37 resultados para Romagnosi, Giandomenico, 1761-1835.

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分析了A633D钢焊接接头在循环载荷下的疲劳特性,进行了疲劳特性和静态拉伸实验,得到 了该材料的静力参数,常规机械性能,焊接接头的循环σ-ε曲线以及焊接接头的应变寿命 曲线。将局部应力-应变法用于该材料的10m~3斗杆的裂纹形成寿命的估算。采用Miner法则结合概率的方法计算了不同可靠度下的疲劳寿命,其间考虑了焊接残余应力的影响,得出焊接残余应力的存在使斗杆的裂纹形成寿命降低约10%。

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Large strain finite element method is employed to investigate the effect of straining mode on void growth. Axisymmetric cell model embedded with spherical void is controlled by constant triaxiality: loading,while plane-stress model containing a circular void is loaded by constant ratio of straining. Elastic-plastic material is used for the matrix in both cases. It is concluded that, besides the known effect of triaxiality, the straining mode which intensifies the plastic concentration around the void is also a void growth stimulator. Experimental results are cited to justify the computation results.

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乘波体是利用前缘线贴体激波得到高升阻比特性的一种气动布局,产生于某一特定流场.它因前缘钝化引起的脱体激波对气动特性的影响,以及非设计工况时的气动性能,一直是航空工程界关注的工程科学问题.本文利用低速和高速乘波体各自的特性,提出了一个从起飞、加速到高超声速巡航的宽速域飞行器,并根据气动热载,进行了前缘钝化.理论研究和风洞试验结果说明,它在亚跨超和高超声速的范围内都具有良好的气动性能.

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采用单电子模型研究了圆偏振飞秒脉冲激光作用下电子振荡导致的谐波辐射频谱的特性。研究发现随着激光强度的增加,电子在激光场中运动的相对论效应可以导致谐波辐射,并且发现谐波辐射频谱随着激光强度的增加发生了展宽和红移。电子与强激光脉冲相互作用,电子除了在激光场的作用下做横向振荡运动之外,激光脉冲的纵向有质动力对电子还有推动作用,这是产生谐波频谱红移的原因,而谐波辐射频谱展宽是由电子纵向速度的变化引起的。分析激光场中电子在不同方向的辐射频谱表明:随着谐波阶数的升高,红移在有规律地变大;在θ=3π/4方向上电子频谱的

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利用3’和5' RACE、Uneven PCR等技术成功地从胡萝卜肉质根中分离了茄红素β-环化酶、茄红素ε.环化酶和辣椒红/辣椒玉红素合酶cDNA以及茄红素β一环化酶基因5’端上游的部分序列,并研究了它们在胡萝卜肉质根中的表达模式,对胡萝卜中类胡萝卜素代谢和积累的分子机制进行了探讨。 胡萝卜茄红素β--环化酶cDNA(DCLYC1)长2089bp,包含一个1515bp的开放阅读框架,所编码蛋白长505个氨基酸,其一级结构与番茄、烟草和辣椒等植物的茄红素β--环化酶高度同源。与农杆菌和夏噬孢欧文氏菌等微生物的茄红素环化酶相似性较差,但相互间有3个短小的同源区,且蛋白疏水模式也十分相似。茄红素β--环化酶在胡萝卜肉质根中的表达受品种和组织特异性的调控。在紫色的富含茄红素的“齐头红”胡萝卜肉质根中该基因的表达受到了强烈的抑制,相反,在橙色的富含β--和α--胡萝卜素的“CA201”胡萝卜肉质根中表达十分活跃。茄红素β--环化酶和八氢番茄红素合酶基因的表达在肉质根的韧皮部和木质部之间存在差异,在韧皮部中的表达强于木质部。类胡萝卜素生物合成基因的差异表达是造成不同胡萝卜品种和组织中积累的类胡萝卜素的种类和含量不同的原因。 对紫色品种和橙色品种的茄红素β--环化酶基因组DNA的PCR分析表明两者的基因组中均存在茄红素β一环化酶基因。为了探明茄红素β--环化酶基因在不同胡萝卜品种中差异表达的原因,利用Uneven pCR从胡萝卜基因组DNA中分离克隆了茄红素β--环化酶基因5’端上游部分序列。该DNA片段长1.7kb,3’端286bp区域与DCLYC1的5’端序列交叉重叠,在GenBank中没有找到相似的序列。在1294bp-1336bp位置串连着3个TATA盒,结构十分特殊,在TATA盒上游大约700bβ位置有2个CAAT盒。瞬间表达实验证明它具有启动子活性,可以指导GUS基因在胡萝卜肉质根、叶片和茎等组织中表达。然而,其表达模式却与茄红素B.环化酶基因的Northern杂交结果不同,主要在韧皮部和木质部交界的分生组织中表达,同时在紫色胡萝卜肉质根中其表达并没有受到抑制。这一片段可能还不是完整的胡萝卜茄红素β--环化酶基因启动子,缺少了调控基因进行品种和组织特异性表达的部分序列元件。因此,分离更长的胡萝卜茄红素环化酶基因5’端上游序列,将有助于揭示茄红素β一环化酶基因呈品种和组织特异性表达的分子机制。 所分离的胡萝卜辣椒红/辣椒玉红素合酶cDNA (DCCCS)长1744bp,包含一个长1476bp的开放阅读框架,所编码蛋白长492个氨基酸。与辣椒和柑桔CCS的氨基酸序列同源性分别为为76.6%和75.3%,与DCLYC1等其它植物茄红素β--环化酶的氨基酸序列同源性为63.9-67.4%。DCCCS的表达模式在两个不同颜色的品种之间十分相似,在肉质根韧皮部中强烈表达,而在木质部中表达明显受到了抑制。由于CCS与LYC-B高度同源,有人认为CCS可能具有茄红素环化酶活性,然而本研究结果表明,DCCCS虽然在紫色的齐头红胡萝卜肉质根韧皮部中强烈表达,却没有影响细胞中积累大量的茄红素,因此DCCCS即使具有茄红素环化酶作用,其活性也是极低的。 分离到的胡萝卜茄红素ε--环化酶cDNA片段(DCL YC-E)长1264bp,包含了完整的3’端,5’端尚不完整。按照引物LYCP1上的阅读框架进行翻译得到长385个氨基酸的肽链与莴苣、番茄和拟南芥LYC-E肽链相应区域的氨基酸序列高度同源,达80.5%以上,其中与莴苣茄红素ε--环化酶最为接近。与拟南芥茄红素ε--环化酶第448位基团和莴苣茄红素ε--环化酶第457位基团对应的氨基酸基团为H。这一基团是一个分子开关,决定茄红素ε--环化酶是催化茄红素的一端还是两端形成ε--环,因此,胡萝卜茄红素ε--环化酶可能与莴苣茄红素ε--环化酶具有相同的功能,即可以催化对称的线性茄红素的两端均形成ε--环,生成双ε--环胡萝卜素。DCLYC-E在胡萝卜肉质根中表达模式与DCLYCI不同,在紫色品种齐头红肉质根韧皮部中表达十分强烈,没有受到抑制,而且明显强于木质部;在橙色品种CA201中DCLYCE的表达模式与DCLYCI相似,韧皮部中表达强,而木质部中相对弱得多。DCL YC-E的表达模式在所测试品种间没有差异。在富含茄红素的齐头红胡萝卜肉质根中DCL YC-E强烈表达,可见它并没有将茄红素大量转化为双ε--环胡萝卜素,因此该酶的功能和活性有待进一步研究。

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为了重建东亚季风区域2.5MaB.P.前后植被和气候变化的历史,更好地了解低纬度地区植被变化及其对全球变化的响应,本研究选择了南海南部ODP1143站深海沉积物中的孢粉样品进行研究。通过高分辨率(7ka)的孢粉样品的分析研究,建立起3.0~2.0MaB.P.时段南海深海沉积孢粉组合序列,系统建立了这一时段植被演替序列。在此基础上,重点研究了2.5MaB.P.前后气候变化在南海周边地区植被演替中的响应,为探索和揭示东亚古季风及古环境演变提供了孢粉学依据。 ODP 1143站位于南沙海区,北纬9º22´,东经113º17´,深海柱状样采于水深2772m的大陆坡。本研究以生物地层学和氧同位素年代学为依据建立了年龄框架,对1143站135~95m(3.0~2.6 Ma B. P.)深海沉积中的孢粉样品进行了分析,建立了3.0~2.0MaB.P.时段南海深海沉积孢粉组合序列。孢粉样品处理方法主要是用盐酸去掉钙质和氢氟酸浸泡溶解硅质后,再用筛子将样品在超声波发生器中震荡过滤。孢粉的鉴定和统计在光学透视显微镜下完成。研究结果表明: 1、孢粉谱的主要特征是沉积率变化显著。与3.0~2.6 Ma B. P. 相比,2.6~2.0 Ma B. P.各类型花粉及孢子沉积率均有显著提高。该结果表明2.6 Ma B. P.南海海平面有显著下降,可与北半球冰盖形成、东亚季风增强相对应。 2、2.6 Ma B. P.以来,各类型孢粉沉积率变化与深海氧同位素分期相对应,代表了多次冰期-间冰期旋回。该结果表明南海海平面曾有多次上升和下降。 3、频谱分析结果表明,3.0~2.0 Ma B. P.存在0.1 Ma(偏心率)和46.9ka(斜率)的周期。

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本发明为一种供制作糖尿病人专用食品的添加配合料,其基本配方(重量百分比)为:有机铬0.2×10-3—06×10-3%,维生素P0.4×10-3—09×10-3%,淮山药(Dioscorea opposita Thunb)粉16—28%,葛根[Pueraria Lobata(Willd.)Ohwi]10—22%,余量为植物纤维素粉。植物纤维素粉最好为余甘子(Phyllanthus emblisa.L)粉。用本发明产品制作的糕点食品,不但对糖尿病有明显的食疗功能,而且口味好,食用方便,安全。

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GaAsSb/GaAs single quantum wells (SQWs) grown by molecular beam epitaxy are studied by selectively-excited photoluminescence (SEPL) measurement. For the first time, we have simultaneously observed the PL, from both type I and type II transitions in GaAsSb/GaAs heterostructure in the SEPL. The two transitions exhibit different PL, behaviours under different excitation energy. As expected, the peak energy of type I emission remains constant in the whole excitation energy range we used, while type U transition shows a significant blue shift with increasing excitation energy. The observed blue shift is well explained in terms of electron-hole charge separation model at the interface. Time-resolved(TR) PL exhibits more type 11 characteristic of GaAsSb/GaAs QW. Moreover, the results of the excitation-power-dependent PL and TRPL provide more direct information on the type-II nature of the band alignment in GaAsSb/GaAs quantum-well structures. By combining the experimental results with some simple calculations, we have obtained the strained and unstrained valence band offsets of Q(v) = 1.145 and Q(v)(0) = 0. 76 in our samples, respectively.

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The growth and characterization of quantum cascade (QC) lasers based on InGaAs/InAlAs material system are investigated. Pronounced intersubband absorption from stacked active region of QC structure is used to monitor the wavelength of QC laser and disclose the material quality. The precise control of the epilayer thickness and the good quality of interfaces are demonstrated by the abundant narrow satellite peaks of X-ray diffraction. Laser action in quasi-continuous wave operation is achieved at lambda approximate to 5.1-5.2 mum up to 300 K. For 10 x 800 mum(2) laser device, peak output power of similar to7.2 mW and threshold current density of 3 kA/cm(2) at room temperature are obtained. For some devices, if keep the peak output powers at the similar to2 mW level, quasi-continuous wave operation at room temperature persists more than 1 h are recorded. (Q) (C) 2001 Elsevier Science Ltd. All rights reserved.

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用选择激发光荧光研究了分子束外延生长的GaAsSb/GaAs单量子阱的光学性质,第一次同时观察到空间直接(Ⅰ类)和间接(Ⅱ类)跃迁.它们表现出不同的特性:Ⅰ类跃迁具有局域化特性,其发光能量不随激发光能量而变;Ⅱ类发光的能量位置随激发功率的增大而蓝移,也随激发光能量的增加而蓝移,复合发光发生在位于异质结GaAs一侧的电子和GaAsSb中的空穴之间,实验结果可以很好地用电荷分离造成的能带弯曲模型来解释,这也是空间间接跃迁的典型特性.还用光荧光的激发强度关系和时间分辨光谱进一步论证了GaAsSb/GaAs能带排列的Ⅱ类特性,并通过简单计算得到了应变和非应变状态下GaAsSb/GaAs异质结的带阶系数.