HFC152a/HCFC141b混合气体水合物相平衡特性研究

国家自然科学基金;广东省自然科学基金

水土保持耕作及施肥对盛花期大豆光合生理的影响

依据陕西安塞田间试验,采用LI-6400便携式光合仪,在自然条件下对黄土丘陵区旱作农田传统翻耕化肥(CF)、翻耕有机肥(CM)、翻耕无肥(CN)、免耕化肥(NF)、免耕有机肥(NM)、免耕无肥(NN)等处理下盛花期大豆叶片的净光合速率、气孔导度、水分利用效率及影响因子日变化进行了研究。结果表明:6种不同处理的大豆叶片净光合速率日变化均为双峰曲线,峰值分别在11:30、16:00出现。NM、NF处理对提高大豆净光合速率有明显的促进作用,其中以有机肥(NM)最为显著。气孔导度与蒸腾速率之间达极显著正相关(P<0.01,r=0.9994)。气孔导度日变化也为双峰,峰值分别出现在11:30、16:00。不同处理下,大豆的水分利用效率呈单峰曲线,峰值出现在10:00,低谷出现在13:00以后。其中,NF、NM处理能显著提高大豆盛花期的水分利用效率。相关分析表明:气孔导度、蒸腾速率、叶温、光合有效辐射及基于叶温的蒸汽压亏缺是大豆光合作用的促进因子,而胞间CO_2浓度、空气CO_2浓度、空气相对湿度则为主要的限制因子。CF、NF处理在8:30~10:20和13:00,CM、NN处理在8:30、11:30~13:00、17:...

不同粘粒含量土壤水分入渗能力模拟试验研究

为研究土壤粘粒含量对土壤入渗能力的影响,通过向自然土壤中添加沙粒、人工粘土的方法配制不同粘粒含量土壤,用土柱积水入渗模拟了人工配制土壤中粘粒含量对其入渗能力的影响。结果表明:(1)土壤粘粒含量对土壤入渗能力有较大影响,随粘粒含量增多,入渗能力递减:<0.001 mm粘粒含量从6%增加至40.4%时,稳定入渗速率从0.0169 cm/min降低至0.0068 cm/min,90 min累积入渗量则从3.66 cm降低至2.02 cm;(2)稳定入渗速率9、0 min累积入渗量与粘粒及物理性粘粒含量分别呈幂函数负相关、指数负相关关系,但与粘粒含量相关性更为显著;(3)通过对Green-Ampt模型、Philip模型及Kostiakov模型的参数拟合及累积入渗量计算,发现在本试验中Kostiakov模型拟合精度最高,Philip模型次之,Green-Ampt模型较差,说明Kostiakov模型对于均质土体是个比较实用的入渗模型。

铁体系催化丁二烯聚合的研究

本工作研究了以三氯化铁为主催化剂，三异丁基铝为助催化剂，吡啶、苯胺、丙烯腈、乙二胺、四甲基乙二胺、2,2'－联比啶和邻啡啰啉等含氮化合物为配位体的催化体系聚合丁二烯。发现邻啡啰啉做配位体时，该体系有很高的催化活性，Fe/BD为3.0 * 10~(-5)，Al/BD为2.0 * 10~(-3)时，聚合物收率可达90％以上。认为能与活性中心形成五圆或六圆螯合环的共轭含氮化合物做配位体，对聚合活性有非常显著的提高。而且共轭的程度愈高，活性愈高。故乙二胺、四甲基乙二胺、2,2'－联吡啶及邻啡啰啉虽然都能够与Fe形成五圆螯合物，但活性不一样：并用分子轨道理论进行了讨论。本文详细地研究了FeCl_3-Al(i-C_4H_9)_3-phen体系催化丁二烯聚合，考察了phen、Al(i-C_4H_9)_3的用量及聚合温度对催化活性、聚合物特性粘数及微观结构的影响。加入phen得到中乙烯基PBD(1,2-结构为40％－60％)，而不加入phen则得到顺式1,4－结构较高的PBD（顺式－1,4结构为74.4％）。该体系得到的PBD的特性粘数一般大于10，难以加工，故进行了分子量调节的尝试。体系中加入氯化正丁烷、溴代正丙烷、碘甲烷等卤代烷及三氯乙烯、氯代苯等卤代烃，均不能使PBD的分子量降低，而且用量较大时基本不影响聚合反应。卤代丙烯及氯代苄均可以降低PBD的分子量，其中氯丙烯的分子量调节效果最佳。若用量合适，可以使PBD的特性粘数从10以上降到4以下，而基本上不影响聚合物收率。PBD的分子量分布较窄，分布宽度指数为2.0左右，不随氯丙烯的用量而改变。从实验结果讨论了FeCl_3-AlCi-C_4H_9)_3-phen体系催化丁二烯聚合的机理及分子量调节剂的链传移机理。认为该体系催化丁二烯聚合的活性中心为：链转移是通过分子量调节剂对活性中心的氧化加成－还原消除反应进行的。在phen存在下，FeCl_3、Fe(acac)_3等与烷基铝作用，及(phen)_2FeCl_2与烷基铝作用，均可以生成烷基铁络合物：但只分离出(C_2H_5)_2Fe(phen)_2。(i_C_4H_9)_2(phen)_2及由氯化铁和(phen)_2FeCl_2合成的烷基铁络合物还未得到纯的产物，但从反应产物的易氧化性、水解产物的分析及红外光谱，证实产物中存在烷基铁。用元素分析、红外光谱、远红外光谱及气相色谱分析表征了(C_2H_5)_2Fe(phen)_2的结构。(C_2H_5)_2Fe(phen)_2单独使用不能使丁二烯聚合，需加少量的烷基铝，与其中一个配位体络合，使活性中心有供丁二烯配位的空轨道，聚合反应才能顺利进行：得到的PBD特性粘数为1.8～2.4左右，1,2－结构为40－60％，顺式－1,4结构为53～41％，反式－1,4结构很少。初步证明所提出的铁体系催化丁二烯聚合的机理基本上是正确的。初步表征了铁体系聚丁二烯硫化胶的性能，其抗张强度为203～205公斤／厘米~2，300％定伸强度为70～125公斤／厘米~2，伸长离为453～573％。

蹄蝠科的核型进化：比较染色体涂色、G带和C带分析

：与其姐妹科(菊头蝠科)相比，蹄蝠科的细胞遗传学研究较少。迄今为止，仅少数蹄蝠科几个物种有高分辨率的G带核型报道，且有关该科核型进化的大多数结论都是基于常规Giemsa染色研究而得。该研究利用三叶小蹄蝠的染色体特异探针，通过比较染色体涂色、G和C显带，建立了5种蹄蝠的染色体同源性图谱，并探讨了它们同源染色体间的G和C带异同。结果表明：罗伯逊易位、臂内倒位以及异染色质的扩增可能是蹄蝠科物种核型进化的主要机制。通过对这5种蹄蝠物种及其外群物种之间的同源染色体片段的比较分析，作者推测蹄蝠科的祖先核型并不像先前认为的全由端着丝粒染色体组成, 而应该含有中着丝粒染色体。

用于平面光波导的控温模块的设计与制作

研制了一种用于平面光波导（PLC）的控温模块。该模块采用比例微分积分（PID）控制回路控温，针对PLC控温特点，采用了优化模块的导热与散热，调整控温电路中的PID参数并采用H桥电流输出等方案对整个控温模块进行了优化设计。该模块体积小，长宽高分别为7cm×6cm×4cm；控温面积为3cm×3cm，适用于大尺寸的PLC芯片；控温范围广，从0～70℃；控温速率快、精度高，能将温度稳定到土0．15℃内。

一种解决无线局域网直下变频接收机直流漂移的方法

提出了一种符合IEEE802．11a无线局域网的5GHz直下变频接收机解决直流漂移的方法．该方法利用双平衡混频器输出端的模拟反馈环路消除直流漂移．该混频器经过测试，在5．15GHz频率下具有9．5dB的转换增益，13．5dB的噪声系数和7．6dBm的三阶交调，在3．3V电源电压条件下67mW的功耗，以及1．73mV的直流漂移，并能使直流漂移减少76％．该方案及整个直下变频的WLAN接收机已经采用0．35μmSiGe BiCMOS工艺流片并测试．

溶胶-凝胶法制备光波导薄膜及性质的研究

采用有机改性硅酸盐制备了光敏性溶胶-凝胶,并在凝胶中加入四丙氧基锆作为调节折射率的材料;用该凝胶在硅片上提拉成膜.为了增加薄膜与硅片的粘附性,成膜前先用干氧热氧化法在硅片上生长了一层厚度约为1500的二氧化硅;样品的原子力相片表明薄膜的表面非常平整,在5×5 μm2的范围内最大表面起伏只有0.657 nm.利用波导阵列掩膜版, 对制备的薄膜在紫外光波段下曝光,得到了表面平坦、侧墙光滑、陡直的沟道波导阵列.研究发现:紫外曝光时间和坚膜时的后烘温度都会使薄膜的折射率增大.通过对样品红外吸收谱的分析,从微观机理上解释了折射率随工艺条件变化的原因.

Fabrication of Silicon Condenser Microphone Using Oxidized Porous Silicon as Sacrificial Layer

A new technique to fabricate silicon condenser microphone is presented. The technique is based on the use of oxidized porous silicon as sacrificial layer for the air gap and the heavy p~+-doping silicon of approximately 15μm thickness for the stiff backplate. The measured sensitivity of the microphone fabricated with this technique is in the range from -45dB (5.6mV/Pa) to -55dB (1.78mV/Pa) under the frequency from 500Hz to 10kHz, and shows a gradual increase at high frequency. The cut-off frequency is above 20kHz.

一种新型的超导磁场单晶炉的研制

磁场对于半导体晶体生长过程中的熔体流动模式有着明显的影响，因而可以改善晶体的组分和杂质的分布。在半导体单晶生长过程当中利用超导磁场来抑制熔体的对流，采用这种方式既可以生长出优质的单晶又可以研究熔体的对流与扩散对生长半导体单晶的质量影响。报道了新近自行设计、制造的一种新型超导磁场直拉单晶炉。

Lasing of CdSSe quantum dots in glass spherical microcavity

Glass spherical microcavities containing CdSSe semiconductor quantum dots (QDs) of a few microns in diameter are fabricated using a physical method. When a single glass microspherical cavity is excited by a laser beam at room temperature, very strong and sharp whispering gallery modes are shown on the background of PL spectra of CdSSe QDs, which confirms that coupling between the optical emission of embedded QDs and spherical cavity modes is realized. For a glass microsphere only 4.6 mum in diameter, it was found that the energy separation is nearly up to 26 nm both for TE and TM modes. With the increasing excitation intensity, the excitation intensity dependence of the emission intensity is not linear in the double-logarithmic scale. Above the threshold value, the linewidths of resonance modes become narrower. The lasing behavior is achieved at relatively low excitation intensity at room temperature. High optical stability and low threshold value make this optical system promising in visible microlaser applications. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.