I：端羟基液体聚丁二烯的氯化 II：氯化端羟基液体聚丁二烯的固化

合成了一系列氯含量不同的氯化丁羟（氯含量为5％～68％）。利用红外光谱、核磁共振观察了氯含量不同的氯化丁羟的双键变化。通过氯含量－5反应时间的关系及上述观察结果表明；丁羟在四氯化碳中进行氯化，首先进行加成反应，待双键饱和后，进行取代反应。用红外光谱观察了丁羟在氯化反应中三种微观结构的变化，观察了氯化高顺式聚丁二烯的双键变化，对氯化丁羟的赤苏异构体的碳－氯键红外光密度比值，进行了分析。这些观察和分析说明；丁羟在四氯化碳中氯化，存在着顺－反异构化反应。较详细地研究了影响交联反应的主要因素，利用低聚物的特点，通过数均分子量和粘度表征了交联反应程度。从而观察到，交联反应伴随着氯化反应之中，交联程度随着反应液中羟浓度的提高，随着反应时间的延长而增大。在一定反应液浓度下交联程度可以减小到很低程度，得到完全可溶的氯化丁羟。反应温度对交联反应在20～76℃范围无显著影响。提出了以氯乙醇为调节剂合成液体氯化丁羟的方法。实验结果说明，氯乙醇比文献中得到的乙醇在抑制交联反应，提高氯含量方面效果更好。氯化丁羟的羟值分析结果表明，丁羟的羟值在氯化反应中没有损失。这对氯化丁羟作为遥瓜型低聚物应用，在进行固化反应时，是非常重要的。随着溶剂介电常数的提高，出现凝胶的极限浓度也提高。根据这一实验和上述各项实验结果，基于烯类化合物氯化反应的一些基础研究工作。我们认为，在丁羟的氯化反应中，存在着两种反应机理；离子机理的加成，导致可溶氯化产物，自由基机理除加成外，导致交联，顺－反异构化反应。II 氯化丁羟与TDI的反应为二级反应。DBTDL（二月桂酸二丁基锡）对本固化反应有明显的催化效果。在100 ℃，以DBTDL为催化剂的固化反应中，氯化丁羟与TDI的反应速度常数为11.9 * 10~(-3)（升／克分子·秒），这个反应活化能为5.5千卡／克分子。合成了一系列的氯化丁羟聚氨酯。红外光谱测试结果表明，NH基分为两个红外吸收峰；3440 cm~(-1), 3310 cm~(-1)。高波频峰的为游离的NH基，低波频峰为缔合的NH基，其缔合度为88％。同时，表征了氯化丁羟聚氨酯的主要红外光谱吸收峰。研究了氯化丁羟聚氨酯的形态结构。透射电子微显镜示出氯化丁羟聚氨酯的微相分离区域结构，其硬段区域结构的尺寸大约趋于在0.7～1.6μ范围内（硬段含量30％）。差热分析和示差扫描量热分析结果一致表明，氯化丁羟聚氨酯在60 ℃-90 ℃范围内有一宽而弱的吸热转变区，在115 ℃左右有一吸热峰，它们归因于硬段区域结构的热转变。宽角X光衍射实验没有观察到明显的结晶吸收峰的存在。这个实验结果主要与氯化丁羟聚氨酯的无规、侧基及不对称的结构特点有关。初步实验结果显示出，氯化丁羟聚氨酯具有优异的粘结性能，其抗剪强度约是丁羟聚氨酯的六倍。通过氧化锌的作用，可以提高氯化丁羟聚氨酯的抗张强度。因为粘结强度是水轮机耐磨耐汽蚀涂层研制中比较关键的因素，所以，这个实验结果是很有意义的。

铁体系催化丁二烯聚合的研究

本工作研究了以三氯化铁为主催化剂，三异丁基铝为助催化剂，吡啶、苯胺、丙烯腈、乙二胺、四甲基乙二胺、2,2'－联比啶和邻啡啰啉等含氮化合物为配位体的催化体系聚合丁二烯。发现邻啡啰啉做配位体时，该体系有很高的催化活性，Fe/BD为3.0 * 10~(-5)，Al/BD为2.0 * 10~(-3)时，聚合物收率可达90％以上。认为能与活性中心形成五圆或六圆螯合环的共轭含氮化合物做配位体，对聚合活性有非常显著的提高。而且共轭的程度愈高，活性愈高。故乙二胺、四甲基乙二胺、2,2'－联吡啶及邻啡啰啉虽然都能够与Fe形成五圆螯合物，但活性不一样：并用分子轨道理论进行了讨论。本文详细地研究了FeCl_3-Al(i-C_4H_9)_3-phen体系催化丁二烯聚合，考察了phen、Al(i-C_4H_9)_3的用量及聚合温度对催化活性、聚合物特性粘数及微观结构的影响。加入phen得到中乙烯基PBD(1,2-结构为40％－60％)，而不加入phen则得到顺式1,4－结构较高的PBD（顺式－1,4结构为74.4％）。该体系得到的PBD的特性粘数一般大于10，难以加工，故进行了分子量调节的尝试。体系中加入氯化正丁烷、溴代正丙烷、碘甲烷等卤代烷及三氯乙烯、氯代苯等卤代烃，均不能使PBD的分子量降低，而且用量较大时基本不影响聚合反应。卤代丙烯及氯代苄均可以降低PBD的分子量，其中氯丙烯的分子量调节效果最佳。若用量合适，可以使PBD的特性粘数从10以上降到4以下，而基本上不影响聚合物收率。PBD的分子量分布较窄，分布宽度指数为2.0左右，不随氯丙烯的用量而改变。从实验结果讨论了FeCl_3-AlCi-C_4H_9)_3-phen体系催化丁二烯聚合的机理及分子量调节剂的链传移机理。认为该体系催化丁二烯聚合的活性中心为：链转移是通过分子量调节剂对活性中心的氧化加成－还原消除反应进行的。在phen存在下，FeCl_3、Fe(acac)_3等与烷基铝作用，及(phen)_2FeCl_2与烷基铝作用，均可以生成烷基铁络合物：但只分离出(C_2H_5)_2Fe(phen)_2。(i_C_4H_9)_2(phen)_2及由氯化铁和(phen)_2FeCl_2合成的烷基铁络合物还未得到纯的产物，但从反应产物的易氧化性、水解产物的分析及红外光谱，证实产物中存在烷基铁。用元素分析、红外光谱、远红外光谱及气相色谱分析表征了(C_2H_5)_2Fe(phen)_2的结构。(C_2H_5)_2Fe(phen)_2单独使用不能使丁二烯聚合，需加少量的烷基铝，与其中一个配位体络合，使活性中心有供丁二烯配位的空轨道，聚合反应才能顺利进行：得到的PBD特性粘数为1.8～2.4左右，1,2－结构为40－60％，顺式－1,4结构为53～41％，反式－1,4结构很少。初步证明所提出的铁体系催化丁二烯聚合的机理基本上是正确的。初步表征了铁体系聚丁二烯硫化胶的性能，其抗张强度为203～205公斤／厘米~2，300％定伸强度为70～125公斤／厘米~2，伸长离为453～573％。

四氟乙烯等离子体聚合反应的基础研究

[I] 等离子体聚四氟乙烯的ESCA表征 本研究采用外部电容耦合式聚合装置，频率为13.56MHz，合成了等离子体聚四氟乙烯（PPTFE）。应用ESCA表征了辉光压和非辉光压产物的结构，同时应用CNDO进到了理论计算。结果表明，在辉光压上非辉光压中制得的PPTFE结构差别很大。非辉光内淀积物结构亦现差异。辉光压内的PPTFE是高度支化交联的，在本实验的典型反应条件下，PPTFE的F/C比为1.42，Gs区五个峰确定归属后，各主要对应基团的相对组成约为：CF_3－21%、CF_2－32%、CF－22%、－C from | to | of — 20%，其余为少量的CFH、CH_2（II）、CH_2（I）。在非辉光压内可得到近於线线型的PPTFE，其F/C为2.08，端基CF_3约占15%，CF_2占78%，代表支化交联的基团CF、－C from | to | of －皆为零，另外应用X射线衍射法证实，在非辉光压中形成的PPTFE具有类似于聚四氟乙烯的（PTFE）结晶，这一实验结果至今未见文献报导。深入分析这一结果，并运用ESR、MS、~(19)F－NMR等表征手段，进一步提出四氟乙烯等离子体聚合反应机理。这方面在[II]中论述。本工作提出五类十三种模型化合物，并运用Siegbahn的电荷电位模型同时结合使用CNDO/2电子计算机程序；还运用Pauling价键模型，分别应用这两种理论方法，计算了PPTFE中ClS结合能位移（ΔEi），所得结果相近，从而为ClS区五个峰的归属提供理论依据。五个峰归属为：(1) 284.7(ev) － CH_2(I)，(2) 287.0(ev) － －C from | to | of －、CH_2(II)，(3) 289.0(ev) －CF、CFH，(4) 291.5(ev) － CF_2，(5) 293.6(ev) － CF_3。通过对模型化合物中ClS的ΔEi计算结果，推导出F作为α、β、γ位碳上的取代基对α位碳上IS电子结合能位移影响所产生的效应值，并初步总结出表达这种效应的经验式：ΔEi ＝ aα ＋ bβ ＋ cγ式中α、β、γ分别为2.23 ± 0.08(ev)、0.27 ± 0.02(ev)、0.20 ± 0.02(ev)，a、b、c为取代基F的个数。实验结果还证明，淀积位置、功率、压力、等离子气体如Ar、He、N_2等反应条件对PPTFE膜结构有影响，并应用能量梯度解释这种影响；另外发现，同功率、同压力但不同淀积位置上以及同淀积位置但不同功率或不同压力时的PPTFE膜结构所受能量梯度的影响。本工作根据等离子体聚四氟工烯结构的表征结果，并结合ESR、MS等有关分析数据，提出了PPTFE的结构模型。[II] 等郭子体聚四氟乙烯的反应机理 鉴于等离子体聚合反应的复杂性，目前对等离子体聚合反应机理争论较大，其焦点是：反应的活性中心是离子还是自由基；反应地点是在气相还是在反应体系的固体表面。本工作通过对等离子体聚四氟乙烯气相产物的研究证实：等离子体聚合反就是通过自由基历程，引发和初级链增长主要在气相，脱F和支化交联反应在表面上进行。聚合反应装置同[I]中所述，聚合条件是功率60瓦，压力1 * 10~(-1)乇。通过液氟冷阱收集气相生成物，然后制备成有机溶液和本体溶液。气相生成物的ESR分析结果表明，PPTFE膜中存在自由基浓度约在10~(18)自旋数／克，峰形为一条反对称吸收线，宽为175G，g值是2.005。气相生成物的丙酮、苯、环已烷、已烷等有机溶液的ESR谱相同，皆为20条精细结构分裂谱线。另外，通过一系列实验，检测了桔黄色本体溶液的ESR谱，终于得到具有160条超精细结构的分裂谱线，自由基浓度高达10~(20)自旋数／克。初步认为是几种自由基的混合物，固谱图十分复杂，目前解谱尚有困难，需进一步研究。等高子体气相生成物中有大量自由基并且得到其精细和超精细分裂谱线，这一实验结果至今未见文献报导。这个结果进一步证实了聚合反应的活性中心主要是自由基。考察了PPTFE膜的自由基在90 ℃时随时间变化的ESR谱，发现一开始衰减很快；研究了PPTFE膜的自由基在不同气氛下常温衰减情况，结果指出：辉光压和非辉光压的PPTFE膜中自由基在空气中衰减快，辉光压的PPTFE膜中自由基在真空中及单体气氛中衰减缓慢。气相生成物的有机溶液在90 ℃时随时间变化的ESR谱表明，各峰衰减速率不同，证实并非一种自由基，溶液的自由基能与吡啶反应生成棕红色物质，可能是吡啶盐。本实验用GC－MS联用对气相冷凝物本体溶液进行了分析，比文献上只用MS与聚合反应体系联用分析气相混合物的方法，对分析反应机理提供更为有说服力的实验结果。结果表明，四氟乙烯等离子体聚合的气相生成物是直链的全氟烷烃（分子中碳原子数为C_3－C_8），还有含碳原子数为C_4、C_5、C_6、C_8全氟环烷烃，也可能是括分子链两端是自由基的直链全氟烷烃，还有二氟卡宾。从TFE等离子体聚合的气相中产生齐聚物及其结构特征，可以推断气相中发生了链引发反应和初级增长反应，引发反应的历程首先是TFE单体分子中π键断裂，其次是C~σ-C的σ键均裂，然后通过自由基的复合或诱导反应进行链的初级增长反应。还进行了气相生成物有机溶液的~(19)F－NMR分析，其结果初步看来与GC－MS的结果相一致。还探索了不同条件下在非辉光压内得到的PPTFE膜，进一步表明，在顺着气流方向的淀积位置上的膜结构是接近线型的。这个结果与用质谱、核磁的表征结果相符：从不用方面证实了上述反应历程。此外，通过对PPTFE及PTFE在Ar等离子体系中的刻蚀实验，表明了聚合膜上发生六量脱F反应。由这个结果并结合PPTFE膜及气相产物的结构表征，可以推测到PPTFE膜的支化，交联是通过表面反应进行的。综合四氟乙烯等离子体聚合反应机理的讨论，本论文建议了TFE的等离子体聚合反应历程模型。

微孔憎水膜结构控制及基与膜蒸镏行为的关系

膜蒸镏是以蒸气压差为驱动力的新的膜过程，与基它膜过程相比，其优点是在常压和适中的温差条件下进行，并可以处理极高浓度的溶液。本工作首先用聚偏氟乙烯为膜材料制备疏水性微孔膜，研究了用于膜蒸镏的PVDF膜孔结构控制问题，用三元相图讨论了各种制膜因素如：添加剂用量、分子量；聚合物浓度，混合溶剂比；凝固浴组成与温度对膜 孔结构的影响。本工作对每一条件形成的膜的断面都做了扫描电镜图示分析，归纳了膜孔结构随条件变化的规律，同时也讨论了这些制膜因素与膜蒸镏性能的关系。研究结果表明，控制添加剂PEG分子量在1000左右，PEG/PVDF在20/80左右，固含量在10～12%之间，Ac-DMF混合溶剂 Ac/DMF > 40/60（或纯DMF溶剂），无需蒸发时间，凝固浴组成：水／乙醇 ＜ 7/3（δ在18.0左右），凝固浴温度40 ℃左右，能够得到较好的适合于膜蒸镏的憎水微孔PVDF膜。我们还研究了膜后处理问题，用红外光谱定量分析添加剂含量，通过添加剂含量对水、乙醇浸泡、酸煮和乙醇－水萃取等处理方法进行了评价。其次，我们对用辐照法或等离子体法在通用纤维素类膜上接枝或镀上憎水单体使亲水膜憎水化进行了研究。研究结果表明，CA膜辐照接枝苯乙烯时，Pyd/St控制在10/90左右较好，并能够得到适用于膜蒸镏的改性憎水膜。等离子体法镀膜要注意镀层均匀性。我们还着重研究了凝固浴组成对PVDF膜孔结构的影响，确定了选择凝固浴介质的物化原则，建立了凝胶介质溶解度参数与孔结构的定量关系。认为：r_f = A (δ - δ')~2 + B δ > δ'时膜为指状孔结构，δ < δ'时膜为海绵状结构。我们还讨论了PVDF膜的一些蒸镏特性，结果表明，海绵状或具有较小指状孔结构的PVDF膜，不易被润湿，适合于膜蒸镏。

新型聚芳醚酮的改性及其分离膜的研究

本工作对近年来合成的一种新型耐热高分子材料——含酞侧基的聚醚（PEK-C），进行了磺化改性，磺酰胺化改性，季胺化改性，并磺化PEK-C进行了制备荷电膜的探索，制备出了磺化PEK-C的超滤膜及气体分离膜，对其性能进行了研究。1、磺化PEK-C用98%浓H_2SO_4的磺化剂在38℃和60℃温度下对PEK-C进行了磺化改性。结果表明在上述温和条件下可以方便地得到磺化度(X_S)为0.2～1.0的磺化PEK-C（SPEK）。磺化度由反应温度及反应时间加以调节。与文献报导的用H_2SO_4对PEEK的磺化反应比较，浓H_2SO_4磺化法更适于对PEK-C的磺化改性。通过I.R.，~1H和~(13)C NMR分析表明磺化取代反应发生在酸酞单元醚氧键的邻位氢原子上。PEK-C经磺化改性后其溶解性有所下降，由于分子链中引入极性离子基因，几乎失去卤代烃对SPEK-C的溶解能力。由DSC法测得Tg的结果表明Tg随磺化度的增加而呈线性升高，这是磺化后分子链间相互作用力增加使分子链刚性增加的结果。2、磺酰胺化PEK-C用氯磺酸对PEK-C进行磺化，以二乙胺进行胺化在室温～40 ℃下虽然可以得到磺酰胺化的PEK-C（SA-PEK），但结果表明氯磺酸过于强烈，磺酰胺化程度不易控制且导致PEK-C严重降解和胺化时产生交联胶。SA-PEK的溶解度有所提高，但严重的降解和交联使其失去薄膜的可能性。3、氯甲基化，季胺盐化PEK-C用氯甲醚-氧化锌-三氯乙烷或四氯乙烷体系进行PEK-C氯甲基化改性的探索，结果未得到取代度高的产物，原因在于PEK-C在上述体系中的溶解度及反应活性低，与聚芳醚砜类的氯甲基化的行为不同。4、SPEK-C荷电超滤膜的研究由Loeb-Sourirajan转相法制备了具有不对称结构的超滤膜该膜的水通量f = 80ml/cm~2.h，孔隙率Pr>80%。平均孔径200-400A，对6,7000分子量牛血清蛋白的截留率>90%。研究确定了最佳膜液组成及制膜条件，讨论了膜液组成及制膜条件对膜性能及结构的影响。用流动电位和膜电阻表征了SPEK-C膜的荷电性能，讨论了磺化度对膜性能的影响。以扫描电镜研究了SPEK-C膜的形态结构为典型的不对称结构的指状孔超滤膜结构。对膜的耐酸碱性进行了初步考察。5、磺化PEK-C气体分离膜采用压力法测定了SPEK-C（磺酸盐型）均质膜对N_2，H_2透过性能。结果表明与PEK_C均质膜相比较，PH_2有所下降，PN_2下降较大。因而LH_2/N_2有较大提高。SPEK-C磺酸盐型膜的气体透过性能与温度的依赖关系进行了初步探讨。本文还讨论了SPEK-C钠盐，锌盐，铁盐型均质膜对H_2，N_2气体透过性能的影响。

四川和云南汉族长寿老人长寿机理研究

随着社会的发展，人均寿命的延长，人口老龄化已经成为我国不可回避的社会 问题。老年人在医疗卫生保健方面的花费远远超过普通人群。健康长寿老人能避 免或者延缓年龄相关疾病的发生，从而减少在卫生保健方面的花费；另外，长寿 老人的子女在年龄相关疾病方面的患病率也显著低于年龄相匹配的对照组。因 此，开展健康长寿方面的研究，一方面可以提高老年人的生活质量，另一方面可 以改善由于人口老龄化而引起的社会问题。 我国长寿老人大多零散分布在乡区，并且由于长寿老人的身体条件等原因， 给完整的收集相关数据带来困难。国内关于长寿的研究主要集中在城镇，而且由 于人群、地域、生活方式等差异我们也不能完全借鉴国外的研究成果。因此,我 们对四川和云南汉族健康长寿老人进行横断面研究,并对其长寿机理进行探索。 从亲缘关系上我们把样品分为：长寿组、血缘组和无血缘组三个组；从年龄上分 为：≤59、60-89、90-94 和≥95 四个组。在实验中，我们测定了常规体检指标， 常见促炎细胞因子和抗炎细胞因子水平以及其调控区的单核苷酸多态性。 一般认为随着年龄增加血糖水平升高，并且高水平的 HDL-C 和高比率的 HDL-C/TC 以及低TC,TG 和LDL-C 水平有利于长寿。都江堰长寿老人血糖水平偏 低，显著低于血缘组和无血缘组以及其他年龄组；调整年龄后，都江堰≥95 岁 年龄组的血糖水平显著高于90-94 年龄组；血糖水平在性别间不存在显著差异。 都江堰长寿老人LDL-C 水平在90-94 和≥95 年龄组显著低于其他年龄组，≥95 年龄组显著低于90-94 年龄组；调整性别后，90-94 年龄组女性的LDL-C 水平显 著高于男性水平，其他年龄组在性别间差异不显著；女性≥95 年龄组显著低于 90-94 年龄组，但在男性中差异不显著。TG 和TC 水平在都江堰和红塔两地各组 中的变化趋势都存在着差异，在性别间比较发现两地各年龄组变化趋势都一致， 仅在90-94 年龄组女性都显著高于男性。HDL-C 水平和HDL-C/TC 在都江堰和红 塔两地各组中变化趋势不一致，调整性别后HDL-C/TC 在90-94 年龄组两地女性 的比率都显著大于男性。通常IL6、IL10 和TNFα 水平随着年龄增加而升高。云 南长寿老人的IL6 水平显著高于血缘组和无血缘组，性别之间的差异不显著。 IL10 水平长寿组显著高于无血缘组，TNFα 水平在各组间差异不显著，由于这两 种细胞因子在绝大多数个体中呈本底水平表达，很难分析年龄与它们水平的相关性。在这三种细胞因子调控区的常见SNPs 位点上，许多研究表明il10-1082 和 il6-174 位点和长寿存在着一定的相关性，tnfα-308 位点与长寿不存在相关性。 在我们收集的样品中il6-174 位点不存在多态性。男性个体的il10-592A 和-819T 的等位基因频率在长寿组显著高于无血缘组，在-1082 位点与长寿不存在相关性。 tnfα-238A 和-308A 等位基因频率在长寿组中显著高于无血缘组，在各组单倍型 间的差异显著，G-G 单倍型在长寿组中呈下降趋势；调整性别后，两位点的等位 基因频率在各组间的差异不显著，但单倍型在各组间差异显著，变化趋势同调整 性别前一致。 总之，四川都江堰长寿人群的血糖水平和LDL-C 水平比较低，都江堰和云南 红塔两地长寿老人的血脂水平存在着地域差异。与前人的研究结果比较,汉族人 群的IL6、IL10 和TNFα水平以及常见的启动区SNPs 位点可能存在人种差异。

HIV-1 C亚型密码子优化gp120负载人DC疫苗的构建及体外功能

目的构建HIV-1C亚型gp120负载人树突状细胞(dentriti ccell,DC)疫苗,并对其体外功能进行初步检测。方法利用Amaxa细胞核转染技术将pcDNA3.1-gp120质粒转染至人成熟DC,以Western blot检测gp120的表达。通过流式细胞仪检测DC表面共刺激分子的变化、混合淋巴细胞反应、CD8+T细胞表面活化分子CD25的表达及其分泌IFN-γ的变化。结果通过Western blot检测,gp120在DC中得到了正确表达。经流式细胞仪检测,DC表面分子CD80表达率由刺激前的33.34%上升至43.20%,CD86表达率由刺激前的60.08%上升至90.34%;负载gp120DC刺激淋巴细胞增殖率为86.72%;CD8+T细胞表面分子CD25表达率由刺激前的5.27%上升至74.21%,IFN-γ的表达率达37%。结论负载了HIV-1gp120的人树突状细胞能够显著刺激淋巴细胞的增殖、增强CD8+T细胞表面活化分子CD25表达以及促进CD8+T细胞分泌IFN-γ,为下一步DC治疗性疫苗的体内研究奠定基础。

INFLUENCE OF THE 90-DEGREES PARTIAL DISLOCATION CORE STRUCTURE IN SILICON ON ENERGY-LEVELS

An LCAO-scheme taking into account 10 atomic orbitals (s-, p-, and d-type) is used to calculate the electronic structure of the reconstructed 90-degrees partial dislocation in Si. Two different valence force fields producing deviating results are used for modelling the core structure. Geometrical data published by another group is also used. The aim is to explore the influence of geometry on energy levels. We find that the band structure depends sensitively on bond angles. Using data determined by the Tersoff potential we obtain two bands of which the upper one penetrates deeply into the indirect band gap while the geometry minimizing the simple Keating potential leaves the gap completely clear of dislocation states. Thus, from a theoretical point of view, the chief difficulty in calculating the electronic structure of the reconstructed 90-degrees partial is the lack of accurate structural information.

ENERGY-LEVEL CALCULATIONS OF THE RECONSTRUCTED 90-DEGREES PARTIAL DISLOCATION IN SILICON

An LCAO scheme taking into account 10 atomic orbitals (s-, p-, and d-type) applied to a supercell containing 256 atoms is used to calculate the bound states of the reconstructed 90-degrees partial dislocation in Si. The results differ significantly from our earlier calculations on the unreconstructed 90-degrees partial using the same method. We find two bands separate from each other in the entire Brillouin zone and the upper band penetrates deep into the indirect band gap which is in contradiction with the general opinion that core reconstruction clears the band gap of dislocation states.

INVESTIGATION OF C-60 SINGLE-CRYSTAL BY X-RAY-METHODS

C-60 Single crystals grown by a single-temperature-gradient technique were characterized by synchrotron radiation white beam x-ray topography and x-ray double crystal diffraction with Cu K-alpha 1 radiation on conventional x-ray source. The results show that the crystal is rather well crystallized, The x-ray topographies give an evidence of dendritic growth mechanism of C-60 Single crystal, and x-ray double crystal diffraction rocking curve shows that there are mosaic structural defects in the sample. A phase transition st 249+/-1.5% K from a simple cubic to a face centered cubic structure is confirmed by in situ observation of synchrotron radiation white beam x-ray topography with the temperature varing from 230 to 295 K.

ELECTRON-STATES OF A VACANCY IN THE CORE OF THE 90-DEGREES PARTIAL DISLOCATION IN SILICON

An LCAO scheme (linear combination of atomic orbitals) taking into account ten atomic orbitals (s-, p-, and d-type) is used to calculate the electronic structure of a vacancy present in the core of the reconstructed 90 degrees partial dislocation in silicon. The levels in the band gap are extracted using Lanczos' algorithm and a continued fraction representation of the local density of states. The three-fold degenerate stale of the ideal vacancy is split into three levels with energies 0.26, 1.1, and 1.9 eV measured from the valence band edge.

60%电光效率高功率激光二极管阵列

设计并制备了980 nm高量子效率和极低光损耗的激光二极管(LD)外延材料和器件。微通道封装1 cm激光二极管阵列在连续(CW)工作条件下最大电光效率达到60.0%,相应的斜率效率和输出光功率分别为1.1 W/A和38.2 W。测试得到外延材料的内损耗系数和内量子效率分别为0.58 cm~(-1)和91.6%。测试分析表明,器件电光效率的提高主要在于新型的InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱和大光腔结构设计。

Zn-doped InGaAs Base Heterojunction Bipolar Transistors Grown by Low Pressure Metal Organic Chemical Vapor Deposition

High performance InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors(HBTs) have been widely used in high-speed electronic devices and optoelectronic integrated circuits. InP-based HBTs were fabricated by low pressure metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) and wet chemical etching. The sub-collector and collector were grown at 655 ℃ and other layers at 550 ℃. To suppress the Zn out-diffusion in HBT, base layer was grown with a 16-minute growth interruption. Fabricated HBTs with emitter size of 2.5×20 μm~2 showed current gain of 70~90, breakdown voltage(BV_(CE0))>2 V, cut-off frequency(f_T) of 60 GHz and the maximum relaxation frequency(f_(MAX)) of 70 GHz.

InGaAs/GaAs量子点阵列中的能级计算

根据八带k·p理论,在三维InGaAs/GaAs量子点阵列中求解kx=ky=kz=0 处的有效质量哈密顿H0的本征值,得到InGaAs量子点中导带中电子基态EC1,第一激发态EC2和重空穴态EHH1的能级.随着In组分从30%增加100%,InGaAs量子点中EC2到EC1的带内跃迁波长从18.50 μm 蓝移到11.87 μm,而EC1到EHH1的跃迁波长则从1.04 μm红移到1.73 μm;随着量子点高度从1.0 nm增加到 5.0 nm,In0.5Ga0.5As和InAs量子点中EC1到EC2的带内跃迁都从束缚态-连续态型转换到束缚态-束缚态型,对应于两种量子点的带内跃迁波长分别从8.12 μm (5.90 μm)红移到 53.47 μm(31.87 μm),两种量子点中EC1到EHH1的跃迁波长分别从1.13 μm(1.60 μm)红移到1.27 μm(2.01 μm).