由一阶逻辑公式得到命题逻辑可满足性问题实例

命题逻辑可满足性(SAT)问题是计算机科学中的一个重要问题.近年来许多学者在这方面进行了大量的研究,提出了不少有效的算法.但是,很多实际问题如果用一组一阶逻辑公式来描述,往往更为自然.当解释的论域是一个固定大小的有限集合时,一阶逻辑公式的可满足性问题可以等价地归约为 SAT 问题.为了利用现有的高效 SAT工具,提出了一种从一阶逻辑公式生成 SAT 问题实例的算法,并描述了一个自动的转换工具,给出了相应的实验结果.还讨论了通过增加公式来消除同构从而减小搜索空间的一些方法.实验表明,这一算法是有效的,可以用来解决数学研究和实际应用中的许多问题.

黄土高原坡地枣树地膜微集水造林效果研究

在黄土高原丘陵沟壑区,采用田间试验研究了地膜微集水造林技术对提高枣树成活率、土壤温度以及枣树根区土壤水分含量的影响。结果表明:地膜微集水方法提高枣树移栽期0~100cm土层土壤水分,提高0~20 cm土层地温,造林成活率较对照提高15%;在枣树生长期和发芽期,土壤0~100 cm剖面含水量比对照高30.3%;在集中降雨后48 h内,土壤水分下渗深度比对照深34 cm,达到67 cm。该方法成本低、操作简单、效率高,可以在黄土高原枣树栽植中推广应用。

正常及光感受器损伤兔眼视网膜下芯片植人后的电生理结果

目的 观察视网膜下芯片所引起的光感受器损伤及正常兔眼的电生理改变。方法 青紫蓝兔共30只，其中22只兔NaIO_3生理盐水溶液静脉注人后眼光感受器受到损伤。将一个由90个微光电二极管组成的阵列和相连电极构成的直径约3 mm的芯片通过巩膜切口植人4只正常及22只注药后光感受器损伤兔右眼的视网膜下腔或脉络膜中,左眼为对照眼;分别检测芯片眼及对照眼局部闪光视觉诱发电位（F-VEP)、局部闪光视网膜电图(F-ERG)、全视野闪光VEP及全视野闪光ERG.另外4只兔双眼摘作病理检查。结果 22只色光感受器损伤兔中有11只芯片眼的局部ERG主波振幅明显大于对照眼；4只正常兔中，2只芯片眼的局部ERG主波振幅大于对照眼。1只芯片眼表面视网膜出现破孔不能引出任何波。局部VEP及全视野闪光VEP重复性较差，全视野闪光ERG未见明确差别。结论 植人的芯片在受到光刺激后可刺激局部视网膜并引起局部视网膜的电活动。

Monolithically Integrated Optoelectronic Receivers Implemented in 0. 25μm MS/RF CMOS

A monolithically integrated optoelectronic receiver is presented. A silicon-based photo-diode and receiver circuits are integrated on identical substrates in order to eliminate the parasitics induced by hybrid packaging. Implemented in the present deep sub-micron MS/RF （mixed signal, radio frequency） CMOS,this monolithically OEIC takes advantage of several new features to improve the performance of the photo-diode and eventually the whole OEIC.

In0.2 Ga0.8 As-GaAs复合应力缓冲层上的1.3 μmInAs/GaAs自组织量子点

用光荧光谱和原子力显微镜测试技术系统研究了在2 nm In0.2Ga0.8As和x ML GaAs的复合应力缓冲层上生长的InAs/GaAs自组织量子点的发光特性和表面形貌.采用In0.2Ga0.8As与薄层GaAs复合的应力缓冲层,由于减少了晶格失配度致使量子点密度从约1.7×109 cm-2显著增加到约3.8×109cm-2.同时,复合层也有利于提高量子点中In的组份,使量子点的高宽比增加,促进量子点发光峰红移.对于x=10 ML的样品室温下基态发光峰达到1350 nm.

纳米硅薄膜光学性质的测定与研究

通过测定纳米硅薄膜的透射谱,建立计算模型计算得出薄膜样品的折射率、厚度、吸收系数和光能隙.计算结果表明这种半导体材料在620 nm波长附近的折射率约为3.4,计算得到的厚度与用台阶仪测量的结果吻合很好.在620 nm波长附近的吸收系数介于吸收系数较小的晶体硅与吸收系数较大的非晶硅之间,光能隙约为1.6 eV,两者都随晶态含量增大而呈减小趋势.

半导体量子点及其应用(Ⅱ)

4 半导体量子点的应用理论分析表明,基于三维受限量子点的分离态密度函数的量子器件,以其独特的优异电学、光学性能和极低功耗,在纳米电子学、光电子学,生命科学和量子计算等领域有着极其广泛的应用前景,本文仅就量子点在量子点激光器、量子点红外探测器、单光子光源、单电子器件和量子计算机等方面的应用作一简单的介绍.

与CMOS工艺兼容的硅基光发射器件研究进展

本文概述了近年来该器件的研究与进展，从发光机理、器件研制和应用前景等方面做了详细的叙述。

Y沸石中组装CdSe纳米团簇的实验研究

采用离子交换方法，在Y型沸石分子筛中首次组装了质量比分别为5%和15%的CdSe纳米团簇；样品漫反射光谱和透射电镜形貌相的实验结果证实，该制备过程是成功可行的，并得到了分布均匀、尺寸比较单一的团簇材料。采用正电子湮没寿命谱对上述两种样品、Y型沸石原粉和纯的CdSe粉末样品进行测量，得到了有关团簇生长过程及其微结构的有用信息。

氢原子辅助MBE生长对GaAs外延面形貌的影响

该文研究了MBE通常生长条件和氢原子辅助生长条件下(100)、(331)、(210)、(311)等表面外延形貌的变化。