高能~(136)Xe离子辐照聚酰亚胺化学改性的电子能损效应
Data(s) |
10/03/2004
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Resumo |
用1.755GeV136Xe离子在真空室温环境下辐照叠层聚酰亚胺薄膜,通过红外和紫外光谱测量研究了高电子能损离子辐照引起的化学降解及炔基产生效应。红外测量结果表明,典型官能团随辐照注量的增加指数降解,且径迹芯中所有官能团均遭到破坏,对应8.8(最小能损,第一层)和11.5keV/nm(最大能损,第五层)电子能损,136Xe辐照聚酰亚胺的平均降解半径分别为3.6和4.1nm。而相应能损条件下炔基的生成截面分别为5.6和5.9nm大于官能团的降解截面。紫外结果表明辐照引起的吸光度的改变随辐照注量线性增加,发色团的产生效率随电子能损的增大而增加。 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
孙友梅,朱智勇,金运范,王志光,侯明东.高能~(136)Xe离子辐照聚酰亚胺化学改性的电子能损效应, 核技术, 2004-03-10, 2004( 03):213-216 |
Palavras-Chave | #快重离子辐照 #电子能损 #聚酰亚胺 #化学降解 |
Tipo |
期刊论文 |