车载式变量施药机控制系统设计与试验

施药控制是提高作业质量、减少化学污染、降低生产成本的关键技术。该文基于单片机AT89C52,采用滞环控制法,设计了一种车载式变量施药机控制系统。该系统能够根据施药机行走速度自动变更喷药量,实现施药量不变。试验表明:加速度小于0.4m/s2时,实际施药量与设定施药量之间的误差不超过8%,且雾化效果良好、生产效率高,还可以减少农药的残留和对环境的污染,能够满足农业生产的需要。

黄土高原(土娄)覆盖层与黏化层的土壤水文效应

黄土高原(土娄)土在《中国土壤系统分类(修订方案)》中属土垫旱耕人为土类的相应亚类,其土壤水分状况是诊断表层所属人为表层类堆垫表层(覆盖层)和诊断表下层(黏化层)的重要诊断特征。以土壤持水性能、蒸发性能和水分移动性能为切入点,对(土娄)土覆盖层和黏化层的土壤水文效应进行研究论证,以期对土垫旱耕人为土类及其亚类的诊断层与诊断特征获取更深层的认识。

黄土高原沟壑区通量数据空间代表性研究

利用FSAM(Flux Source Area Model)模型,对中国科学院长武黄土高原农业生态试验站2004—2005年冬小麦生育期内的通量数据空间代表性进行了研究。结果发现,在90%贡献率水平下,整个冬小麦各生育期内通量源区范围动态变化明显,通量贡献最大点在距离观测点7.7~36.2m范围内变化。在盛行风向上,通量源区离观测点最近点为3.3 m,最远点可达172.8 m;在侧风向上,通量源区在38.1~128.4 m范围内变化。不同观测高度的对比研究表明,观测高度从1.86 m增加到12.17 m,盛行风向上源区距观测点最远距离从172.8 m增加到1 555.2 m;在侧风向上则从123.2 m增加到665.8 m,通量源区范围随高度的增加而增大。大气稳定度对通量贡献源区影响很大,在大气稳定状态下,通量源区面积最大,距观测点最远距离达到135.3 m;中性条件下次之,为101.7 m;在不稳定条件下面积最小,为36.3 m。同一日内,夜晚源区面积较白天大。在日和季尺度上,大气稳定度是影响通量源区范围的一个重要因素。

Properties of GaAs single crystals grown by molecular beam epitaxy at low temperatures

Properties of GaAs single crystals grown at low temperatures by molecular beam epitaxy (LTMBE GaAs) have been studied. The results shaw that excessive arsenic atoms of about 10(20) cm(-3) exist in LTMBE GaAs in the form of arsenic interstitial couples, and cause the dilation in lattice parameter of LTMBE GaAs, The arsenic interstitial couples will be decomposed, and the excessive arsenic atoms will precipitate during the annealing above 300 degrees C. Arsenic precipitates accumulate in the junctions of epilayers with the increase in the temperature of annealing. The depletion regions caused by arsenic precipitates overlap each other in LTMBE GaAs, taking on the character of high resistivity, and the effects of backgating or sidegating are effectively restrained.

PECVD沉积SiO_2和SiN_x对p-GaN的影响

在等离子增强化学气相沉积法（PECVD）沉积SiO_2和SiNx掩蔽层过程中，分解等离子体中浓度较高的H原子使Mg~-受主钝化，同时在p-GaN材料表面发生反应形成浅施主特性的N_v~+，空位。高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO_2和SiN_x材料，阻碍了H原子向外扩散，使H原子在Ni／Au电极与p-GaN的界面处聚集，造成p-GaN近表面附近区域Mg-H络合物密度的提高，空穴浓度急剧下降，导致Ni／Au透明电极I-V特性严重恶化。选择较低的射频功率（15W，13．56MHz）沉积模式，经过适当的退火，可以减小沉积SiO_2过程对p-GaN的影响。

Quantum Measurement of Single Electron State by a Mesoscopic Detector

A realistic measurement setup for a system such system measured by a mesoscopie detector,is theoretically as a charged two-state （qubit） or multi-state quantum studied. To properly describe the measurement-induced back-action,a detailed-balance preserved quantum master equation treatment is developed. The established framework is applicable for arbitrary voltages and temperatures.

我国半导体科学领域基础研究迈入新阶段--国家自然科学基金半导体学科2004年申请概况分析

2004年国家自然科学基金委员会半导体学科受理的面上项目申请数终于有了突破,文中介绍了2004年半导体学科基金申请与资助概况,分析半导体学科受理申请的近期动态,介绍学科拟采取的对策,并附2004年半导体学科批准资助的面上项目及重点项目,供广大科研人员参考.

低阈值1.3μm InGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP-MOCVD生长

报道了用低压－金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法制作1.3μm应变补偿多量子阱结构材料。X射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±4级卫星峰和卫星峰间的Pendellosong条纹。整个有源区的平均应变量几乎为零。用掩埋异质结(BH)条形工艺制备的含一级光栅的DFB激光器室温下阈值电流2～4mA,外量子效率0.33mW/mA,线性输出光功率达30mW,边模抑制比(SMSR)大于35dB。20～40℃下的特征温度T_0为67K。

InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器

报道了一种新型的具有InGaAs量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器.采用钨丝作为掩膜,通过两次垂直交叉H~+质子轰击工艺制备器件,初步实现了室温脉冲工作,最低阈值电流达20mA,激射波长为915nm,器件的串联电阻最低达120Ω.