山地红枣林地滴灌水分运移规律试验研究

在米脂山地微灌枣树示范基地研究了一定流量范围、不同灌水量条件下,地表滴灌水分在水平和垂直方向上的运移规律及滴灌结束后的水分再分布特征。试验结果表明:在流量稳定条件下,湿润体的水平和垂直扩散距离均与时间有显著的幂函数关系;在4.6~5.0 L/h的流量范围内,湿润体的水平和垂直扩散距离与灌水量也存在显著的幂函数关系;滴灌停止后24 h内的土壤湿润体扩散很大,湿润体平均含水量降低很快,24 h后的扩散较小,平均含水量下降较小,确定滴灌停止后24 h时的湿润体特征值可作为滴灌系统设计的依据。

重组人内皮抑素的基因表达与表征

内皮抑素具有抑制内皮细胞增殖和抗肿瘤新生血管生成活性，在小鼠实验中对多种肿瘤取得了有效的结果，有望成为一种新型抗肿瘤药物。本论文从基因的获取到在大肠杆菌中的高效表达，系统地研究了重组内皮抑素的全过程，并对其体内、体外的生物学活性及多种光谱学性质进行了深入的研究。采用Trizol试剂改进法从人胚肝组织中制备细胞mR NA，通过RT-PCR方法获得人内皮抑素基因。应用基因工程技术构建了亚克隆载体和表达载体，在大肠杆菌BL21（DE3）中以包涵体方式表达出N-末端带有6XHisTag标签的融合蛋白，表达量最多达到菌体总蛋白的42％。建立了包涵体蛋白的复性和纯化方法，得到具有较高纯度的重组内皮抑素蛋白。首次用质谱法证实从大肠杆菌的包涵体中获得的重组蛋白，因宿主菌中水解甲硫氨酸的酶不能对所有包涵体蛋白起作用，而在目的蛋白中会棍有N-末端具有甲硫氨酸的产物。对内皮抑素基因做定点突变，首次将内皮抑素蛋白的N-末端锌离子结合位点的的His2、His4突变成Leu2、Va14，构建了点突变的亚克隆载体，为以后研究其作用机理提供了条件。重组内皮抑素能够抑制鸡胚尿囊膜血管生成和人脐静脉内皮细胞ECV-304的增殖，在小鼠体内实验中对黑色素瘤产生良好的抑瘤效果（P＜0.01）。通过细胞周期分析，首次发现重组内皮抑素在G2期抑制 ECV-304细胞的增殖。电镜观察发现受内皮抑素作用的ECV-304细胞，产生了凋亡小体并出现多种细胞凋亡特征。同时，首次发现内皮抑素能使Balb／c 3T3细胞产生凋亡。计算机结构模拟结果表明重组内皮抑素蛋白与天然蛋白具有相似的空间结构。研究了内皮抑素与锌离子、肝素、稀土离子作用后蛋白质的光谱学性质和二级结构的变化，首次发现偏酸性pH对肝素与内皮抑素的结合作用有特殊影响，为研究内皮抑素特异抑制肿瘤组织新生血管的生成提供了实验依据。从人胚肝组织出发初步完成了人硒蛋白P亚克隆载体的构建。

高功率VCSEL中应变补偿量子阱的理论设计

利用模型固体理论、k．p理论和Pikus-Bir理论，研究了InGaAs／GaAsP应变补偿量子阱，得出了较为简单通用的设计方法；进而研究了阱宽、InGaAs中In组分和GaAsP中P组分等参数对跃迁波长的影响。理论计算发现，与InGaAs／GaAs普通量子阱相比，InGaAs／GaAsP应变补偿量子阱能提供更深的载流子阱和更大的增益。按照提出的理论设计方法，研制了含InGaAs／GaAsP应变补偿量子阱的垂直腔面发射激光器（VCSEL），理论计算和实验结果相吻合。

GaN外延材料中持续光电导的光淬灭

研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭.实验发现,非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者却明显减小;稍后再次加淬灭光,前者的持续光电导仍无变化,而后者却明显增加.作者认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关,用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭过程;掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱(杂质能级)和空穴陷阱共同作用的结果,并且在持续光电导发生的不同阶段其中一种陷阱的作用占主要地位.

新型硅基双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si制备

异质外延法是目前制备新型SOI材料的技术途径之一。采用低压化学气相沉积技术(LPCVD)在硅衬底上先外延r-A1-2O-3绝缘单晶薄膜，制备出硅衬底上外延氧化物外延结构r-Al-2O-3／Si(EOS)，然后采用类似SOS薄膜生长的常压CVD(APCVD)方法在EOS上外延硅单晶薄膜，形成新型硅基双异质SOl材料Si／r-Al-2O-3／Si。利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)及MOS电学测量等技术表征分析了Si(100)／r-Al-2O-3(100)／Si(100)SOI异质结构的晶体结构、组分和电学性能。测试结果表明，已成功实现了高质量的新型双异质外延SOI结构材料Si(100)／ r-Al-2O-3(100)／Si(100)，r-Al-2O-3与Si外延薄膜均为单晶，r-Al-2O-3薄膜具有良好绝缘性能，SOI结构界面清晰陡峭，该SOI材料可应用于CMOS电路的研制。

a-Si:H中第二类亚稳缺陷的观察

国家自然科学基金

Growth and characterization of GaN on LiGaO2

The nearly lattice-matched (0 0 1)LiGaO2 substrates have been used for the growth of GaN by LP-MOVPE, GaN epilayers have been grown on both domains at very low input partial pressure of hydrogen and relatively low growth temperature. The differences in the growth rate, crystal and optical qualities of hexagonal GaN epilayers grown on LiGaO2 substrate with two polar domains are investigated. LiGaO2 single crystal with a single domain structure and an adequate surface plane is a promising substrate for the growth of high quality of hexagonal GaN thin films. (C) 1998 Published by Elsevier Science B.V. All rights reserved.