预注入对Si_（1-x）C_x合金形成的影响

室温下在单晶Si中注入(0.6-1.5)at%的C原子，部分样品在C离子注入之前在其中注入~(29)Si~+离子产生损伤，然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si_(1-x)C_x合金，研究了预注入对Si_(1-x)C_x合金形成的影响。如果注入C离子的剂量小于引起Si非晶化的剂量，在950℃退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇，难于形成Si_(1-x)C_x合金，预注入形成的损伤有利于合金的形成。随着C离子剂量的增大，注入产生的损伤增强，预注入反而不利于Si_(1-x)C_x合金的形成，但当注入C原子的浓度超过固相外延的溶解度时，预注入的影响可以忽略。退火温度升高到1050℃，无论预注入还是未预注入样品，C含量低的合金相仍然保留，而C含量高的合金相大部分消失。

不同组分In_xGa_(1-x)As(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的影响

研究了不同In组分的In_xGa_(1-x)As(0≤x≤0.3)覆盖层对自组织InAs量子点的结构及发光特性的影响。透射电子显微镜和原子力显微表明，InAs量子点在InGaAs做盖层时所受应力较GaAs盖层时有所减小，并且x=0.3时，InGaAs在InAs量子点上继续成岛。随x值的增大，量子点的光荧光峰红移，但随温度的变化发光峰峰位变化不明显。理论分析表明InAs量子点所受应力及其均匀性的变化分别是导致上述现象的主要原因。

不同剂量C离子注入Si单晶中Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征

室温下在单晶Si中注入(0.6-1.5)%的C原子，利用高温退火固相外延了Si_(1-x)C_x合金，研究了不同注入剂量下Si_(1-x)C_x合金的形成及其特征，如果注入C原子的浓度小于0.6%，在850-950℃退火过程中，C原子容易与注入产生的损伤缺陷结合，难于形成Si_(1-x)C_x合金相。随注入C原子含量的增加，C原子几乎全部进入晶格位置形成Si_(1-x)C_x合金，但如果注入C原子的浓度达到1.5%，只有部分C原子参与形成Si_(1-x)C_x合金。升高退火温度，Si_(1-x)C_x合金相基本消失。

Al_xGa_(1-x)As/GaAs太阳电池MgF_2/ZnS双层减反射膜的研究

介绍了在AlGaAs/GaAs太阳电池上制备MgF_2/ZnS双层减反射膜的研究工作。引入了有效反射率R_e，并通过使R_e极小来实现减反射膜的优化设计，考虑了MgF_2/ZnS双层减反射膜与窗口层的耦合。实验上获得了良好的减反射膜，提高了AlGaAs/GaAs太阳电池的短路电流和效率，表明用R_e极小化来设计减反射膜是合理的。

C离子注入Si中Si_(1-x)C_x合金的形成及其稳定性

利用离子注入和高温退火的方法在Si中生长了C含量为0.6%～1.0%的Si_(1-x)C_x合金，研究了不同注入剂量下Si_(1-x)C_x合金的形成及其在退火过程中的稳定性。如果注入剂量小于引起Si非晶化的剂量，850℃退火后，注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇，难于形成Si_(1-x)C_x合金。随着注入C离子剂量的增大，注入产生的损伤增强，容易形成Si_(1-x)C_x合金，但注入的剂量增大到一定程度，Si_(1-x)C_x合金的应变将趋于饱和，即只有部分C原子进入晶格位置形成合金相。Si_(1-x)C_X合金一旦形成，在950℃仍比较稳定，而温度高于1000℃，合金的应力将部分释放。随着合金中C原子浓度的升高，合金的稳定性变差。

GaN_xAs_（1-x）/GaAs单量子阱发光性质及带阶研究

用光荧光谱(PL)研究了GaN_xAs_(1-x)/GaAs单量子阱(SQW)的光跃迁性质和带阶。通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰值位置与温度的关系，发现GaN_xAs_(1-x)/GaAs单量子阱中的发光是本征带-带跃迁，并且低温发光是局域激子发光。通过自洽计算发现它的导带带阶(ΔE_c)与氮含量的关系不是纯粹的线性关系，其平均变化速率(0.110eV/N%)比文献中报道的要慢得多(0.156～0.175eV/N%)，此外发现Q_c(=ΔE_c/ΔE_g)随氮含量的变化很小，可以用Q_c≈x~(0.25)来表示。还研究了GaN_xAs_(1-x)/GaAs单量子阱中氮含量的变化对能带弯曲参数(b)的影响。

Ge_xSi_(1-x)/Si中应变的会聚束电子衍射研究

介绍了会聚束电子衍射(CBED)技术与计算机模拟相结合测定Ge_xSi_(1-x)/Si化学梯度层中应变分布的实验结果，提供了一种高空间分辨率、高灵敏度，且适用于任何材料系中微区晶格常数测定及应变分布研究的技术途径。

光电导型混晶Si_(1-x)Ge_x波导探测器

于2010-11-23批量导入

MOCVD生长的未掺杂的In_（1-x）Ga_xP中的本征缺陷

于2010-11-23批量导入

MOVPE生长Ga_xAl_yIn_（1-x-y）N的准热力学模型（英文）

提出一个以TMGa、TMAl、TMIn和NH_3为源，用MOVPE方法生长Ga_xAl_yIn_(1-x-y)N四元合金的推热力学模型。该模型假设四元合金是由氨和Ⅲ族元素之间反应合成的，其特点是考虑了NH_3的分解效率，并用N、H、Ga、Al及In的摩尔分数代替惯用的分压来表示质量守衡方程。计算了各种生长条件对于与GaN晶格匹配的Ga_xAl_yIn_(1-x-y)N四元合金与注入反应室的Ⅲ族金属有机化合物之间关系的影响。计算表明，几乎所有达到生长表面的Al和Ga都并入到Ga_xAl_yIn_(1-x-y)N四元合金中，而In则富集在气相。为增强铟的并入，应采用低的生长温度，高的Ⅴ/Ⅲ比，氮载气而且须要设法降低到达生长界面前氨的分解。

低碳含量a-Si_（1-x）C_x∶H薄膜的化学键结构

利用两种不同激发波长进行Raman测量，研究了低碳含量a-Si_(1-x)C_x:H(～<20at.%)薄膜的结构特征。采用647.1nm激发时，由于激发光能量接近于各样品的光学带隙，因而在样品中具有较大的穿透深度；而采用488nm激发时，激发光被样品表面强烈吸收，探测深度的变化造成了两种激发下Raman谱出现较大的差异。实验结果表明样品体内存在硅团簇结构，样品的自由表面存在一层浓度的缺陷层。这两种空间的不均匀性造成了高能激发时Raman谱的TO模频率和半高宽比低能激发时有大的红移和展宽。以上结果证明不同激发波长将造成Raman测量结果的差异。

Si_（1-x-y）Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性

于2010-11-23批量导入

Annealing Behavior of Si_(1-x)Ge_x/Si Heterostructures

于2010-11-23批量导入

用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料

分析了Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元系材料外延生长的特点，指出原子性质上的巨大差异使Si_(1-x-y)G_xC_y材料的制备比较困难。固相外延生长是制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y的有效方法，但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择。通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的造反与外延层结晶质量的关系。指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量，而注入过程中靶温过高会导致动态退火效应，影响以后的再结晶过程。采用两步退火方法有利于消除注入引入的点缺陷，而二次外延退火存在着一个最佳退火温区，在此基础上优化得出了固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y/Si材料的最佳条件。