Wachstum von Galliumnitrid-basierten Bauelementen auf Silizium(001)-Substraten mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie
| Cobertura |
537.6226 |
|---|---|
| Data(s) |
2009
|
| Resumo |
Magdeburg, Univ., Fak. für Naturwiss., Diss., 2009 von Fabian Reiher |
| Formato |
Online-Ressource (PDF-Datei: 222 S., 81,2 MB) |
| Identificador |
urn:nbn:de:101:1-201012103946 http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:101:1-201012103946 system:603735266 |
| Idioma(s) |
ger |
| Publicador |
Universitätsbibliothek |
| Palavras-Chave | #Silicium #Kristallfläche #Galliumnitrid #Dünne Schicht #MOCVD-Verfahren #Elektronisches Bauelement #Hochschulschrift |
