42 resultados para Interface implante pilar
em Consorci de Serveis Universitaris de Catalunya (CSUC), Spain
Resumo:
El presente trabajo muestra los datos preliminares de una estudio de cohortes prospectivo unicéntrico que pretende comparar el daño neurológico asociado a dos intervenciones cardiacas para el tratamiento de la estenosis aórtica severa. Concretamente se analiza la aparición de lesiones isquémica agudas cerebrales detectadas por RM tras los dos procedimientos y su posible asociación con alteraciones del estado neurocognitivo en la evolución. La presentación actual solo muestra los datos preliminares de los resultados de la RM cerebral. En el apartado métodos se describe también como se realizó la valoración del estado neurocognitivo, no obstante, los resultados de estas valoraciones y su posible correlación con las lesiones en la RM cerebral aún no estan analizados y por lo tanto no se presentan.
Resumo:
Estudi observacional i prospectiu que analitza la eficàcia de l’Ex-press mini glaucoma shunt en 20 ulls que presenten un control deficient de la PIO amb el tractament mèdic i es practica cirurgia. El període de seguiment és d’un any i s’analitza el descens de la PIO a la setmana, al mes, als 6 mesos i a l’any en relació amb la PIO prèvia. Al mateix temps analitzarem la necessitat d’utilitzar tractament mèdic posterior a la intervenció quirúrgica i les complicacions derivades de la utilització de l’implant.
Resumo:
S’ha avaluat l’efectivitat de la cirurgia combinada de facoemulsificació i esclerectomia profunda no perforant amb implant supracoroideu en 20 ulls de 16 pacients. Als 12 mesos de la cirurgia, s’ha observat una reducció significativa de la pressió intraocular mitjana de 22,8mmHg a 18mmHg, un descens del número de col•liris de 2,5 de mitjana en el preoperatori a 0,9 a l’any, així com una milloria significativa de l’agudesa visual sense un augment de complicacions relacionades amb l’implant utilitzat.
Resumo:
L'implant d’una lent intraocular fàquica tipus ICL (Implantable Collamer Lens) pot produir glaucoma agut per tancament angular degut a un bloqueig pupil•lar amb el consegüent augment de la pressió intraocular, el mecanisme i epidemiologia del qual no són ben coneguts. Aquest estudi preliminar pretén avaluar la incidència d'hipertensió ocular i glaucoma agut per tancament angular degut a bloqueig pupil·lar després de l'implant d'una lent posterior fàquica tipus ICL i plantejar hipòtesis sobre el seu mecanisme fisiopatològic.
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La cirurgia percutània en el tractament del hallux valgus és cada vegada més utilitzada, encara que compta amb limitacions en els casos severs. Es tracta d'un estudi retrospectiu en el qual s'analitzen estadísticament els resultats clínics, radiològics i funcionals del tractament quirúrgic del Hallux Valgus sever mitjançant cirurgia percutània amb la col•locació d'un dispositiu intermetatarsiano. Hi ha una bona correcció de l'angle intermetatarsiano i de l'angle hallux valgus, així com una millora clínica i funcional estadísticament significativa amb la utilització d'aquesta tècnica, sent els seus resultats comparables a aquells obtinguts amb la cirurgia oberta.
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Se evalúa la calidad de vida (CdV) tras implante de cabestrillo suburetral ajustable (Remeex). Se analizan 54 mujeres, clasificadas mediante Prueba de la tos, Qtip, y Urodinamia en: incontinencia de orina recidivada (IOEr: 25 casos) e incontinencia esfinteriana intrínseca (IEI:29 casos). La CdV se evalúa mediante el cuestionario específico Kings Health (KH). Tras un seguimiento medio de 49 meses, 46 pacientes (85%) estaban curadas de IOE. Las puntuaciones en CdV muestran una mejoría estadísticamente significativa en 8/9 dominios del KH. Podemos concluir que la cirugía de Remeex condiciona una mejoría estadísticamente significativa en la CdV percibida por las pacientes.
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La utilización de un implante orbitario es imprescindible para restaurar el volumen tras la evisceración o enucleación del globo ocular. Dicho volumen en la cavidad anoftálmica permitirá la utilización de una cascarilla que dará al paciente una mejor apariencia y simetría tras la pérdida del globo ocular. La exposición del implante orbitario es una de las complicaciones más frecuentes que nos encontramos tras evisceración o enucleación con la utilización de implante orbitario. Hay diferentes factores reconocidos que propiciarán dicha exposición, entre los que se encuentran la colonización del implante, escasez de mucosa conjuntival, tamaño y composición del implante, etc... Hay diferentes opciones de tratamiento de la exposición del implante orbitario que incluyen la utilización de tejidos por medio de injerto o flap o bien la extracción del propio implante con la consecuente afectación en la apariencia del paciente. El uso de injerto dermo-graso ha sido descrito con anterioridad, pero no hemos encontrado un estudio de una serie de casos que demuestre su utilidad. Nuestro objetivo es determinar la efectividad del injerto dermo-graso en el tratamiento de la exposición del implante orbitario en la cavidad anoftálmica. Para ello estudiamos la evolución de 15 pacientes que presentaron exposición de implante orbitario, tras enucleación o evisceración, y a los que se les ha tratado dicha exposición con un injerto dermo-graso. Se evaluan clínicamente los resultados de dicha técnica en estos pacientes, en algún caso hasta 22 meses tras la intervención.
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DURANTE LA CELEBRACIÓN EN LA UNIVERSITAT DE BARCELONA (marzo de 2008) de la Conferencia de primavera de la EUA (European University Association), se ha definido la estrategia a seguir para consolidar los retos del EEES (Espacio Europeo de Educación Superior) y del EEI (Espacio Europeo de Investigación).
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The advances of the semiconductor industry enable microelectromechanical systems sensors, signal conditioning logic and network access to be integrated into a smart sensor node. In this framework, a mixed-mode interface circuit for monolithically integrated gas sensor arrays was developed with high-level design techniques. This interface system includes analog electronics for inspection of up to four sensor arrays and digital logic for smart control and data communication. Although different design methodologies were used in the conception of the complete circuit, high-level synthesis tools and methodologies were crucial in speeding up the whole design cycle, enhancing reusability for future applications and producing a flexible and robust component.
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An interfacing circuit for piezoresistive pressure sensors based on CMOS current conveyors is presented. The main advantages of the proposed interfacing circuit include the use of a single piezoresistor, the capability of offset compensation, and a versatile current-mode configuration, with current output and current or voltage input. Experimental tests confirm linear relation of output voltage versus piezoresistance variation.
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By an analysis of the exchange of carriers through a semiconductor junction, a general relationship for the nonequilibrium population of the interface states in Schottky barrier diodes has been derived. Based on this relationship, an analytical expression for the ideality factor valid in the whole range of applied bias has been given. This quantity exhibits two different behaviours depending on the value of the applied bias with respect to a critical voltage. This voltage, which depends on the properties of the interfacial layer, constitutes a new parameter to complete the characterization of these junctions. A simple interpretation of the different behaviours of the ideality factor has been given in terms of the nonequilibrium charging properties of interface states, which in turn explains why apparently different approaches have given rise to similar results. Finally, the relevance of our results has been considered on the determination of the density of interface states from nonideal current-voltage characteristics and in the evaluation of the effects of the interfacial layer thickness in metal-insulator-semiconductor tunnelling diodes.
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The correlation between the structural (average size and density) and optoelectronic properties [band gap and photoluminescence (PL)] of Si nanocrystals embedded in SiO2 is among the essential factors in understanding their emission mechanism. This correlation has been difficult to establish in the past due to the lack of reliable methods for measuring the size distribution of nanocrystals from electron microscopy, mainly because of the insufficient contrast between Si and SiO2. With this aim, we have recently developed a successful method for imaging Si nanocrystals in SiO2 matrices. This is done by using high-resolution electron microscopy in conjunction with conventional electron microscopy in dark field conditions. Then, by varying the time of annealing in a large time scale we have been able to track the nucleation, pure growth, and ripening stages of the nanocrystal population. The nucleation and pure growth stages are almost completed after a few minutes of annealing time at 1100°C in N2 and afterward the ensemble undergoes an asymptotic ripening process. In contrast, the PL intensity steadily increases and reaches saturation after 3-4 h of annealing at 1100°C. Forming gas postannealing considerably enhances the PL intensity but only for samples annealed previously in less time than that needed for PL saturation. The effects of forming gas are reversible and do not modify the spectral shape of the PL emission. The PL intensity shows at all times an inverse correlation with the amount of Pb paramagnetic centers at the Si-SiO2 nanocrystal-matrix interfaces, which have been measured by electron spin resonance. Consequently, the Pb centers or other centers associated with them are interfacial nonradiative channels for recombination and the emission yield largely depends on the interface passivation. We have correlated as well the average size of the nanocrystals with their optical band gap and PL emission energy. The band gap and emission energy shift to the blue as the nanocrystal size shrinks, in agreement with models based on quantum confinement. As a main result, we have found that the Stokes shift is independent of the average size of nanocrystals and has a constant value of 0.26±0.03 eV, which is almost twice the energy of the Si¿O vibration. This finding suggests that among the possible channels for radiative recombination, the dominant one for Si nanocrystals embedded in SiO2 is a fundamental transition spatially located at the Si¿SiO2 interface with the assistance of a local Si-O vibration.
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We study the interfacial modes of a driven diffusive model under suitable nonequilibrium conditions leading to possible instability. The external field parallel to the interface, which sets up a steady-state parallel flux, enhances the growth or decay rates of the interfacial modes. More dramatically, asymmetry in the model can introduce an oscillatory component into the interfacial dispersion relation. In certain circumstances, the applied field behaves as a singular perturbation.