Epitaxial growth and properties of AlGaN-based UV-LEDs on Si(111) substrates
| Cobertura |
537.6226 |
|---|---|
| Data(s) |
2010
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| Resumo |
Magdeburg, Univ., Fak. für Naturwiss., Diss., 2010 von Phannee Saengkaew Zsfassung in dt. Sprache |
| Formato |
Online-Ressource (PDF-Datei: 227 S., 10,7 KB) |
| Identificador |
urn:nbn:de:101:1-201104192936 http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:101:1-201104192936 system:632049901 |
| Idioma(s) |
eng |
| Publicador |
Universitätsbibliothek |
| Palavras-Chave | #Aluminiumnitrid #Galliumnitrid #Epitaxieschicht #Silicium #Kristallfläche #MOCVD-Verfahren #Lumineszenzdiode #Ultraviolett #Hochschulschrift |
