15.14 MeV/u ~(136)Xe离子引起的单粒子效应(英文)
| Data(s) |
15/09/2002
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|---|---|
| Resumo |
研究了 1 5.1 4MeV/u136 Xe离子在不同批次的 3 2k× 8bits静态存储器中所引起的单粒子效应 .获得了单粒子翻转和单粒子闭锁截面与入射角度的依赖关系 .将单粒子效应截面与灵敏区中沉积的能量相联系 ,而不是线性能量转移(LET)值 .估计了灵敏体积的深度和死层的厚度 . |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
侯明东,张庆祥,刘杰,王志光,金运范,朱智勇,甄红楼,刘昌龙,陈晓曦,卫新国,张琳,樊友诚,祝周荣,张弋艇.15.14 MeV/u ~(136)Xe离子引起的单粒子效应(英文), 高能物理与核物理, 2002-09-15, 2002( 09):904-908 |
| Palavras-Chave | #单粒子翻转 #单粒子闭锁 #静态存储器 |
| Tipo |
期刊论文 |
