ELECTRON-STATES OF A VACANCY IN THE CORE OF THE 90-DEGREES PARTIAL DISLOCATION IN SILICON

An LCAO scheme (linear combination of atomic orbitals) taking into account ten atomic orbitals (s-, p-, and d-type) is used to calculate the electronic structure of a vacancy present in the core of the reconstructed 90 degrees partial dislocation in silicon. The levels in the band gap are extracted using Lanczos' algorithm and a continued fraction representation of the local density of states. The three-fold degenerate stale of the ideal vacancy is split into three levels with energies 0.26, 1.1, and 1.9 eV measured from the valence band edge.

低温GaAs被动调Q锁模Nd：Gd0．42Y0．58VO4混晶激光器特性研究

采用低温生长GaAs晶体作为被动饱和吸收体兼输出镜,实现了Nd∶Gd0.42Y0.58VO4混晶激光器的调Q锁模运转。研究了Nd∶Gd0.42Y0.58VO4激光器的基频运转特性。在输出镜透射率T=10%、腔长L=40 mm的情况下,当抽运功率为8.6 W时,获得激光输出功率3.78 W,光光转换效率为43.9%。并测量了Nd∶Gd0.42Y0.58VO4混晶被动调Q激光器的输出特性。实验结果表明激光器调Q运转阈值为2 W,当抽运功率为3.7 W时,激光器出现调Q锁模行为;当抽运功率为8.6 W时,激光器调Q锁模深度达70%以上,对应的脉冲包络重复频率为670 kHz,半峰全宽为180 ns,平均输出功率为1.35 W,光光转换效率为15.7%。

基于小波包分析的三维宽场显微图像复原方法

提出了基于小波包分析的三维宽场显微图像复原新方法．分析了小波包分析在信号去噪中所具有灵活精确的局部解析能力；简述了具有较强超分辨复原能力的最大似然法（PML法）．采用小波包分析进行去噪预处理，再用PML算法对三维图像进行复原．实验结果表明，三维宽场显微图像散焦信息的干扰得到有效排除，噪声得到有效抑制，信噪比得到明显改善，图像复原获得了较好的效果．

我国半导体科学领域基础研究迈入新阶段--国家自然科学基金半导体学科2004年申请概况分析

2004年国家自然科学基金委员会半导体学科受理的面上项目申请数终于有了突破,文中介绍了2004年半导体学科基金申请与资助概况,分析半导体学科受理申请的近期动态,介绍学科拟采取的对策,并附2004年半导体学科批准资助的面上项目及重点项目,供广大科研人员参考.

一种新型二元判定图器件和电路

提出了一种基于二元判定图(BDD)原理的新型逻辑器件和电路.BDD器件以电流模式的开关电流存储器为基本单元,具有符合二元判定图的两向通路的特点.用这种器件按照BDD树形图可以构成任意形式的组合逻辑电路.给出了或门、异或门及四位加法器电路的例子,并使用HSPICE仿真器进行了仿真,验证了这种器件及其电路的正确性.

高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制

报道了基于蓝宝石衬底的高性能1mmAlGaN/GaNHEMTs功率器件.为了提高微波功率器件性能,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案.测试表明,器件电流密度为0.784A/mm,跨导197mS/mm,击穿电压大于40V,截止态漏电较小,1mm栅宽器件的单位截止频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz,功率增益为11dB,功率密度为1.2W/mm,PAE为32%,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力.