高能~(136)Xe离子辐照聚酰亚胺化学改性的电子能损效应

用1.755GeV136Xe离子在真空室温环境下辐照叠层聚酰亚胺薄膜,通过红外和紫外光谱测量研究了高电子能损离子辐照引起的化学降解及炔基产生效应。红外测量结果表明,典型官能团随辐照注量的增加指数降解,且径迹芯中所有官能团均遭到破坏,对应8.8(最小能损,第一层)和11.5keV/nm(最大能损,第五层)电子能损,136Xe辐照聚酰亚胺的平均降解半径分别为3.6和4.1nm。而相应能损条件下炔基的生成截面分别为5.6和5.9nm大于官能团的降解截面。紫外结果表明辐照引起的吸光度的改变随辐照注量线性增加,发色团的产生效率随电子能损的增大而增加。

15.14 MeV/u ~(136)Xe离子引起的单粒子效应(英文)

研究了 1 5.1 4MeV/u136 　Xe离子在不同批次的 3 2k× 8bits静态存储器中所引起的单粒子效应 .获得了单粒子翻转和单粒子闭锁截面与入射角度的依赖关系 .将单粒子效应截面与灵敏区中沉积的能量相联系 ,而不是线性能量转移(LET)值 .估计了灵敏体积的深度和死层的厚度 .

~(136)Ba的10~+同质异能态

利用 450MeV的82 Se束流轰击139La靶 ,通过核子转移反应产生了136 Ba ,用在束γ谱学方法测量了其激发态的γ衰变 ,观测到了它的 1 0 +态同质异能态并得到该同质异能态的寿命为 94ns.