然科学基金

MBE[（GaAs）l（Ga（1-x）AlxAs）m]n/GaAs（001）一维超晶格的X射线双晶...

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