低温GaAs被动调Q锁模Nd:Gd0.42Y0.58VO4混晶激光器特性研究
Data(s) |
2006
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Resumo |
采用低温生长GaAs晶体作为被动饱和吸收体兼输出镜,实现了Nd∶Gd0.42Y0.58VO4混晶激光器的调Q锁模运转。研究了Nd∶Gd0.42Y0.58VO4激光器的基频运转特性。在输出镜透射率T=10%、腔长L=40 mm的情况下,当抽运功率为8.6 W时,获得激光输出功率3.78 W,光光转换效率为43.9%。并测量了Nd∶Gd0.42Y0.58VO4混晶被动调Q激光器的输出特性。实验结果表明激光器调Q运转阈值为2 W,当抽运功率为3.7 W时,激光器出现调Q锁模行为;当抽运功率为8.6 W时,激光器调Q锁模深度达70%以上,对应的脉冲包络重复频率为670 kHz,半峰全宽为180 ns,平均输出功率为1.35 W,光光转换效率为15.7%。 山东省科技厅科技攻关计划资助课题 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
卓壮;姜其畅;王勇刚;苏艳丽;李涛;李建.低温GaAs被动调Q锁模Nd:Gd0.42Y0.58VO4混晶激光器特性研究,光学学报,2006,26(1):77-80 |
Palavras-Chave | #半导体器件 |
Tipo |
期刊论文 |