一种任务优先级的综合设计方法

提出了一种基于优先级表设计的调度算法.将任务的相对截止期和空闲时间这两个特征参数结合起来,综合设计任务的优先级表,使得截止期越早或空闲时间越短,任务的优先级越高,而且任务的优先级由相对截止期和空闲时间惟一确定.对于任意一个任务,可通过对设计的优先级表进行二元多点插值获得相应任务的惟一优先级.与传统的EDF和LSF算法进行仿真比较,仿真结果表明,通过优先级表设计方法来确定任务的优先级,提高了任务调度的成功率,降低了任务截止期的错失率.该方法可应用于实时系统中实时任务的动态调度中.

中国汉族人群若干疾病相关基因的定位研究

1. 中国一个轴前多指 II/III 型家系候选基因的定位 轴前多指（PPD）是人类众多肢体异常症状中比较常见的一种。前人的研 究把它定位到染色体7q36 上450Kb 的区段内。在这个候选区段内，不同的遗传 背景的几个多指家系的致病突变已被发现，它们位于SHH 基因的顺式调控元件 （ZRS）上，这个调控元件调控SHH 正常的时空表达，对指/趾的正常发育起着 重要的作用。在本研究之中，我们分析了我国一个大的多指家系，这个家系的多 指疾病的遗传方式是常染色体显性遗传并有接近100%的疾病外显率。通过连锁 分析和单倍型构建，我们把这个家系的致病基因定位到染色体7q36 上微卫星标 记D7S2465 和 D7S2423 之间1.7cM 的区域内，这个区域包含了上述的450Kb。 为了确定这个家系的致病突变，我们采用了直接测序的方法，筛查了我们定位的 这个区段内的5 个基因（HLXB9, C7orf2, NOM1, RNF32 和C7orf4）的编码区， SHH 基因的ZRS，C7orf2 基因的第5 内含子，和18 个在多物种中保守的非编码 区段（CNS）。我们的结果表明，在这个中国多指家系中，不是上述的5 个基因 和18 个多物种中保守非编码区段（CNS）的突变导致了多指的表型，也不是其 他研究小组报道的SHH 基因的ZRS 突变导致了多指表型。是否在我们界定的这 1.7cM 的候选区段内还存在着SHH 基因的其他调控元件，它的突变也一样会引 起SHH 基因异常的时空表达，最终导致多指表型的产生还需要进一步的研究来 证实。 2. 中国一个单纯性小眼球家系致病基因的定位 先天性小眼球是一种在临床上具有异质性的眼球发育异常疾病，表型从单 侧眼球体积变小到两侧眼球组织的完全缺失。单纯性小眼球疾病指的是除了眼球 的异常不伴随身体其他组织的异常，其遗传学上的致病机理到目前为止还未完全 清楚。之前的研究表明，不同遗传背景的小眼球家系的致病基因被定位到完全不 同的染色体区段上。本研究中的这个中国单纯性小眼球家系，具有常染色体显性的遗传方式，而且是第一个在分子水平上被研究的中国小眼球家系。为了研究这 个家系的致病基因，我们使用了382 个微卫星标记对这个家系进行了全基因组的 扫描，结果表明这个中国小眼球家系的致病基因定位于2 号染色体长臂上，这个 结果不同于以往报道的任何其他小眼球家系。两点连锁分析在重组率为0 时在微 卫星标记D2S2265 上得到最大值3.290，单倍型分析表明所有的受累个体在染色 体2q11-14 上微卫星标记D2S1890 和 D2S347 之间共享相同的单倍型，所以将 这个家系的致病基因定位到染色体2q11-14 上15 cM 的区段内。我们的结果进一 步提示了小眼球疾病的遗传异质性，并且定位了一个新的关于眼球发育的相关基 因。 3. 19 号染色体C 型凝集素家族与中国南方汉族人群的SARS 易感性研究 2003 年SARS 在全球爆发时，不同的个体在感染后表现出不同的病程和 最终的治疗结果，这被认为是个体本身的遗传因素在这个过程中起了一定的作 用，即不同个体在一些基因上的多态影响了他们对一些疾病的易感性。CD209L 基因是19 号染色体上C 型凝集素家族中的一员，它被证明是SARS 病毒的受体， 并且它的第4 外显子的VNTR 多态被认为和宿主对病毒的易感性有关。但是这 个结论在其后其他两个研究小组的工作未被得到证实。可能的原因有：(1) CD209L 基因本身的多态和宿主对SARS 病毒的易感性无关，而是和它紧密连锁 的其它基因的多态发挥真正的作用；(2)可能是由于以前未检测到的群体分层现 象的存在，使最初的研究得到了一个假阳性的结果。为了探讨这个问题，我们对 19 号染色体上C 型凝集素家族的4 个成员(FCER2, CLEC4G, CD209 和 CD209L) 作了全面的研究，我们采用了检测tagSNPs 的方法，在C 型凝集素家族基因簇上 选取了23 个tagSNPs 位点来代表这个基因簇的多态。我们检测了来自中国香港 的181 个SARS 病人和172 个匹配的正常对照，结果表明C 型凝集素家族的4 个基因跟中国南方汉族群体对SARS 病毒的易感之间没有相关性。同时我们检测 了来自中国不同地区的1145 个汉族样本CD209L 基因VNTR 的多态分布情况， 结果表明这个位点在中国人群中存在群体分层现象，这也解释了之前的研究小组 得到的假阳性结果可能正是由于他们忽略了这个问题而导致的

南海东沙西南海域冷泉碳酸盐岩特征及其意义

海底冷泉流体或自生碳酸盐沉积可为碳氢化合物（主要指常规油气或天然气水

Dislocation movement in nitrogen-doped Czochralski silicon

Dislocation movement in N-doped Czochralski silicon (Cz-Si) was surveyed by four point bend method. Dislocation movement velocities in Cz-Si doped with nitrogen, with both nitrogen and antimony, and with only antimony were investigated. The order of measured dislocation movement velocities, at 700 degrees C less than or equal to T less than or equal to 800 degrees C and under resolved stress sigma=4.1 kg/mm(2), was V-Sb.O > V-n.Sb.O>V-N.O. The experiments showed that nigtrogen doping could retard the movement of dislocations.

超品格覆盖层对拓展InAs量子点发光波长的影响

提出了一种调节InAs量子点长波长发光的方法．采用分子束外延生长GaAs／InAs短周期超晶格作覆盖层，可以拓展量子点发光波长至1．3μm～1．5μm．研究了不同超晶格周期作覆盖层对InAs量子点的晶体结构和光学特性的影响

The influence of nitrogen clustering effect on optical transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells

Photoluminescence (PL) spectra of GaInNAs/GaAs multiple quantum wells and GaInNAs epilayers grown on GaAs substrate show an apparent "S-shape" temperature-dependence of the of dominant luminescence peak. At low temperature and weak excitation conditions, a PL peak related to nitrogen cluster-induced bound states can be well resolved in the PL spectra. It displays a remarkable red shift of up to 60 meV and is thermally quenched below 100 K with increasing temperature, being attributed to N-cluster induced bound states. The indium incorporation exhibits significant effect on the cluster formation. The rapid thermal annealing treatment at 750 C can essentially remove the bound states-induced peak.

Controllable growth of semiconductor nanometer structures

Self-assembled quantum dots and wires were obtained in the InxGa1-xAs/GaAs and InAs/In0.52Al0.48As/InP systems, respectively, using molecular beam epitaxy (MBE). Uniformity in the distribution, density, and spatial ordering of the nanostructures can be controlled to some extent by adjusting and optimizing the MBE growth parameters. In addition, some interesting observation on the InAs wire alignment on InP(001) is discussed. (C) 2003 Elsevier Science Ltd. All rights reserved.