GaP∶NLPE片的纵向载流子浓度分布

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砷化镓晶片表面损伤层分析

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掺铒硅光致发光的研究

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我国半导体物理研究进展

简单地回顾了近年来我国半导体物理研究的进展。它包括三个方面

GaAs（311）A衬底上自组装InAs量子点的结构和光学特性

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人工神经网络与神经计算机及其实用化

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δ掺杂GaAs超晶格的辐射跃迁

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CG光学扫描全息术和FZP光学扫描全息术分辨率比较

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用硅离子注入方法制备的纳米硅的拉曼散射研究

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碳纳米管的拉曼散射研究

介绍碳纳米管研究的最新进展。简单描述碳纳米管的生长和形貌结构特性,着重分析不同方法生长的多层和单层碳纳米管的喇曼散射测量结果。

MOCVD生长的未掺杂的In_（1-x）Ga_xP中的本征缺陷

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等效深中心研究新方法-瞬态光霍耳和光电阻率谱

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量子阱光电子器件的发展与中国光电子器件产业的形成

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Si_（1-y）C_y合金的固相外延生长及其特性

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In_（0.49）Ga_（0.51）P中缺陷的俘获行为

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