掺杂压电陶瓷／铁电薄膜的制备和研究

PZT陶瓷粉体的制备和研究。用溶胶一凝胶法制备了错钦酸铅Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3（PZT），研究了溶剂乙二醇单甲醚和水的比例对PZT的晶化温度和晶粒尺寸的影响，结果表明，随溶剂比例的增大，PZT粉体的晶化温度升高晶粒尺寸增大，当V（C_3H_9O_2）／V（H_2O）＝4.47时，不仅缩短了溶胶-凝胶过程的时间，且得到的PZT粉体晶化温度低（443℃），晶粒的粒径分布集中（60-70nm）。PZT掺杂压电陶瓷的制备和研究。用同一主族元素对PZT进行掺杂改性实验，制备了Ca-PZT，Sr-PZT，Ba-PZT三个系列的压电陶瓷体系，其中每个体系中又包含1％、3％、5％、7％、9％（10％，11%）不同的掺杂量。经过压片，蒸镀电极，极化处理后测定其由，常数，结果表明，Ba离子的半径是最适合掺杂的离子半径。PZT和PbTIO。（PT）稳定溶胶的制备。在溶胶形成过程中，通过调整溶剂乙二醇单甲醚和水的比例，并加入适当量的乙酞丙酮作稳定剂，在有水体系下制备稳定的PZT和PT溶胶前驱体。该方法省略了制备中的蒸馏过程，简化了PZT和PT稳定溶胶的制备工艺。PZT铁电薄膜的制备。用自制的溶胶进行旋涂制膜，制备了膜层厚度不同的PZT和PT-PZT薄膜，在不同的锻烧温度，锻烧时间下处理为晶态膜，并对晶态膜进行表征，证明获得了钙钦矿结构的PZT晶态膜。