Untersuchungen zum Dotieren von Silicium aus einer Oberflächenbelegung mit Phosphor in einem Kurzzeitprozess
| Cobertura |
621.38152 |
|---|---|
| Data(s) |
2007
|
| Resumo |
Silicon, shallow junction, rapid thermal doping, vapour phase doping, atomic-layer doping, phosphorus diffusion, phosphine adsorption, sheet resistance, four-point probe, native oxidation Magdeburg, Univ., Fak. für Elektrotechnik und Informationstechnik, Diss., 2007 Bodo Kalkofen |
| Formato |
Online-Ressource (PDF-Datei: 176 S., 3289 KB) |
| Identificador |
urn:nbn:de:101:1-201010181765 http://nbn-resolving.de/urn:nbn:de:101:1-201010181765 system:537646833 |
| Idioma(s) |
ger |
| Publicador |
Universitätsbibliothek |
| Palavras-Chave | #Hochschulschrift #Online-Publikation |
