高功率VCSEL中应变补偿量子阱的理论设计
| Data(s) |
2008
|
|---|---|
| Resumo |
利用模型固体理论、k．p理论和Pikus-Bir理论，研究了InGaAs／GaAsP应变补偿量子阱，得出了较为简单通用的设计方法；进而研究了阱宽、InGaAs中In组分和GaAsP中P组分等参数对跃迁波长的影响。理论计算发现，与InGaAs／GaAs普通量子阱相比，InGaAs／GaAsP应变补偿量子阱能提供更深的载流子阱和更大的增益。按照提出的理论设计方法，研制了含InGaAs／GaAsP应变补偿量子阱的垂直腔面发射激光器（VCSEL），理论计算和实验结果相吻合。 国家自然科学基金重点资助项目（6 636 3 /F 4 3） |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王青;曹玉莲;何国荣;韦欣;渠红伟;宋国峰;陈良惠.高功率VCSEL中应变补偿量子阱的理论设计,光电子·激光,2008,19(3):304-307 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
