Untersuchungen zum Dotieren von Silicium aus einer Oberflächenbelegung mit Phosphor in einem Kurzzeitprozess

Silicon, shallow junction, rapid thermal doping, vapour phase doping, atomic-layer doping, phosphorus diffusion, phosphine adsorption, sheet resistance, four-point probe, native oxidation

Wachstum von Galliumnitrid-basierten Bauelementen auf Silizium(001)-Substraten mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie

Magdeburg, Univ., Fak. für Naturwiss., Diss., 2009

Epitaxial growth and properties of AlGaN-based UV-LEDs on Si(111) substrates

Magdeburg, Univ., Fak. für Naturwiss., Diss., 2010