MOCVD生长的未掺杂的In_（1-x）Ga_xP中的本征缺陷
| Data(s) |
1999
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| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:09:55导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:09:55Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5301.pdf: 304309 bytes, checksum: 65432c1383ce646c5d60ac561ac6ae2b (MD5) Previous issue date: 1999 国家重点实验室资助 中科院半导体所;曲阜师范大学物理系 国家重点实验室资助 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王海龙;封松林.MOCVD生长的未掺杂的In_（1-x）Ga_xP中的本征缺陷,光电子·激光,1999,10(4):344 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
