离子注入GaAs实现双包层掺镱光纤激光器被动调Q锁模

用离子注入的半绝缘GaAs晶片作为吸收体和输出镜,在双包层掺镱光纤激光器上实现了调Q锁模.离子注入的能量为400keV的As+离子,注入剂量为1016/cm2,然后在600℃下退火20min.当抽运功率为5W时,脉冲平均输出功率为200mW,调Q包络重复频率为50kHz,半高宽为4μs,锁模脉冲重复频率为15MHz。

长波长半导体可饱和吸收镜的研制及其在固体激光器被动锁模和调Q中的应用

介绍了国际上流行的长波长半导体可饱和吸收镜的研制方法及其在固体激光器被动锁模和被动调Q中所起的作用,并分别就Cr4+:YAG,Cr:Forsterite等激光器进行了阐述.

Passive Q-Switching in a Flash-Lamp Pumped Nd∶YAG Laser with Ion-Implanted GaAs Wafer

A passive Q-switched flash-lamp-pumped Nd:YAG laser with the ion-implanted semi-insulating GaAs water is reported．The wafer is implanted with 400keV As~+ ions in the concentration of 10~(16)cm~(-2). Using GaAs wafer as an absorber and an output coupler．62ns pulse duration of single pulse is obtained.

用半导体可饱和吸收镜对掺钕晶体激光器进行被动调Q和锁模

较全面介绍了几种掺钕激光晶体的光学性质。就掺钕激光晶体主要的三个波长探讨了用一种新型的吸收体（半导体可饱和吸收镜）进行被动调Q和锁模。

量子阱激光二极管泵浦Nd:YLF固体激光器的调Q

于2010-11-23批量导入

微生物法生成辅酶Q10的研究

本文根据我们实验室建立的发酵产物中辅酶Q10定性定量检测方法，筛选得到一株可以代谢产生较多辅酶Q10的野生菌株放射形土壤杆菌(Agrobacterium radiobacter No.50)。 为了提高放射形土壤杆菌的辅酶Q10的产量，本实验利用液体培养研究了单因素对菌株辅酶Q10产量的影响，并用正交法确定了最佳液态发酵条件。最佳发酵培养基是：葡萄糖20g,蔗糖40g, 硫酸铵10g,玉米浆30g, 酵母膏3g，K2HPO4 3g,MgSO4.7H2O 1g，蒸馏水1000mL,pH 7.0-7.2。最佳发酵条件是：转接斜面菌种到种子培养基, 转速220r/min、温度28。C培养24h后，转入发酵培养基(250mL三角拼装液量为50mL，pH 7.0), 接种量为10％，转速220r/min、温度28。C，培养120h。在此条件下，菌体湿重约为50g/L，辅酶Q10含量约为20mg/L。 本文以放射形土壤杆菌为出发菌株进行诱变育种，以期获得辅酶Q10高产菌。根据微生物育种原理、参照辅酶Q10的代谢调控机制，以野生型放射形土壤杆菌(Agrobacterium radiobacter No.50)为出发菌株，采用紫外线和亚硝基胍复合诱变技术，依次筛选得到菌体提取物M抗性菌ARM－7、烟草提取物T抗性菌株ARMT-26、Vk3抗性菌株ARMTV-25、链霉素抗性菌株ARMTVS-32，菌株ARMTVS-32产量达到了36.8mg/L，与原始出发菌株相比，产量提高了77％。 研究了茄尼醇、对羟基苯甲酸、橘子皮提取物D、胡萝卜提取物E、烟草提取物对ARMTVS-32合成辅酶Q10的影响，结果表明这些物质对菌体合成辅酶Q10有一定促进作用，添加0.2g/L茄尼醇时，辅酶Q10含量提高了17%，达到了40.7mg/L；添加1.2g/L橘子皮提取物D时，辅酶Q10含量提高了13.8%，达到了39.6mg/L；添加0.5g/L胡萝卜提取物E时，辅酶Q10含量提高了25.3% ，达到了43.6mg/L；添加8g/L烟草提取物时，辅酶Q10含量提高了12.6%，达到了39.2mg/L。 Production of Coenzyme- Q10 (CoQ10) by fermentation is considered as a process with broad prospects.Quantitative Analysis of CoQ10 in the culture of microbe by TLC—UV spectrophotometry was developed, by using this method we got the strain Agrobacterium radiobacter,which was isolated from forest soil of southwest of China. The effect of the single factor on CoQ10-production ability of the strain was examined by liquid cultured, and its best optimum cultivation conditions were established by orthogonal method. The results showed that the optimum fermentation conditions were as following: carbon sources glucose 20g/L,sucrose 40g/L; nitrongen sources (NH4)2SO4 10g/L,maize liquid 30g/L;yeast extract 3g; K2HPO4 3g/L,MgSO4.7H2O 1g/L; initial pH was 7 and volume of medium(medium volume vs flask volume) was 50mL/500mL, incubating for 120h on a rotary shaker at 220 rpm and 28℃.Under these conditions, the biomass and CoQ10 concentration reached 50g/L and 20mg/L respectively. According to the biosynthesis mechanism of CoQ10 and breeding theory, CoQ10 over-production strains were screened by UV--NTG. mutation using Agrobacterium radiobacter No.50 as parent strain. A microbe-juice resistant mutant ARMTVS-32, which also could resist tobacco-juice, VK3 and streptomycin, was screened out from an agar plate. The CoQ10 content of ARMTVS-32 reached 36.8mg/L, which was 77% higher than the initial strain. In addition, We discussed the effects of some organic substrates on the synthesis of CoQ10 in ARMTVS-32. The results showed that solanesol, orange juice D, carrot juice E and tobacco juice could promote the CoQ10 accumulation in the cells. The CoQ10 content of ARMTVS-32 reached 40.7mg/L when added 0.2g/L solanesol,it reached 39.6mg/L when added 1.2g/L orange juice D，it reached 43.6mg/L when added 0.5g/L carrot juice E. it reached 39.2mg/L when added 8g/L tobacco juice.

Measurement of the isospin-filtering dd → 4He K+K- reaction at Q = 39 MeV

The total cross-section for the dd → 4HeK+K− reaction has been measured at a beam momentum of 3.7GeV/c, corresponding to an excess energy of 39MeV, which is the maximum possible atthe Cooler Synchrotron COSY-Jülich. A deuterium cluster-jet target and the ANKE forward magnetic spectrometer, placed inside the storage ring, have been employed in this investigation. We find a total cross-section of σtot < 14 pb, which brings into question the viability of investigating the dd → 4He a0(980)reaction as a means of studying isospin violation.

低速Ar~(q+)(q=7—14)离子入射Au表面激发的X射线谱

研究了高电荷态离子40Arq+(q=7—14)轰击金属Au表面产生的特征X射线谱。实验结果表明,在弱束流(nA量级)的情况下,对于动能相同的入射离子,当电荷态比较高(q=11)时,便能有效地激发靶原子的特征X射线,单离子的X射线产额高达10-8量级。分析结果显示,入射离子的势能、动能和这种相互作用特有的镜像相互作用势能沉积在靶表面,使靶原子内壳层电子激发和电离,形成空穴和产生外壳层电子填充空穴辐射特征X射线,特征X射线的产额随入射离子的势能(电荷态)的增加而增加。

高电荷态离子Ar~(q+)与Nb作用产生的X射线谱

利用光谱技术在超导离子源SECRAL上研究了10~20keV·q的Arq+(q=16,17)离子入射在金属Nb表面产生的X射线谱.实验结果表明,高电荷态Ar16+离子在金属表面中性化过程中存在着多电子激发,Ar16+的K壳层电子被激发产生空穴,级联退激发射Ar的Kα特征X射线.Ar空心原子的K层发射X射线的强度随入射离子的动能减弱,靶原子Nb的L层发射X射线强度随入射离子动能的增加而增强.Ar17+单离子的Kα-X射线产额比Ar16+单离子的Kα-X射线产额大3个数量级.

C~(q+)和O~(q+)与原子碰撞的电子俘获过程的理论研究

在ECPSSR理论的基础上,利用OBKN近似描述电子俘获过程,得到了包括电子俘获过程贡献的ECPSSR理论,编写了相应的计算程序。采用该程序计算了不同电荷态离子与多种靶原子碰撞的电子俘获截面和相应的X射线产生截面,将计算得到的包含电子俘获过程贡献的X射线产生截面与实验结果进行了比较。对于具有满K壳层的入射离子碰撞,X射线产生截面与入射离子电荷态基本无关;对于以直接电离为主导的碰撞过程,计算得到的X射线产生截面与实验数据符合得很好;对于全裸和单K空穴入射离子的碰撞,计算高估了X射线产生截面。

高电荷态离子~(40)Ar~(q+)与Si表面作用中的电子发射产额

报道了在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源原子物理实验平台上,用高电荷态40Arq+(1≤q≤12)离子作用于半导体Si固体表面时的电子发射产额实验测量.实验中,通过改变炮弹离子的电荷态和引出电压选取其不同的势能和动能,系统地研究了入射离子势能沉积和与其在固体中的电子能损对表面电子发射产额的贡献.结果表明,作为引起表面电子发射的两个主要因素,单离子的电子发射产额与炮弹离子在固体表面的势能沉积和电子能损都有近似的正比关系.

高电荷态离子~(129)Xe~(q+)激发Au表面产生的X射线谱

目的研究高电荷态离子129Xeq+(q=28,29,30)入射金属Au表面产生的特征X射线谱。方法应用高电荷态离子束流激发。结果在束流强度小于139 nA条件下,单离子的X射线产额可达10-8量级,特征X射线的产额随入射离子的动能和势能(电荷态)的增加而增加。结论与传统的X射线产生方法不同,高电荷态离子可以激发重原子的内壳层特征X射线谱,其产额高,品质好。