PECVD沉积SiO_2和SiN_x对p-GaN的影响
| Data(s) |
2007
|
|---|---|
| Resumo |
在等离子增强化学气相沉积法（PECVD）沉积SiO_2和SiNx掩蔽层过程中，分解等离子体中浓度较高的H原子使Mg~-受主钝化，同时在p-GaN材料表面发生反应形成浅施主特性的N_v~+，空位。高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO_2和SiN_x材料，阻碍了H原子向外扩散，使H原子在Ni／Au电极与p-GaN的界面处聚集，造成p-GaN近表面附近区域Mg-H络合物密度的提高，空穴浓度急剧下降，导致Ni／Au透明电极I-V特性严重恶化。选择较低的射频功率（15W，13．56MHz）沉积模式，经过适当的退火，可以减小沉积SiO_2过程对p-GaN的影响。 国家科技攻关计划资助项目 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈宇;严丽红;王良臣.PECVD沉积SiO_2和SiN_x对p-GaN的影响,红外与激光工程,2007,36(2):214-218 |
| Palavras-Chave | #微电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
