高电荷态离子~(40)Ar~(q+)与Si表面作用中的电子发射产额
| Data(s) |
15/10/2007
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| Resumo |
报道了在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源原子物理实验平台上,用高电荷态40Arq+(1≤q≤12)离子作用于半导体Si固体表面时的电子发射产额实验测量.实验中,通过改变炮弹离子的电荷态和引出电压选取其不同的势能和动能,系统地研究了入射离子势能沉积和与其在固体中的电子能损对表面电子发射产额的贡献.结果表明,作为引起表面电子发射的两个主要因素,单离子的电子发射产额与炮弹离子在固体表面的势能沉积和电子能损都有近似的正比关系. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
赵永涛;肖国青;徐忠锋;Abdul Qayyum;王瑜玉;张小安;李福利;詹文龙;.高电荷态离子~(40)Ar~(q+)与Si表面作用中的电子发射产额, 物理学报, 2007-10-15, 2007( 10):5734-5738 |
| Palavras-Chave | #高电荷态离子 #势能沉积 #电子能损 #单离子产额 |
| Tipo |
期刊论文 |
