GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术

利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上，并又利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底．SEM和PL观察表明，利用键合技术可以完整地把立方相GaN以外延薄膜转移到新的衬底上而不改变外延层的物理和光学性质．XRD(x射线衍射)结果分析显示，键合后的样品中出现了新的合金和化合物

ECR Plasma CVD法淀积808nm大功率半导体激光器光学膜工艺研究

介绍了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(简称ECR Plasma CVD)法淀积808nm大功率半导体激光器两端面光学膜的工艺，给出工艺条件，探索了膜系监控的方法和优越性，讨论了这种淀积方法的优点和淀积的光学膜的优良特性。

MBE生长面发射激光器的原位厚度监测

在MBE生长"DBR型结构性材料"的过程中,由于生长中的多层结构干涉效应,使高温黑体辐射谱呈现振荡现象,利用此现象辅以计算机数据拟合,可以实现MBE生长中层次、组分和厚度的实时监控,对MBE系统生长垂直腔型结构材料的实时质量监控有重要意义.利用红外高温仪对VCSEL器件生长全过程(包括谐振腔)及多种组分DBR的表观衬底热辐射振荡进行监测,采用准黑体模型,结合扫描电镜、光反射谱等结果进行了分析,理论与实验得到了较好的吻合.

用紧耦合方法研究C~(4+)和O~(6+)与He原子碰撞

用双中心原子轨道紧耦合方法计算了C4+-He以及O6+-He碰撞的单俘获总截面,入射离子的能量范围为10-100 keV／amu,所得计算结果在实验误差范围内与实验值很好符合。对满壳层入射离子,研究了单俘获截面随入射离子电荷态的变化,并讨论了原子轨道展开波函数数目对计算结果的影响。