地肤根系的力学性质及对道路侵蚀的影响

基于黄土高原植物路防蚀对适宜植物的需要,对多年生草本植物地肤根系的抗剪切强度进行了测试,并在野外生长有地肤坡面的径流小区进行了冲刷试验。结果表明:相同试验条件下含有单株地肤根系的土样比不含地肤根系的土样,在100、200、300、400 kPa共4种不同垂直荷载压力下,其抗剪切强度分别提高了9.51%、14.42%、17.03%、7.35%;坡面冲刷单宽流量为1.67×10-4m3/(s.m)且坡面地肤覆盖度为0、20%、40%、60%、80%时,裸坡的侵蚀量分别是地肤坡面的2、7、12倍及29倍左右,这说明地肤对于提高土壤抗侵蚀性能有显著效果,是一种适宜栽培于黄土高原道路的植被品种。

掺杂压电陶瓷／铁电薄膜的制备和研究

PZT陶瓷粉体的制备和研究。用溶胶一凝胶法制备了错钦酸铅Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3（PZT），研究了溶剂乙二醇单甲醚和水的比例对PZT的晶化温度和晶粒尺寸的影响，结果表明，随溶剂比例的增大，PZT粉体的晶化温度升高晶粒尺寸增大，当V（C_3H_9O_2）／V（H_2O）＝4.47时，不仅缩短了溶胶-凝胶过程的时间，且得到的PZT粉体晶化温度低（443℃），晶粒的粒径分布集中（60-70nm）。PZT掺杂压电陶瓷的制备和研究。用同一主族元素对PZT进行掺杂改性实验，制备了Ca-PZT，Sr-PZT，Ba-PZT三个系列的压电陶瓷体系，其中每个体系中又包含1％、3％、5％、7％、9％（10％，11%）不同的掺杂量。经过压片，蒸镀电极，极化处理后测定其由，常数，结果表明，Ba离子的半径是最适合掺杂的离子半径。PZT和PbTIO。（PT）稳定溶胶的制备。在溶胶形成过程中，通过调整溶剂乙二醇单甲醚和水的比例，并加入适当量的乙酞丙酮作稳定剂，在有水体系下制备稳定的PZT和PT溶胶前驱体。该方法省略了制备中的蒸馏过程，简化了PZT和PT稳定溶胶的制备工艺。PZT铁电薄膜的制备。用自制的溶胶进行旋涂制膜，制备了膜层厚度不同的PZT和PT-PZT薄膜，在不同的锻烧温度，锻烧时间下处理为晶态膜，并对晶态膜进行表征，证明获得了钙钦矿结构的PZT晶态膜。

基于文献计量分析的LED知识图谱及产业化对策

LED照明是当前最具发展前景的高技术领域之一.本文运用文献计量相关分析方法对LED的历史文献进行分析,通过绘制多维尺度分析图谱和核心关键词关联知识图谱,挖掘当前LED的技术成熟度、研究热点和关键技术点等信息,得出LED技术目前主要集中宽带隙材料、发光类型及特性、有机发光和超亮度LED研发上;氮化镓(GaN)、电致发光(electroluminescence)、光致发光(photoluminescence)、白光(White LED)等在整个LED研究中处于中心和控制大多数信息流向的地位.最后,本文通过国别分析判断我国LED产业的实力水平,最终为我国的LED技术产业化发展提供建议.

高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟

介绍了Si1-xGex合金材料在制作新型光电子器件方面的重要作用,描述了应变SiGe层的特性,包括其临界厚度与Ge组分的关系、能带变窄、折射率增加,以及应变SiGe层的亚稳态特性.设计了应变锗硅缓冲层上的高Ge组分PIN光电探测器的外延材料和结构,采用Silvaco软件分别对光电探测器的器件结构、光谱响应、响应电流及其随入射光功率的变化、器件的暗电流进行了模拟,结果显示,探测器有源区面积增大,其响应电流也增大,且暗电流比其响应电流小6～8个数量级;探测器的响应时间约为3.8x10~(-9)s;探测器在850nm左右具有较好的光响应;这些结果都比较理想.采用L-edit软件设计了该光电探测器的结构,最后对研究结果做出总结.

1.55μm Laser Diode Monolithically Integrated with Spot-Size Converter Using Conventional Process

A novel 1.55μm laser diode with spot-size converter is designed and fabricated using conventional photolithography and chemical wet etching process.For the laser diode,a ridge double-core structure is employed.For the spot-size converter,a buried ridge double-core structure is incorporated.The laterally tapered active core is designed and optically combined with the thin and wide passive core to control the size of mode.The laser diode threshold current is measured to be 40mA together with high slop efficiency of 0.35W/A.The beam divergence angles in the horizontal and vertical directions are as small as 14.89°×18.18°,respectively,resulting in low-coupling losses with a cleaved optical fiber (3dB loss).

玻璃分相的电子能量损失谱研究

于2010-11-23批量导入

Silicon: the promising material for phontonic integrated circuits platform

The development of optical network demands integrated arid multiple functionality modules to lowing cost and acquire highly reliability. Among the various contender materials to be photonic integrated circuits platform, silicon exhibits dominant characteristics and is the most promising platform materials. The paper compares the characteristics of some candidate materials with silicon and reviews recent progress in silicon based photonic integration technology. Tile challenges to silicon for optical integration for optical networking application arc also indicated.

requirement analysis of information and knowledge management in postmodern perspective on curriculum

National Basic Research Program of China; Chinese Academy of Sciences; Information Society Technologies; Institute of Computing Technology, Chinese Academy of Sciences; Zhuhai National Hi-tech Industrial Development Zone